| | | | |
Fotografia | | | | Zamów |
|
|
|
|
|
od PLN 3,321* za szt. |
|
|
|
|
od PLN 0,34* za szt. |
|
|
|
|
od PLN 621,40* za 5 000 szt. |
|
|
|
|
od PLN 0,58* za 5 szt. |
|
|
IGBT Ic 75 A Uce 650 V 1 TO-247 kanał: N 536 W (2 ofert) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 75 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20 V, ±30V Maksymalna strata mocy = 536 W Typ opakowania = TO-247 Typ montaż... |
|
od PLN 21,39* za szt. |
|
|
|
|
od PLN 7,54* za szt. |
|
|
|
|
od PLN 5,25* za szt. |
|
|
|
|
od PLN 0,396* za szt. |
|
|
|
Alpha & Omega Semiconductor AOK40B65H1 |
od PLN 9,14* za szt. |
|
|
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 100V, 43A, TO-220 (3 ofert) Tranzystor MOSFET, Typ=IRFI4410ZPBF, Ciągły prąd drenu (Id)=43 A, Czas narastania=27 ns, Czas opadania=30 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=43 ns, Czas opóźnienia włączenia=15 ns, Napięcie bramka-źród... |
|
od PLN 6,07* za szt. |
|
|
|
ROHM Semiconductor DTA114EE3HZGTL |
od PLN 0,127* za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; 600V; 80A; 625W; TO264 (1 Oferta) Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO264 Napięcie kolektor-emiter: 600V Napięcie bramka - emiter: ±30V Prąd kolektora: 80A Prąd kolektora w impulsie: 240A Czas załączania: 52ns C... |
MICROCHIP (MICROSEMI) APT80GA60LD40 |
od PLN 69,68* za szt. |
|
|
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 100V, 5.4A, SO-8 (2 ofert) Tranzystor MOSFET, Typ=IRF7490TRPBF, Ciągły prąd drenu (Id)=5.4 A, Czas narastania=4.2 ns, Czas opadania=11 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=51 ns, Czas opóźnienia włączenia=13 ns, Napięcie bramka-źr... |
|
od PLN 1,576* za szt. |
|
|
|
|
od PLN 2,09* za szt. |
|
|
|
|
od PLN 600,50* za 5 000 szt. |
|
|