Kategorie
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 
 >  >  >  >  > MOSFET

  MOSFET  (12 237 ofert spośród 4 634 600 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „MOSFET“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"MOSFET"

Pojęcia nadrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Zamów
Powrót
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 60V; 80A; 242W; D2PAK (1 Oferta) 
Producent: ONSEMI Montaż: SMD Obudowa: D2PAK Napięcie dren-źródło: 60V Prąd drenu: 80A Rezystancja w stanie przewodzenia: 12,6mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 242W Polaryzacja: unipola...
onsemi
FDB5800
od PLN 7,60*
za szt.
 
 szt.
Infineon
IPI65R380C6XKSA1
od PLN 4,01*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 63 A PowerPAK 1212-8S 80 V SMD 0.0061 Ω (2 ofert) 
Tranzystor Vishay N-Channel 80 V (D-S) MOSFET posiada pakiet PowerPAK 1212-8S o prądzie spustowym 63 A.Tranzystor MOSFET TrenchFET Gen IV Bardzo niska wartość FOM RDS-Qg Optymalizacja pod kątem naj...
Vishay
SiSS32ADN-T1-GE3
od PLN 3,534*
za szt.
 
 szt.
Infineon
IPA032N06N3GXKSA1
od PLN 7,11*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 650V; 11,4A; 104,2W; PG-TO220-3 (1 Oferta) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: THT Obudowa: PG-TO220-3 Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 11,4A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,31Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 104...
Infineon
IPP65R310CFDXKSA1
od PLN 4,99*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 620V; 2,7A; 45W; DPAK (1 Oferta) 
Producent: STMicroelectronics Montaż: SMD Obudowa: DPAK Napięcie dren-źródło: 620V Prąd drenu: 2,7A Rezystancja w stanie przewodzenia: 2,5Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 45W Polaryzacj...
ST Microelectronics
STD3N62K3
od PLN 1,53*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 62 A TO-247-4 650 V 0.04 Ω (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 62 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 650 V Typ opakowania = TO-247-4 Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 4 Maksymalna rezystancja dren-źró...
onsemi
NTH4LN040N65S3H
od PLN 41,555*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 69,4 A PowerPAK 1212-8 60 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 69,4 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 60 V Typ opakowania = PowerPAK 1212-8 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Tryb kanałowy = Ro...
Vishay
SIS184LDN-T1-GE3
od PLN 2,97*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 650V; 11A; 63W; PG-TO263-3 (1 Oferta) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: SMD Obudowa: PG-TO263-3 Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 11A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,225Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 63W ...
Infineon
IPB65R225C7ATMA1
od PLN 6,20*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 69.3 A PowerPAIR 3 x 3S 30 V SMD 0.00856 Ω (2 ofert) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 69.3 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 30 V Seria = TrenchFET Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Maksymalna rezystancja dren-źródł...
Vishay
SiZ340BDT-T1-GE3
od PLN 1,143*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 650V; 10,6A; 31W; TO220FP (1 Oferta) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: THT Obudowa: TO220FP Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 10,6A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,38Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 31W Po...
Infineon
IPA65R380C6XKSA1
od PLN 4,21*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 650V; 12A; 180W; TO220AB; 270ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO220AB Czas gotowości: 270ns Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 12A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,3Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 180W...
IXYS
IXTP12N65X2
od PLN 7,89*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 63 A TDSON-8 FL 40 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 63 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 40 V Typ opakowania = TDSON-8 FL Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Liczba elementów na układ...
Infineon
ISC058N04NM5ATMA1
od PLN 1,744*
za szt.
 
 szt.
Infineon
BSC065N06LS5ATMA1
od PLN 11,045*
za 5 szt.
 
 opakowania
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 650V; 12A; 180W; TO263; 270ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO263 Czas gotowości: 270ns Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 12A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,3Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 180W P...
IXYS
IXTA12N65X2
od PLN 8,23*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   631   632   633   634   635   636   637   638   639   640   641   ..   816   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.