| | | | |
Fotografia | | | | Zamów |
|
|
|
|
|
od PLN 599,80* za 5 000 szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; 650V; 53,5A; 136W; TO247-3; H5 (1 Oferta) Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 650V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 53,5A Prąd kolektora w impulsie: 150A Czas załączania: 22... |
Infineon AIKW50N65DH5XKSA1 |
od PLN 30,91* za szt. |
|
|
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 100V, 43A, TO-220 (3 ofert) Tranzystor MOSFET, Typ=IRFI4410ZPBF, Ciągły prąd drenu (Id)=43 A, Czas narastania=27 ns, Czas opadania=30 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=43 ns, Czas opóźnienia włączenia=15 ns, Napięcie bramka-źród... |
|
od PLN 6,09* za szt. |
|
|
|
|
od PLN 0,62* za 5 szt. |
|
|
|
Alpha & Omega Semiconductor AOKS40B65H2AL |
od PLN 6,40* za szt. |
|
|
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 100V, 5.4A, SO-8 (2 ofert) Tranzystor MOSFET, Typ=IRF7490TRPBF, Ciągły prąd drenu (Id)=5.4 A, Czas narastania=4.2 ns, Czas opadania=11 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=51 ns, Czas opóźnienia włączenia=13 ns, Napięcie bramka-źr... |
|
od PLN 1,576* za szt. |
|
|
|
|
od PLN 0,206* za szt. |
|
|
IGBT Ic 30 A Uce 650 V 1 TO-263 kanał: N 188 W (2 ofert) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 30 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20 V, ±30V Maksymalna strata mocy = 188 W Typ opakowania = TO-263 Typ montaż... |
|
od PLN 7,419* za szt. |
|
|
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 100V, 5.6A, TO-220AB (4 ofert) Tranzystor MOSFET, Typ=IRF510PBF, Ciągły prąd drenu (Id)=5.6 A, Czas narastania=16 ns, Czas opadania=9.4 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=15 ns, Czas opóźnienia włączenia=6.9 ns, Napięcie bramka-źród... |
|
od PLN 1,49* za szt. |
|
|
|
ROHM Semiconductor DTA114YE3HZGTL |
od PLN 0,127* za szt. |
|
|
|
|
od PLN 3,987* za szt. |
|
|
|
|
od PLN 4,77* za szt. |
|
|
|
ST Microelectronics TIP31C |
od PLN 0,822* za szt. |
|
|
|
|
od PLN 620,10* za 5 000 szt. |
|
|
|
Alpha & Omega Semiconductor AOD5B65M1 |
od PLN 2,33* za szt. |
|
|