MOSFET kup korzystnie w Mercateo (strona 618/814)

Fotografia

Artykuł

Producent/nr

Cena

Zamów

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 47A; 417W; TO247 (1 Oferta)

Producent: ONSEMI Montaż: THT Obudowa: TO247 Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 47A Rezystancja w stanie przewodzenia: 70mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 417W Polaryzacja: unipolar...

onsemi

FCH47N60-F133

od PLN 35,73*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 6,93A; 90W; DPAK (1 Oferta)

Producent: STMicroelectronics Montaż: SMD Obudowa: DPAK Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 6,93A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,36Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 90W Polaryza...

ST Microelectronics

STD13NM60N

od PLN 3,64*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 7A; 110W; DPAK (1 Oferta)

Producent: STMicroelectronics Montaż: SMD Obudowa: DPAK Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 7A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,38Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 110W Polaryzacj...

ST Microelectronics

STD13N60M2

od PLN 4,08*
za szt.

Infineon AUIRFR6215 tranzystor 150 V (1 Oferta)

Infineon

AUIRFR6215TRL

od PLN 15 761,52*
za 3 000 szt.

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 60V; 0,19A; 0,18W; SC70 (1 Oferta)

Producent: VISHAY Montaż: SMD Obudowa: SC70 Napięcie dren-źródło: 60V Prąd drenu: 0,19A Rezystancja w stanie przewodzenia: 2,5Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 0,18W Polaryzacja: unipola...

Vishay

SI1330EDL-T1-E3

od PLN 1,08*
za szt.

MOSFET P-kanałowy 13,7 A MLPAK33 20 V SMD (1 Oferta)

Typ kanału = P Maksymalny ciągły prąd drenu = 13,7 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 20 V Typ opakowania = MLPAK33 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8

Nexperia

PXP018-20QXJ

od PLN 0,786*
za szt.

MOSFET N-kanałowy 92 A TSON 40 V SMD Pojedynczy 86 W 6 mΩ (1 Oferta)

Przetwornice DC-DC o wysokiej wydajności Regulatory napięcia przełączania Sterowniki silników Wysoka prędkość przełączania Niski ładunek bramki: QSW = 8,1 nC (typowo) Niski ładunek na wyjściu: Qoss...

Toshiba

TPN3R704PL

od PLN 13 188,25*
za 5 000 szt.

MOSFET N/P-kanałowy-kanałowy 250 mA, 880 mA SOT-363 20 V, 30 V SMD Izolacja 270 mW 2.5 Ω, 500 mΩ (1 Oferta)

Podwójny MOSFET N/P-Channel, ON Semiconductor. NTJD1155L jest dwukanałowym MOSFET. MOSFET, wyposażony zarówno w kanały P, jak i N w jeden pakiet, jest doskonały do niskiego sygnału kontrolnego, nis...

onsemi

NTJD4158CT1G

od PLN 2,30*
za 5 szt.

MOSFET N-kanałowy 93 A DFN 120 V SMD 0.006 Ω (1 Oferta)

Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 93 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 120 V Typ opakowania = DFN Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 5 Maksymalna rezystancja dren-źró...

onsemi

NTMFS006N12MCT1G

od PLN 5,416*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 8,5A; 160W; D2PAK (1 Oferta)

Producent: STMicroelectronics Montaż: SMD Obudowa: D2PAK Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 8,5A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,5Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 160W Polaryza...

ST Microelectronics

STB14NK60ZT4

od PLN 5,00*
za szt.

MOSFET P-kanałowy 14 A WDFN 60 V SMD Pojedynczy 21 W 72 miliomy (2 ofert)

Typ kanału = P Maksymalny ciągły prąd drenu = 14 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 60 V Typ opakowania = WDFN Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Maksymalna rezystancja dren-źró...

onsemi

NVTFS5116PLTAG

od PLN 1,345*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 50A; 1040W; TO3P (1 Oferta)

Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO3P Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 50A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,16Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 1,04kW Polaryzacja: unipolar...

IXYS

IXFQ50N60P3

od PLN 24,09*
za szt.

MOSFET P-kanałowy 14,9 A SO-8 30 V SMD 0.0205 O. (2 ofert)

Typ kanału = P Maksymalny ciągły prąd drenu = 14,9 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 30 V Typ opakowania = SO-8 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Maksymalna rezystancja dren-ź...

Vishay

SI4825DDY-T1-GE3

od PLN 1,274*
za szt.

MOSFET N-kanałowy 95 A HSMT8 40 V SMD (1 Oferta)

Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 95 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 40 V Typ opakowania = HSMT8 Typ montażu = Montaż powierzchniowy

ROHM Semiconductor

RH6G040BGTB1

od PLN 3,037*
za szt.

MOSFET P-kanałowy 14.7 A MLPAK33 30 V SMD (1 Oferta)

Typ kanału = P Maksymalny ciągły prąd drenu = 14.7 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 30 V Typ opakowania = MLPAK33 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8

Nexperia

PXP013-30QLJ

od PLN 3,92*
za 5 szt.

Liczba artykułów na stronie: 10 15 20 50 100

strona: Powrót 1 .. 611 612 613 614 615 616 617 618 619 620 621 .. 814 Dalej

MOSFET (12 209 ofert spośród 4 794 860 artykułów)

"MOSFET"