Kategorie
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 
 >  >  >  >  > MOSFET

  MOSFET  (21 583 ofert spośród 4 767 778 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „MOSFET“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"MOSFET"

Pojęcia nadrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Zamów
Powrót
MOSFET N-kanałowy 430 A PowerPAK 8 x 8LR 80 V SMD (2 ofert) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 430 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 80 V Typ opakowania = PowerPAK 8 x 8LR Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Liczba elementów n...
Vishay
SQJQ184E-T1_GE3
od PLN 54,00*
za 5 szt.
 
 opakowania
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 11A; Idm: 44A; 25W; TO220FP (1 Oferta) 
Producent: STMicroelectronics Montaż: THT Obudowa: TO220FP Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 11A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,36Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 25W Polaryz...
ST Microelectronics
STF13NM60ND
od PLN 8,44*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 1,8A; Idm: 12A; 75W; TO220AB (1 Oferta) 
Producent: ONSEMI Montaż: THT Obudowa: TO220AB Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 1,8A Rezystancja w stanie przewodzenia: 3,4Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 75W Polaryzacja: unipol...
onsemi
FQP3N60C
od PLN 2,78*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 433 A TDSON 30 V SMD 0.0055 Ω (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 433 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 30 V Seria = OptiMOS Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Maksymalna rezystancja dren-źródło =...
Infineon
BSC005N03LS5IATMA1
od PLN 7,218*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 40 A TSDSON 40 V SMD Pojedynczy 35 W 14,2 milioma (1 Oferta) 
Infineon tranzystory zasilające MOSFET OptiMOS™3, do 40. Produkty OptiMOS™ są dostępne w pakietach o wysokiej wydajności, które pozwalają sprostać najbardziej wymagającym zastosowaniom, zapewniając...
Infineon
BSZ097N04LSGATMA1
od PLN 8,02*
za 5 szt.
 
 opakowanie
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 11A; 96W; PG-TO220-3 (1 Oferta) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: THT Obudowa: PG-TO220-3 Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 11A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,299Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 96W ...
Infineon
IPP60R299CPXKSA1
od PLN 9,60*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 430 A PowerPAK SO-8 20 V SMD 0.00031 Ω (2 ofert) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 430 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 20 V Typ opakowania = PowerPAK SO-8 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Maksymalna rezystancj...
Vishay
SIR178DP-T1-RE3
od PLN 19,52*
za 5 szt.
 
 opakowania
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 12,5A; Idm: 60A; 39W (1 Oferta) 
Producent: ONSEMI Montaż: THT Obudowa: TO220FP Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 12,5A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,19Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 39W Polaryzacja: unip...
onsemi
FCPF20N60
od PLN 13,69*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 42,8 A PowerPAK SO-8 60 V SMD (2 ofert) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 42,8 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 60 V Typ opakowania = PowerPAK SO-8 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8
Vishay
SIR4608DP-T1-GE3
od PLN 2,37*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 44 A D2-Pak 200 V (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 44 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 200 V Typ opakowania = D2-Pak Typ montażu = Otwór przezierny
Infineon
IRFS38N20DTRLP
od PLN 8,942*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 40 A TSDSON-8 FL 100 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 40 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 100 V Typ opakowania = TSDSON-8 FL Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Liczba elementów na ukł...
Infineon
BSZ0804LSATMA1
od PLN 12 905,40*
za 5 000 szt.
 
 opakowanie
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 12,5A; Idm: 60A; 208W; TO3PN (1 Oferta) 
Producent: ONSEMI Montaż: THT Obudowa: TO3PN Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 12,5A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,19Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 208W Polaryzacja: unipo...
onsemi
FCA20N60
od PLN 9,63*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 433 A DFNW8 40 V SMD Pojedynczy 205 W 630 μΩ (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 433 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 40 V Typ opakowania = DFNW8 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Maksymalna rezystancja dren-ź...
onsemi
NVMTS0D7N04CLTXG
od PLN 22,409*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 12A; 104W; PG-TO262-3 (1 Oferta) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: THT Obudowa: PG-TO262-3 Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 12A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,25Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 104W ...
Infineon
IPI60R250CPAKSA1
od PLN 7,54*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 42.3 A PowerPAK 1212-8 70 V SMD 0.0109 Ω (2 ofert) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 42.3 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 70 V Seria = TrenchFET Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Maksymalna rezystancja dren-źródł...
Vishay
SiS176LDN-T1-GE3
od PLN 1,503*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   771   772   773   774   775   776   777   778   779   780   781   ..   1439   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.