Kategorie
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 
 >  >  >  >  > MOSFET

  MOSFET  (12 209 ofert spośród 4 794 927 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „MOSFET“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"MOSFET"

Pojęcia nadrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Zamów
Powrót
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 700mA; 39W; DPAK (1 Oferta) 
Producent: TAIWAN SEMICONDUCTOR Montaż: SMD Obudowa: DPAK Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 0,7A Rezystancja w stanie przewodzenia: 10Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 39W Polaryzac...
Taiwan Semiconductor
TSM1NB60CP ROG
od PLN 1,57*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 4,4A; 125W; D2PAK (1 Oferta) 
Producent: STMicroelectronics Montaż: SMD Obudowa: D2PAK Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 4,4A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,95Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 125W Polaryz...
ST Microelectronics
STB9NK60ZT4
od PLN 2,44*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 9 A TO-220FM 800 V SMD 0.6 Ω (2 ofert) 
Tranzystor MOSFET z zasilaniem ROHM ma TYP OPAKOWANIA TO-220FM. Jest on używany głównie do przełączania.Niska rezystancja w stanie włączenia Szybkie przełączanie Ułatwienie pracy równoległej Bez Pb...
ROHM Semiconductor
R8009KNXC7G
od PLN 8,479*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 30A; 219W; PG-TO220-3 (1 Oferta) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: THT Obudowa: PG-TO220-3 Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 30A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,125Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 219W...
Infineon
IPP60R125C6XKSA1
od PLN 18,98*
za szt.
 
 szt.
Infineon
IPD60R280CFD7ATMA1
od PLN 9 293,85*
za 2 500 szt.
 
 opakowanie
MOSFET P-kanałowy 1,65 A TSOP-6 20 V SMD Pojedynczy 2 W 135 mΩ (1 Oferta) 
P-Channel Power MOSFET, 20V, ON Semiconductor
onsemi
NTGS3441T1G
od PLN 1 779,48*
za 3 000 szt.
 
 opakowanie
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 30A; 34W; TO220FP (2 ofert) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: THT Obudowa: TO220FP Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 30A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,125Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 34W Pol...
Infineon
IPA60R125C6XKSA1
od PLN 17,72*
za szt.
 
 szt.
MOSFET P-kanałowy 1,9 A SOT-23 20 V SMD Izolacja 960 mW 270 miliomów (1 Oferta) 
PowerTrench® Dual P-Channel MOSFET, firma Fairchild Semiconductor. Tranzystory PowerTTrench® MOSFET to zoptymalizowane przełączniki mocy, które zwiększają wydajność systemu i gęstość mocy. Łączą on...
onsemi
FDC6306P
od PLN 7,45*
za 10 szt.
 
 opakowanie
MOSFET P-kanałowy 10 A DPAK (TO-252) 60 V SMD 0.84 Ω (2 ofert) 
Typ kanału = P Maksymalny ciągły prąd drenu = 10 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 60 V Typ opakowania = DPAK (TO-252) Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja...
ROHM Semiconductor
RD3L01BATTL1
od PLN 1,41*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 46A; 520W; TO247AC (1 Oferta) 
Producent: VISHAY Montaż: THT Obudowa: TO247AC Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 46A Rezystancja w stanie przewodzenia: 39mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 520W Polaryzacja: unipol...
Vishay
SIHG73N60E-GE3
od PLN 37,87*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 6,3A; 90W; DPAK (1 Oferta) 
Producent: STMicroelectronics Montaż: SMD Obudowa: DPAK Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 6,3A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,45Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 90W Polaryzac...
ST Microelectronics
STD11NM60ND
od PLN 5,08*
za szt.
 
 szt.
MOSFET P-kanałowy 10 A SC-70-6L 30 V SMD Pojedynczy 13,6 W 30 mΩ (1 Oferta) 
Typ kanału = P Maksymalny ciągły prąd drenu = 10 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 30 V Typ opakowania = SC-70-6L Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 6 Maksymalna rezystancja dren...
Vishay
SQA403EJ-T1_GE3
od PLN 3,52*
za 5 szt.
 
 opakowania
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 31A; 255W; PG-TO220-3-1 (1 Oferta) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: THT Obudowa: PG-TO220-3-1 Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 31A Rezystancja w stanie przewodzenia: 99mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 255W...
Infineon
IPP60R099CPXKSA1
od PLN 23,68*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 9,5 A SO-8 80 V SMD 0.022 O. (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 9,5 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 80 V Typ opakowania = SO-8 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Maksymalna rezystancja dren-źr...
Vishay
SI4896DY-T1-E3
od PLN 9 723,55*
za 2 500 szt.
 
 opakowanie
Infineon
IPL60R065P7AUMA1
od PLN 13,868*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   611   612   613   614   615   616   617   618   619   620   621   ..   814   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.