Kategorie
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 
 >  >  >  >  > MOSFET

  MOSFET  (21 581 ofert spośród 4 766 790 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „MOSFET“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"MOSFET"

Pojęcia nadrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Zamów
Powrót
MOSFET N-kanałowy 410 A SOT1235 50 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 410 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 50 V Typ opakowania = SOT1235 Typ montażu = Montaż powierzchniowy
Nexperia
PSMNR90-50SLH
od PLN 17,615*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 15,8A; 130W; TO247-3 (1 Oferta) 
Producent: TOSHIBA Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 15,8A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,19Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 130W Polaryzacja: un...
Toshiba
TK16N60W,S1VF(S
od PLN 8,81*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 45 A DO-263S 200 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 45 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 200 V Typ opakowania = DO-263S Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Liczba elementów na układ = 1
ROHM Semiconductor
RCJ451N20TL
od PLN 6,04*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 16A; 139W; PG-TO263-3 (1 Oferta) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: SMD Obudowa: PG-TO263-3 Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 16A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,199Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 139W...
Infineon
IPB60R199CPATMA1
od PLN 7,68*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 437 A PowerPAK 8 x 8L 30 V SMD 0.002 Ω (1 Oferta) 
Firma Vishay Siliconix utrzymuje dane dotyczące niezawodności technologii półprzewodników i niezawodności pakietów, co stanowi złożony materiał wszystkich wykwalifikowanych lokalizacji.Kwalifikacja...
Vishay
SQJ128ELP-T1_GE3
od PLN 11 408,67*
za 3 000 szt.
 
 opakowanie
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 13,1A; 208W; PG-TO247-3 (1 Oferta) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: THT Obudowa: PG-TO247-3 Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 13,1A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,19Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 208...
Infineon
SPW20N60C3
od PLN 13,92*
za szt.
 
 szt.
Infineon
IPI45N06S409AKSA2
od PLN 191,31*
za 50 szt.
 
 opakowanie
MOSFET N-kanałowy 415 A PowerPAK SO-8DC 25 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 415 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 25 V Typ opakowania = PowerPAK SO-8DC Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8
Vishay
SiDR220EP-T1-RE3
od PLN 10,744*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 15A; 62,5W; TO220FP (1 Oferta) 
Producent: TAIWAN SEMICONDUCTOR Montaż: THT Obudowa: TO220FP Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 15A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,15Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 62,5W Pol...
Taiwan Semiconductor
TSM60NB150CF C0G
od PLN 10,75*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 45 A DPAK (TO-252) 80 V SMD 0.0135 Ω (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 45 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 80 V Seria = OptiMOS(TM)3 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źród...
Infineon
IPD135N08N3GATMA1
od PLN 2,442*
za szt.
 
 szt.
Infineon
IPZA60R120P7XKSA1
od PLN 11,45*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 44 A HSOF-8 600 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 44 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 600 V Typ opakowania = HSOF-8 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Liczba elementów na układ = 1
Infineon
IPT60R055CFD7XTMA1
od PLN 14,597*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 13,8A; 104W; PG-TO247-3 (1 Oferta) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: THT Obudowa: PG-TO247-3 Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 13,8A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,28Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 104...
Infineon
IPW60R280C6FKSA1
od PLN 6,50*
za szt.
 
 szt.
Infineon
IPA060N06NXKSA1
od PLN 198,95*
za 50 szt.
 
 opakowanie
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 21A; 189W; PG-VSON-4 (1 Oferta) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: SMD Obudowa: PG-VSON-4 Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 21A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,149Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 189W ...
Infineon
IPL60R075CFD7
od PLN 22,42*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   771   772   773   774   775   776   777   778   779   780   781   ..   1439   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.