 | | | | |
Fotografia | | | | Zamów |
|
|
|
MOSFET N-kanałowy 39 A TO-247-4L 650 V (1 Oferta) Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 39 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 650 V Typ opakowania = TO-247-4L Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 4 Tryb kanałowy = Rozszerzenie M... |
ROHM Semiconductor SCT3060ARC15 |
od PLN 36,995*
za szt. |
|
|
|
Infineon IPN70R1K4P7SATMA1 |
od PLN 2 191,83*
za 3 000 szt. |
|
|
MOSFET N-kanałowy 39 A TO-263-7 650 V SMD (1 Oferta) Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 39 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 650 V Typ opakowania = TO-263-7 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 7 Liczba elementów na układ = 1 |
Infineon IMBG65R057M1HXTMA1 |
od PLN 21,63*
za szt. |
|
|
MOSFET N-kanałowy 39 A TO-247-4 650 V 0.064 Ω (2 ofert) Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 39 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 650 V Typ opakowania = TO-247-4 Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 4 Maksymalna rezystancja dren-źró... |
Infineon IMZA65R048M1HXKSA1 |
od PLN 33,264*
za szt. |
|
|
|
|
od PLN 1,566*
za szt. |
|
|
|
|
od PLN 5,54*
za szt. |
|
|
|
|
od PLN 9,691*
za szt. |
|
|
MOSFET N-kanałowy 39 A TO-247-4L 650 V (1 Oferta) Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 39 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 650 V Typ opakowania = TO-247-4L Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 4 Tryb kanałowy = Rozszerzenie L... |
ROHM Semiconductor SCT3060ARHRC15 |
od PLN 33,553*
za szt. |
|
|
|
Infineon BSC007N04LS6ATMA1 |
od PLN 5,959*
za szt. |
|
|
|
|
od PLN 0,75*
za szt. |
|
|
MOSFET N-kanałowy 4 A SOT-346T 20 V SMD (1 Oferta) Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 4 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 20 V Typ opakowania = SOT-346T Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Tryb kanałowy = Rozszerzenie... |
ROHM Semiconductor RUR040N02HZGTL |
od PLN 1,537*
za szt. |
|
|
|
|
od PLN 2,838*
za szt. |
|
|
|
ST Microelectronics STP12NM50FP |
od PLN 5,88*
za szt. |
|
|
MOSFET N-kanałowy 4 A SOT-457T 45 V SMD (1 Oferta) Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 4 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 45 V Typ opakowania = SOT-457T Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 6 Tryb kanałowy = Rozszerzenie... |
ROHM Semiconductor RVQ040N05HZGTR |
od PLN 1,356*
za szt. |
|
|
MOSFET N-kanałowy 4 A ThinPAK 5 x 6 800 V SMD (1 Oferta) Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 4 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 800 V Typ opakowania = ThinPAK 5 x 6 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 5 Liczba elementów na uk... |
Infineon IPLK80R1K4P7ATMA1 |
od PLN 1,772*
za szt. |
|
|
