 | | | | |
Fotografia | | | | Zamów |
|
|
|
MOSFET N-kanałowy TO-92 60 V (2 ofert) Typ kanału = N Maksymalne napięcie dren-źródło = 60 V Typ opakowania = TO-92 Typ montażu = Otwór przezierny |
Microchip Technology VN0106N3-G |
od PLN 1,90*
za szt. |
|
|
|
|
od PLN 1,426*
za szt. |
|
|
|
|
od PLN 1,47*
za szt. |
|
|
|
|
od PLN 3,28*
za szt. |
|
|
|
|
od PLN 37 525,28*
za 4 000 szt. |
|
|
|
|
od PLN 3,01*
za szt. |
|
|
MOSFET N-kanałowy 60 A HSOP8 100 V SMD (1 Oferta) Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 60 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 100 V Typ opakowania = HSOP8 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 |
ROHM Semiconductor RS1P600BHTB1 |
od PLN 4,57*
za szt. |
|
|
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 620V; 2A; 70W; DPAK (1 Oferta) Producent: STMicroelectronics Montaż: SMD Obudowa: DPAK Napięcie dren-źródło: 620V Prąd drenu: 2A Rezystancja w stanie przewodzenia: 2Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 70W Polaryzacja: u... |
ST Microelectronics STD4N62K3 |
od PLN 1,23*
za szt. |
|
|
MOSFET N-kanałowy 6 A TO-263-7 650 V SMD (1 Oferta) Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 6 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 650 V Typ opakowania = TO-263-7 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 7 Liczba elementów na układ = 1 |
Infineon IMBG65R260M1HXTMA1 |
od PLN 9,795*
za szt. |
|
|
|
Infineon IPD65R660CFDAATMA1 |
od PLN 4,166*
za szt. |
|
|
|
|
od PLN 41 346,16*
za 4 000 szt. |
|
|
|
|
od PLN 3,48*
za szt. |
|
|
|
|
od PLN 2,31*
za szt. |
|
|
|
|
od PLN 2,86*
za szt. |
|
|
|
|
od PLN 4,97*
za szt. |
|
|
