MOSFET kup korzystnie w Mercateo (strona 633/814)

Fotografia

Artykuł

Producent/nr

Cena

Zamów

MOSFET N-kanałowy 63.7 A PowerPAK SO-8 100 V SMD (2 ofert)

Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 63.7 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 100 V Typ opakowania = PowerPAK SO-8 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8

Vishay

SiR516DP-T1-RE3

od PLN 3,56*
za szt.

Infineon IRF6674 tranzystor 25 V (2 ofert)

Infineon

IRF6674TRPBF

od PLN 23 311,536*
za 4 800 szt.

MOSFET N-kanałowy 60 A PowerPAK SO-8L 40 V SMD Pojedynczy 68 W 6,7 milioma (1 Oferta)

Motoryzacja N-kanałowy 40 V (D-S) 175 °C TRANZYSTOR MOSFET.Układ MOSFET zasilania TrenchFET®

Vishay

SQJA38EP-T1_GE3

od PLN 1,44*
za szt.

Infineon IPP093N06N3 G tranzystor 60 V (1 Oferta)

Infineon

IPP093N06N3GXKSA1

od PLN 2,85*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 650V; 20,7A; 208W; PG-TO263-3 (1 Oferta)

Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: SMD Obudowa: PG-TO263-3 Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 20,7A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,19Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 208...

Infineon

SPB20N60C3

od PLN 9,98*
za szt.

MOSFET N-kanałowy 60 A PowerPAK 1212-8 40 V SMD Pojedynczy 65,7 W 2 mΩ (1 Oferta)

Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 60 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 40 V Typ opakowania = PowerPAK 1212-8 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Maksymalna rezystanc...

Vishay

SiSS12DN-T1-GE3

od PLN 5 194,44*
za 3 000 szt.

Infineon IPB090N06N3 G tranzystor 55 V (1 Oferta)

Infineon

IPB090N06N3GATMA1

od PLN 2,20*
za szt.

Infineon BSZ084N08NS5 tranzystor 80 V (2 ofert)

Infineon

BSZ084N08NS5ATMA1

od PLN 2,20*
za szt.

MOSFET N-kanałowy 60 A SuperSO8 5 x 6 40 V SMD (1 Oferta)

Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 60 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 40 V Typ opakowania = SuperSO8 5 x 6 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8

Infineon

IAUC60N04S6L030HATMA1

od PLN 3,018*
za szt.

MOSFET N-kanałowy 60 A PowerPAK 1212-8SCD 25 V SMD Wspólny dren 69,4 W 5 miliomów (2 ofert)

Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 60 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 25 V Typ opakowania = PowerPAK 1212-8SCD Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Maksymalna rezyst...

Vishay

SISF02DN-T1-GE3

od PLN 3,39*
za szt.

MOSFET N-kanałowy 64 A PQFN 3 x 3 80 V SMD 0.0078 O, 0.0099 O. (1 Oferta)

Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 64 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 80 V Typ opakowania = PQFN 3 x 3 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Maksymalna rezystancja dr...

Infineon

ISZ0602NLSATMA1

od PLN 2,027*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 60V; 75A; 230W; D2PAK,SOT404 (1 Oferta)

Producent: NEXPERIA Montaż: SMD Obudowa: D2PAK;SOT404 Napięcie dren-źródło: 60V Prąd drenu: 75A Rezystancja w stanie przewodzenia: 3,6mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 230W Polaryzacja:...

Nexperia

PSMN004-60B,118

od PLN 7,66*
za szt.

MOSFET N-kanałowy 60 A SuperSO8 5 x 6 40 V SMD (1 Oferta)

Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 60 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 40 V Typ opakowania = SuperSO8 5 x 6 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8

Infineon

IAUC60N04S6N050HATMA1

od PLN 2,421*
za szt.

MOSFET N-kanałowy 60 A HSOP8 100 V SMD (1 Oferta)

Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 60 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 100 V Typ opakowania = HSOP8 Typ montażu = Montaż powierzchniowy

ROHM Semiconductor

RS6P060BHTB1

od PLN 3,85*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 60V; 6,8A; 3,2W; SO8 (1 Oferta)

Producent: VISHAY Montaż: SMD Obudowa: SO8 Napięcie dren-źródło: 60V Prąd drenu: 6,8A Rezystancja w stanie przewodzenia: 36mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 3,2W Polaryzacja: unipolarny...

Vishay

SI4436DY-T1-GE3

od PLN 1,59*
za szt.

Liczba artykułów na stronie: 10 15 20 50 100

strona: Powrót 1 .. 631 632 633 634 635 636 637 638 639 640 641 .. 814 Dalej

MOSFET (12 206 ofert spośród 4 626 073 artykułów)

"MOSFET"