Kategorie
Polska
Polski
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  >  > MOSFET

  MOSFET  (21 582 ofert spośród 4 765 831 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „MOSFET“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"MOSFET"

Pojęcia nadrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Artykuł ^v
Producent/nr ^v
Cena ^v
Zamów
Powrót
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 12,6A; 192W; TO247 (1 Oferta) 
Producent: STMicroelectronics Montaż: THT Obudowa: TO247 Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 12,6A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,25Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 192W Polary...
ST Microelectronics
STW20NM60
od PLN 8,62*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 45 A DPAK (TO-252) 60 V SMD Pojedynczy 83 W 8 miliomów (1 Oferta) 
Infineon tranzystory zasilające MOSFET OptiMOS™5
Infineon
IPD053N06NATMA1
od PLN 5 661,75*
za 2 500 szt.
 
 opakowanie
MOSFET N-kanałowy 41 A TO-247 3300 V. (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 41 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 3300 V. Typ opakowania = TO-247 Typ montażu = Otwór przezierny
Microchip Technology
MSC080SMA330B4
od PLN 570,08*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 13A; Idm: 52A; 50W; TO220F (1 Oferta) 
Producent: NTE Electronics Montaż: THT Obudowa: TO220F Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 13A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,32Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 50W Polaryzacja...
NTE Electronics
NTE2939
od PLN 11,22*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 44 A WDFN 80 V SMD Pojedynczy 68 W 14,5 miliomów (1 Oferta) 
Motoryzacyjny układ Power MOSFET w obudowie 3 x 3 mm z płaskimi wyprowadzeniami zaprojektowanej do kompaktowych i efektywnych konstrukcji i zapewniającej wysokie parametry termiczne. Opcja końcówek...
onsemi
NVTFS6H854NTAG
od PLN 1,533*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 433 A DFN 30 V SMD 0.00062 Ω (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 433 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 30 V Seria = NTMFS0D6N Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 5 Maksymalna rezystancja dren-źródło...
onsemi
NTMFS0D6N03CT1G
od PLN 8,02*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 12A; 33W; TO220FP (1 Oferta) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: THT Obudowa: TO220FP Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 12A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,25Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 33W Pola...
Infineon
IPA60R250CPXKSA1
od PLN 7,09*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 45 A H2PAK-7 650 V SMD 0,055 oma (2 ofert) 
Tranzystor MOSFET STMicroelectronics 650V z węglika krzemu ma prąd znamionowy 45A i rezystancję między odpływem a źródłem 55 m. Charakteryzuje się niską opornością na jednostkę powierzchni i bardzo...
ST Microelectronics
SCTH35N65G2V-7
od PLN 40,262*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 20A; 156W; PG-TO247-3 (1 Oferta) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: THT Obudowa: PG-TO247-3 Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 20A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,129Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 156W...
Infineon
IPW60R070CFD7
od PLN 25,06*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 410 A LFPAK88 50 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 410 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 50 V Typ opakowania = LFPAK88 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 4 Liczba elementów na układ = 1
Nexperia
PSMNR90-50SLHAX
od PLN 12,818*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 440 A SO-8 40 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 440 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 40 V Typ opakowania = SO-8 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Tryb kanałowy = Rozszerzenie L...
Vishay
SIRS4400DP-T1-RE3
od PLN 39 929,43*
za 3 000 szt.
 
 opakowanie
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 16A; 139W; PG-TO247-3 (1 Oferta) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: THT Obudowa: PG-TO247-3 Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 16A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,199Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 139W...
Infineon
IPW60R199CPFKSA1
od PLN 15,57*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 433 A TDSON 30 V SMD 0.0055 Ω (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 433 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 30 V Seria = OptiMOS Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Maksymalna rezystancja dren-źródło =...
Infineon
BSC005N03LS5ATMA1
od PLN 4,202*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 12A; Idm: 65A; 335W; TO247-3 (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 12A Rezystancja w stanie przewodzenia: 370mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 335W Pol...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT18F60B
od PLN 21,11*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 45 A HiP247-4 1200 V 0.07 Ω (2 ofert) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 45 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 1200 V Seria = SCTWA40N120G2V-4 Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 4 Maksymalna rezystancja dren-źró...
ST Microelectronics
SCTWA40N120G2V-4
od PLN 64,81*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   771   772   773   774   775   776   777   778   779   780   781   ..   1439   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.