Kategorie
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 
 >  >  >  >  > MOSFET

  MOSFET  (12 237 ofert spośród 4 633 390 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „MOSFET“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"MOSFET"

Pojęcia nadrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Zamów
Powrót
MOSFET N-kanałowy 63 A TO-247-4 1200 V Pojedynczy 283 W 32 miliomy (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 63 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 1200 V Typ opakowania = TO-247-4 Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 4 Maksymalna rezystancja dren-źr...
Wolfspeed
C3M0032120K
od PLN 135,251*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 650V; 5,8A; Idm: 23,2A; 30W (1 Oferta) 
Producent: TOSHIBA Montaż: THT Obudowa: TO220FP Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 5,8A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,85Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 30W Polaryzacja: unip...
Toshiba
TK6A65W,S5X(M
od PLN 3,37*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 7 A DPAK (TO-252) 650 V SMD 0.665 Ω (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 7 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 650 V Typ opakowania = DPAK (TO-252) Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja...
ROHM Semiconductor
R6507KND3TL1
od PLN 2,82*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 650V; 13,8A; 104W; PG-TO220-3 (1 Oferta) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: THT Obudowa: PG-TO220-3 Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 13,8A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,28Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 104...
Infineon
IPP65R280E6XKSA1
od PLN 5,01*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 65 A TSON 60 V SMD Pojedynczy 30 W 41 mΩ (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 65 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 60 V Typ opakowania = TSON Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Maksymalna rezystancja dren-źró...
Toshiba
TPN14006NH,L1Q(M
od PLN 1,386*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 63 A TO-263-7 650 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 63 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 650 V Typ opakowania = TO-263-7 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 7 Liczba elementów na układ = 1
Infineon
IMBG65R030M1HXTMA1
od PLN 36,093*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 65 A TO-247 650 V Pojedynczy 446 W 40 miliomów (2 ofert) 
SUPERFET III MOSFET marki ON Semiconductor to zupełnie nowa rodzina elementów MOSFET SJ wysokiego napięcia, która korzysta z technologii równoważenia obciążenia, aby zapewnić doskonałą rezystancję ...
onsemi
NTHL040N65S3HF
od PLN 35,85*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 650V; 11,4A; 32W; TO220FP (1 Oferta) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: THT Obudowa: TO220FP Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 11,4A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,31Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 32W Po...
Infineon
IPA65R310CFDXKSA1
od PLN 4,99*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 7 A DPAK (TO-252) SMD Pojedynczy 70 W 600 miliomów (2 ofert) 
N-kanałowy zestaw do mikroelektroniki MDmesh™ serii M5 STMicroelectronics. Tranzystory zasilające MOSFET MDmesh M5 są zoptymalizowane pod kątem topologii wysokoenergetycznych PFC i PWM. Główne cech...
ST Microelectronics
STD8N65M5
od PLN 4,709*
za szt.
 
 szt.
Infineon
IPW65R048CFDAFKSA1
od PLN 37,20*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 65 A TO-252 40 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 65 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 40 V Typ opakowania = TO-252 Typ montażu = Montaż powierzchniowy
ROHM Semiconductor
RD3G03BBGTL1
od PLN 2,539*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 7 A HUML2020L8 60 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 7 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 60 V Typ opakowania = HUML2020L8 Typ montażu = Montaż powierzchniowy
ROHM Semiconductor
RF4L070BGTCR
od PLN 1,329*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 66 A PowerPAK SO-8L 40 V SMD 0.0068 Ω (1 Oferta) 
Vishay Automotive N-Channel 40 V (D-S) 175 °C MOSFET posiada pakiet typu PowerPAK SO-8L o prądzie spustowym 66 A.Tranzystor MOSFET TrenchFET Gen IV Kwalifikacja AEC-Q101 100 % badanych RG i UIS Prz...
Vishay
SQJ150EP-T1_GE3
od PLN 1,232*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 65,8 A. PowerPAK SO-8 100 V SMD 0.008 Ω, 0.009 Ω (2 ofert) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 65,8 A. Maksymalne napięcie dren-źródło = 100 V Typ opakowania = PowerPAK SO-8 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Maksymalna rezysta...
Vishay
SiR106ADP-T1-RE3
od PLN 17,84*
za 5 szt.
 
 opakowania
MOSFET N-kanałowy 7 A SO-8 60 V SMD 0.04 Ω (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 7 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 60 V Typ opakowania = SO-8 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Maksymalna rezystancja dren-źród...
Vishay
SQ4946CEY-T1_GE3
od PLN 8,42*
za 5 szt.
 
 opakowania
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   631   632   633   634   635   636   637   638   639   640   641   ..   816   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.