Kategorie
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 
 >  >  >  >  > MOSFET

  MOSFET  (12 209 ofert spośród 4 794 868 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „MOSFET“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"MOSFET"

Pojęcia nadrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Zamów
Powrót
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 60V; 0,3A; 0,38W; SOT23 (1 Oferta) 
Producent: DIODES INCORPORATED Montaż: SMD Obudowa: SOT23 Napięcie dren-źródło: 60V Prąd drenu: 0,3A Rezystancja w stanie przewodzenia: 3Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 0,38W Polaryzac...
Diodes
DMN62D0U-7
od PLN 0,129*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 98 A LFPAK56D 40 V SMD (2 ofert) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 98 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 40 V Typ opakowania = LFPAK56D Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Liczba elementów na układ = 2
Nexperia
PSMN4R2-40VSHX
od PLN 5,16*
za szt.
 
 szt.
MOSFET NPN-kanałowy 30 A, 30 A, 20 A Potrójny Die 200 (kanał 3) V 40 (kanał 1) V 40 (2) V SMD Wspólny dren 48 W, 48 W, (1 Oferta) 
Motoryzacja 40 V N- i P-kanałowe wspólny spust pary MOSFET i 200 V N-kanałowych tranzystorów MOSFET.Zoptymalizowane potrójny zestaw tłoczników Układ MOSFET zasilania TrenchFET®
Vishay
SQUN702E-T1_GE3
od PLN 5,621*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 7A; 30W; SC67 (1 Oferta) 
Producent: TOSHIBA Montaż: THT Obudowa: SC67 Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 7A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,6Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 30W Polaryzacja: unipolarny...
Toshiba
TK7A60W,S4VX(M
od PLN 3,70*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 8,1A; 66W; PG-TO220-3 (1 Oferta) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: THT Obudowa: PG-TO220-3 Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 8,1A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,52Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 66W ...
Infineon
IPP60R520E6XKSA1
od PLN 2,91*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 60V; 0,15A; Idm: 0,8A (1 Oferta) 
Producent: NEXPERIA Montaż: SMD Obudowa: SC70;SOT323 Napięcie dren-źródło: 60V Prąd drenu: 0,15A Rezystancja w stanie przewodzenia: 5,7Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Polaryzacja: unipolarny Rodzaj opa...
Nexperia
NX7002BKWX
od PLN 0,515*
za 5 szt.
 
 opakowania
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 7,6A; 93W; PG-TO247-3 (1 Oferta) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: THT Obudowa: PG-TO247-3 Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 7,6A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,33Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 93W ...
Infineon
IPW60R330P6FKSA1
od PLN 4,58*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 8,2A; 150W; D2PAK (1 Oferta) 
Producent: STMicroelectronics Montaż: SMD Obudowa: D2PAK Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 8,2A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,55Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 150W Polaryz...
ST Microelectronics
STB13NK60ZT4
od PLN 4,60*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 60V; 0,16A; 0,36W; SOT23 (2 ofert) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: SMD Obudowa: SOT23 Napięcie dren-źródło: 60V Prąd drenu: 0,16A Rezystancja w stanie przewodzenia: 5Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 0,36W Polary...
Infineon
SN7002NH6433XTMA1
od PLN 0,93*
za 5 szt.
 
 opakowania
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 60V; 0,5A; SOT23-3 (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP TECHNOLOGY Montaż: SMD Obudowa: SOT23-3 Napięcie dren-źródło: 60V Rezystancja w stanie przewodzenia: 7,5Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Polaryzacja: unipolarny Rodzaj kanału: wzbog...
Microchip Technology
2N7002-G
od PLN 1,75*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 70mA; Idm: 0,2A; 1,1W; SOT23 (1 Oferta) 
Producent: DIODES INCORPORATED Montaż: SMD Obudowa: SOT23 Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 70mA Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,29Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 1,1W Polary...
Diodes
DMN60H080DS-7
od PLN 1,47*
za 5 szt.
 
 opakowanie
Infineon
IPA60R650CEXKSA1
od PLN 3,16*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 99 A TO-247 650 V (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 99 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 650 V Typ opakowania = TO-247 Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 3
onsemi
NTHL025N065SC1
od PLN 80,016*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy PowerPAK SO-8L 40 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalne napięcie dren-źródło = 40 V Typ opakowania = PowerPAK SO-8L Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 4 Liczba elementów na układ = 1
Vishay
SQJB46ELP-T1_GE3
od PLN 2,715*
za szt.
 
 szt.
MOSFET P-kanałowy 1,65 A TSOP-6 20 V SMD Pojedynczy 2 W 135 miliomów (2 ofert) 
P-Channel Power MOSFET, 20V, ON Semiconductor
onsemi
NTGS3441T1G
od PLN 0,601*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   611   612   613   614   615   616   617   618   619   620   621   ..   814   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.