MOSFET kup korzystnie w Mercateo (strona 591/816)

Fotografia

Artykuł

Producent/nr

Cena

Zamów

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 500V; 20A; 460W; TO247AC (2 ofert)

Producent: VISHAY Montaż: THT Obudowa: TO247AC Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 20A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,15Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 460W Polaryzacja: unipo...

Vishay

IRFP31N50LPBF

od PLN 14,11*
za szt.

MOSFET N-kanałowy 373 A PowerFLAT 5 x 6 40 V SMD (2 ofert)

Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 373 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 40 V Typ opakowania = PowerFLAT 5 x 6 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Liczba elementów na...

ST Microelectronics

STL325N4LF8AG

od PLN 7,00*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 500V; 60A; 1040W; TO268 (1 Oferta)

Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO268 Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 60A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,11Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 1,04kW Polaryzacja: unipola...

IXYS

IXFT60N50P3

od PLN 27,72*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 500V; 22A; 350W; TO3P; 400ns (1 Oferta)

Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO3P Czas gotowości: 400ns Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 22A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,27Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 350W P...

IXYS

IXTQ22N50P

od PLN 12,83*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 500V; 9,6A; Idm: 64A; 38,5W (1 Oferta)

Producent: ONSEMI Montaż: THT Obudowa: TO220FP Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 9,6A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,38Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 38,5W Polaryzacja: uni...

onsemi

FDPF16N50T

od PLN 5,25*
za szt.

Infineon IRL7472L1 tranzystor 40 V (1 Oferta)

Infineon

IRL7472L1TRPBF

od PLN 40,44*
za 5 szt.

MOSFET N-kanałowy 4 A DPAK (TO-252) 650 V SMD 1.05 Ω (1 Oferta)

Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 4 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 650 V Typ opakowania = DPAK (TO-252) Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja...

ROHM Semiconductor

R6504KND3TL1

od PLN 2,351*
za szt.

MOSFET N-kanałowy 38 A LFPAK, SOT-669 40 V SMD Pojedynczy 28 W 17,6 miliomów (1 Oferta)

Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 38 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 40 V Typ opakowania = LFPAK, SOT-669 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 4 Maksymalna rezystancj...

onsemi

NTMYS010N04CLTWG

od PLN 5,386*
za szt.

Infineon IPSA70R1K4P7S tranzystor 700 V (1 Oferta)

Infineon

IPSA70R1K4P7SAKMA1

od PLN 92,21025*
za 75 szt.

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 500V; 7,15A; 110W; TO3PF (1 Oferta)

Producent: ONSEMI Montaż: THT Obudowa: TO3PF Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 7,15A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,32Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 110W Polaryzacja: unipo...

onsemi

FQAF16N50

od PLN 13,44*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 50V; 0,2A; 0,3W; SOT23 (1 Oferta)

Producent: DIODES INCORPORATED Montaż: SMD Obudowa: SOT23 Napięcie dren-źródło: 50V Prąd drenu: 0,2A Rezystancja w stanie przewodzenia: 3,5Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Zastosowanie: branża motoryzac...

Diodes

BSS138Q-7-F

od PLN 0,65*
za 5 szt.

MOSFET N-kanałowy 38 A PowerPAIR 3 x 3FDC 60 V SMD 0.0122 Ω, 0.0127 Ω, 0.01811 Ω, 0.01887 Ω (2 ofert)

Vishay SiZ250DT-T1-GE3 to podwójne tranzystory MOSFET o napięciu 60V (D-S).Układ mocy MOSFET TrenchFET® IV generacji Rg i UIS testowane w 100 % Zoptymalizowany stosunek QGS/QGS poprawia przełączani...

Vishay

SiZ250DT-T1-GE3

od PLN 13,44*
za 5 szt.

MOSFET N-kanałowy 39 A TO-247 650 V 0.064 Ω (2 ofert)

Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 39 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 650 V Typ opakowania = TO-247 Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źródł...

Infineon

IMW65R048M1HXKSA1

od PLN 35,422*
za szt.