Kategorie
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 
 >  >  >  > Tranzystor

  Tranzystor  (20 068 ofert spośród 4 794 085 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „Tranzystor“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Zamów
Powrót
Cyfrowy tranzystor PNP DFN1412D-3 -50 V Montaż powierzchniowy -100 mA PDTA124XQC-QZ (1 Oferta) 
Typ tranzystora = PNP Maksymalny prąd DC kolektora = -100 mA Maksymalne napięcie kolektor-emiter = -50 V Typ opakowania = DFN1412D-3 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba elementów na układ = 3
Nexperia
PDTA124XQC-QZ
od PLN 0,165*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: IGBT; 600V; 6A; 28W; TO252; Ewył: 0,09mJ; Ezał: 0,12mJ (1 Oferta) 
Producent: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR Montaż: SMD Obudowa: TO252 Napięcie kolektor-emiter: 600V Napięcie bramka - emiter: ±30V Napięcie nasycenia kol.-emit.: 1,7V Prąd kolektora: 6A Prąd kolektora...
Alpha & Omega Semiconductor
AOD6B60M1
od PLN 1,51*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 100V, 190mA, SOT-23 (1 Oferta) 
Tranzystor MOSFET, Typ=BST82, Ciągły prąd drenu (Id)=190 mA, Czas opóźnienia wyłączenia=12 ns, Czas opóźnienia włączenia=3 ns, Napięcie bramka-źródło=20 V, Napięcie źródłowe drenu (Vds)=100 V, Rezy...
NXP
BST82
od PLN 1,01*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor FET Vishay IRFBC40PBF Kanał N Rodzaj obudowy TO-220 N/A N/A IRFBC40PB (3 ofert) 
Tranzystor FET Vishay IRFBC40PBF | Dane techniczne: C(ISS): 1300 pF · Cecha tranzystora: standardowy · I(d): 6.2 A · Ilość kanałów: 1 · Kod producenta: VIS · Maksymalna temperatura robocza: +150 °C...
Vishay
IRFBC40PBF
od PLN 2,59*
za szt.
 
 szt.
Cyfrowy tranzystor PNP DFN1110D-3 -50 V Montaż powierzchniowy -100 mA PDTA144EQBZ (1 Oferta) 
Typ tranzystora = PNP Maksymalny prąd DC kolektora = -100 mA Maksymalne napięcie kolektor-emiter = -50 V Typ opakowania = DFN1110D-3 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba elementów na układ = 3
Nexperia
PDTA144EQBZ
od PLN 564,95*
za 5 000 szt.
 
 opakowanie
Tranzystor: IGBT; 650V; 20A; 18W; TO220F; Ewył: 0,27mJ; Ezał: 0,47mJ (1 Oferta) 
Producent: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR Montaż: THT Obudowa: TO220F Napięcie kolektor-emiter: 650V Napięcie bramka - emiter: ±30V Napięcie nasycenia kol.-emit.: 1,7V Prąd kolektora: 20A Prąd kolekto...
Alpha & Omega Semiconductor
AOTF20B65M1
od PLN 5,85*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 100V, 190mA, SOT-23 (3 ofert) 
Tranzystor MOSFET, Typ=BSS123NH6433XTMA1, Ciągły prąd drenu (Id)=190 mA, Czas narastania=3.2 ns, Czas opadania=22 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=7.4 ns, Czas opóźnienia włączenia=2.3 ns, Napięcie b...
Infineon
BSS123NH6433XTMA1
od PLN 0,206*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 400V, 16A, TO-247AC (4 ofert) 
Tranzystor MOSFET, Typ=IRFP350PBF, Ciągły prąd drenu (Id)=16 A, Czas narastania=49 ns, Czas opadania=47 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=87 ns, Czas opóźnienia włączenia=16 ns, Napięcie bramka-źródło...
Vishay
IRFP350PBF
od PLN 5,78*
za szt.
 
 szt.
Cyfrowy tranzystor PNP DFN1110D-3 -50 V Montaż powierzchniowy -100 mA PDTA114EQB-QZ (1 Oferta) 
Typ tranzystora = PNP Maksymalny prąd DC kolektora = -100 mA Maksymalne napięcie kolektor-emiter = -50 V Typ opakowania = DFN1110D-3 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba elementów na układ = 3
Nexperia
PDTA114EQB-QZ
od PLN 0,62*
za 5 szt.
 
 opakowania
IGBT Ic 11,7 A Uce 600 V 1 PG-TO220-3 30 W (2 ofert) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 11,7 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 600 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = +/-20V Maksymalna strata mocy = 30 W Typ opakowania = PG-TO220-3 Typ montaż...
Infineon
IKA10N60TXKSA1
od PLN 3,627*
za szt.
 
 szt.
Infineon
BSS119NH6327XTSA1
od PLN 0,29*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor FET Vishay IRFD110PBF Kanał N Rodzaj obudowy DIP-4 N/A N/A IRFD110PBF (3 ofert) 
Tranzystor FET Vishay IRFD110PBF | Dane techniczne: C(ISS): 180 pF · Cecha tranzystora: standardowy · I(d): 1 A · Ilość kanałów: 1 · Kod producenta: VIS · Maksymalna temperatura robocza: +175 °C · ...
Vishay
IRFD110PBF
od PLN 1,16*
za szt.
 
 szt.
Cyfrowy tranzystor PNP DFN1412D-3 -50 V Montaż powierzchniowy -100 mA PDTA114EQCZ (1 Oferta) 
Typ tranzystora = PNP Maksymalny prąd DC kolektora = -100 mA Maksymalne napięcie kolektor-emiter = -50 V Typ opakowania = DFN1412D-3 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba elementów na układ = 3
Nexperia
PDTA114EQCZ
od PLN 0,214*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: IGBT; 650V; 25A; 62,5W; D2PAK (1 Oferta) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: SMD Obudowa: D2PAK Napięcie kolektor-emiter: 650V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 25A Prąd kolektora w impulsie: 60A Czas załączania: 40ns Cz...
Infineon
IKB20N65EH5ATMA1
od PLN 9,53*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 100V, 190mA, SOT-23 (3 ofert) 
Tranzystor MOSFET, Typ=BSS123IXTSA1, Ciągły prąd drenu (Id)=190 mA, Czas narastania=3.2 ns, Czas opadania=22 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=7.4 ns, Czas opóźnienia włączenia=2.3 ns, Napięcie bramka...
Infineon
BSS123IXTSA1
od PLN 0,131*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   241   242   243   244   245   246   247   248   249   250   251   ..   1338   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.