MOSFET kup korzystnie w Mercateo (strona 593/816)

Fotografia

Artykuł

Producent/nr

Cena

Zamów

Infineon IPP80R1K4P7 tranzystor 950 V (1 Oferta)

Infineon

IPP80R1K4P7XKSA1

od PLN 109,54*
za 50 szt.

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 500V; 80A; 1250W; TO264 (1 Oferta)

Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO264 Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 80A Rezystancja w stanie przewodzenia: 65mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 1,25kW Polaryzacja: unipolar...

IXYS

IXFK80N50Q3

od PLN 92,72*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 500V; 30A; 690W; TO268 (1 Oferta)

Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO268 Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 30A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,2Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 690W Polaryzacja: unipolarny...

IXYS

IXFT30N50Q3

od PLN 39,25*
za szt.

MOSFET N-kanałowy 4 A DPAK (TO-252) 650 V SMD 1.05 Ω (1 Oferta)

Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 4 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 650 V Typ opakowania = DPAK (TO-252) Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja...

ROHM Semiconductor

R6504END3TL1

od PLN 2,58*
za szt.

Infineon SPD04N80C3 tranzystor 900 V (1 Oferta)

Infineon

SPD04N80C3ATMA1

od PLN 6 797,975*
za 2 500 szt.

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 500V; 9A; 83W; PG-TO252-3 (1 Oferta)

Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: SMD Obudowa: PG-TO252-3 Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 9A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,399Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 83W P...

Infineon

IPD50R399CPBTMA1

od PLN 3,85*
za szt.

MOSFET N-kanałowy 4 A DPAK (TO-252) SMD Pojedynczy 60 W 1.73 Ω (1 Oferta)

Ten bardzo wysoki, N-kanałowy tranzystor Power MOSFET został zaprojektowany w oparciu o technologię MDmesh K5 opartą na innowacyjnej, zastrzeżonej strukturze pionowej. W rezultacie otrzymujemy rady...

ST Microelectronics

STD5N80K5

od PLN 2,971*
za szt.

MOSFET N-kanałowy 4,1 A TO-247AC 800 V Pojedynczy 125 W 3 omy (2 ofert)

MOSFET N-Channel, od 600 V do 1000 V, Vishay Semiconductor

Vishay

IRFPE30PBF

od PLN 4,79*
za szt.

Infineon IPS70R1K4P7S tranzystor 700 V (2 ofert)

Infineon

IPS70R1K4P7SAKMA1

od PLN 0,68*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 500V; 37,8A; 560W; MAX247 (1 Oferta)

Producent: STMicroelectronics Montaż: THT Obudowa: MAX247 Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 37,8A Rezystancja w stanie przewodzenia: 50mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 560W Polary...

ST Microelectronics

STY60NM50

od PLN 44,24*
za szt.

MOSFET N-kanałowy 4,4 A DPAK (TO-252) 850 V SMD 1.35 Ω (1 Oferta)

Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 4,4 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 850 V Typ opakowania = DPAK (TO-252) Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Maksymalna rezystanc...

Vishay

SiHD5N80AE-GE3

od PLN 3,123*
za szt.

Infineon IPN50R800CE tranzystor 650 V (2 ofert)

Infineon

IPN50R800CEATMA1

od PLN 0,83*
za szt.

MOSFET N-kanałowy 4 A TO-252 600 V SMD (2 ofert)

Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 4 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 600 V Typ opakowania = TO-252 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Tryb kanałowy = Rozszerzenie ...

ROHM Semiconductor

R6004END3TL1

od PLN 1,82*
za szt.

Infineon IPN80R1K4P7 tranzystor 800 V (2 ofert)

Infineon

IPN80R1K4P7ATMA1

od PLN 1,48*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 500V; 40A; 540W; TO247-3; 500ns (1 Oferta)

Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Czas gotowości: 0,5µs Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 40A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,17Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 540...

IXYS

IXTH40N50L2

od PLN 51,94*
za szt.

Liczba artykułów na stronie: 10 15 20 50 100

strona: Powrót 1 .. 591 592 593 594 595 596 597 598 599 600 601 .. 816 Dalej

MOSFET (12 229 ofert spośród 4 795 255 artykułów)

"MOSFET"