MOSFET kup korzystnie w Mercateo (strona 617/814)

Fotografia

Artykuł

Producent/nr

Cena

Zamów

MOSFET P-kanałowy 12,5 A TSSOP 20 V SMD 0.0098 Ω (1 Oferta)

Typ kanału = P Maksymalny ciągły prąd drenu = 12,5 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 20 V Typ opakowania = TSSOP Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Maksymalna rezystancja dren-...

Vishay

Si6423ADQ-T1-GE3

od PLN 2,135*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 60V; 0,115A; 0,2W; SOT523 (1 Oferta)

Producent: DIODES INCORPORATED Montaż: SMD Obudowa: SOT523 Napięcie dren-źródło: 60V Prąd drenu: 0,115A Rezystancja w stanie przewodzenia: 5Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 0,2W Polaryz...

Diodes

DMN66D0LT-7

od PLN 0,44*
za szt.

Infineon IPD90N04S4L-04 tranzystor 40 V (1 Oferta)

Infineon

IPD90N04S4L04ATMA1

od PLN 2,111*
za szt.

Infineon IPW60R040C7 tranzystor 600 V (2 ofert)

Infineon

IPW60R040C7XKSA1

od PLN 32,07*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 7,3A; 63W; PG-TO220-3 (1 Oferta)

Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: THT Obudowa: PG-TO220-3 Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 7,3A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,6Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 63W P...

Infineon

IPP60R600C6XKSA1

od PLN 2,73*
za szt.

Infineon IPB120P04P4L-03 tranzystor 40 V (1 Oferta)

Infineon

IPB120P04P4L03ATMA2

od PLN 7,315*
za szt.

Infineon IPD90N06S4L-03 tranzystor 40 V (1 Oferta)

Infineon

IPD90N06S4L03ATMA2

od PLN 3,634*
za szt.

MOSFET P-kanałowy 125 mA TO-243AA 400 V SMD Pojedynczy 1,6 W 30 omów (2 ofert)

W tym tranzystorze trybu wzmocnienia (normalnie wyłączonym) o niskiej wartości progowej zastosowano pionową strukturę DMOS oraz sprawdzony proces produkcji bramek krzemowych. Ta kombinacja daje urz...

Microchip Technology

TP2540N8-G

od PLN 4,29*
za szt.

MOSFET N/P-kanałowy-kanałowy 1,9 A; 2,7 A SOT-23 20 V SMD Izolacja 960 mW 130 mΩ, 270 mΩ (2 ofert)

PowerTrench® Dual N/P-Channel MOSFET, firma Fairchild Semiconductor. Tranzystory PowerTTrench® MOSFET to zoptymalizowane przełączniki mocy, które zwiększają wydajność systemu i gęstość mocy. Łączą ...

onsemi

FDC6327C

od PLN 0,658*
za szt.

MOSFET P-kanałowy 13 A D2PAK (TO-263) 150 V SMD 0.29 Ω (1 Oferta)

Typ kanału = P Maksymalny ciągły prąd drenu = 13 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 150 V Typ opakowania = D2PAK (TO-263) Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Maksymalna rezystanc...

Infineon

AUIRF6215STRL

od PLN 6 646,432*
za 800 szt.

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 60V; 0,15A; Idm: 0,8A; 0,34W (1 Oferta)

Producent: DIODES INCORPORATED Montaż: SMD Obudowa: SOT23 Napięcie dren-źródło: 60V Prąd drenu: 0,15A Rezystancja w stanie przewodzenia: 5Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 0,34W Polaryza...

Diodes

DMN67D8L-7

od PLN 2,08*
za 25 szt.

Infineon IPD90N06S4-04 tranzystor 40 V (1 Oferta)

Infineon

IPD90N06S404ATMA2

od PLN 3,592*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 5A; 70W; DPAK (1 Oferta)

Producent: STMicroelectronics Montaż: SMD Obudowa: DPAK Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 5A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,55Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 70W Polaryzacja...

ST Microelectronics

STD10NM60N

od PLN 2,35*
za szt.

MOSFET P-kanałowy 13 A DPAK (TO-252) 100 V SMD 0.205 Ω (1 Oferta)

Tranzystor Infineon p MOSFET wykorzystuje najnowsze techniki przetwarzania, aby osiągnąć niski opór w każdym obszarze krzemu. Ta korzyść w połączeniu z dużą prędkością przełączania i wzmocnionej ko...

Infineon

AUIRFR5410TRL

od PLN 16 181,73*
za 3 000 szt.

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 60V; 0,17A; 0,31W; SOT23,TO236AB (1 Oferta)

Producent: NEXPERIA Montaż: SMD Obudowa: SOT23;TO236AB Napięcie dren-źródło: 60V Prąd drenu: 0,17A Rezystancja w stanie przewodzenia: 3,5Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 0,31W Polaryzac...

Nexperia

NX138BKR

od PLN 0,52*
za 5 szt.

Liczba artykułów na stronie: 10 15 20 50 100

strona: Powrót 1 .. 611 612 613 614 615 616 617 618 619 620 621 .. 814 Dalej

MOSFET (12 209 ofert spośród 4 794 927 artykułów)

"MOSFET"