Kategorie
Polska
Polski
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  > Tranzystor

  Tranzystor  (20 100 ofert spośród 4 790 583 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „Tranzystor“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"Tranzystor"

Pojęcia nadrzędne
Pojęcia podrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Artykuł ^v
Producent/nr ^v
Cena ^v
Zamów
Powrót
Tranzystor: IGBT; 600V; 80A; 625W; TO264 (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO264 Napięcie kolektor-emiter: 600V Napięcie bramka - emiter: ±30V Prąd kolektora: 80A Prąd kolektora w impulsie: 240A Czas załączania: 52ns C...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT80GA60LD40
od PLN 68,81*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 100V, 57A, TO-263 (3 ofert) 
Tranzystor MOSFET, Typ=IRF3710STRLPBF, Ciągły prąd drenu (Id)=57 A, Czas narastania=58 ns, Czas opadania=47 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=45 ns, Czas opóźnienia włączenia=12 ns, Napięcie bramka-źr...
Infineon
IRF3710STRLPBF
od PLN 2,927*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 400V, 10A, TO-220AB (4 ofert) 
Tranzystor MOSFET, Typ=IRF740PBF, Ciągły prąd drenu (Id)=10 A, Czas narastania=27 ns, Czas opadania=24 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=50 ns, Czas opóźnienia włączenia=14 ns, Napięcie bramka-źródło=...
Vishay
IRF740PBF
od PLN 2,46*
za szt.
 
 szt.
Cyfrowy tranzystor PNP DFN1412D-3 -50 V Montaż powierzchniowy -100 mA PDTA143XQCZ (1 Oferta) 
Typ tranzystora = PNP Maksymalny prąd DC kolektora = -100 mA Maksymalne napięcie kolektor-emiter = -50 V Typ opakowania = DFN1412D-3 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba elementów na układ = 3
Nexperia
PDTA143XQCZ
od PLN 0,206*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 100V, 6.5A, SOT-223 (3 ofert) 
Tranzystor MOSFET, Typ=TSM950N10CW RPG, Ciągły prąd drenu (Id)=6.5 A, Czas narastania=9.5 ns, Czas opadania=5.3 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=18.4 ns, Czas opóźnienia włączenia=2.9 ns, Napięcie br...
Taiwan Semiconductor
TSM950N10CW RPG
od PLN 1,41*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor NPN TO-220 100 V Otwór przezierny 3 A TIP31C (3 ofert) 
Tranzystory mocy NPN STMicroelectronics
ST Microelectronics
TIP31C
od PLN 0,822*
za szt.
 
 szt.
Cyfrowy tranzystor PNP EMT3 -50 V Montaż powierzchniowy 100 mA DTA123EE3HZGTL (1 Oferta) 
Typ tranzystora = PNP Maksymalny prąd DC kolektora = 100 mA Maksymalne napięcie kolektor-emiter = -50 V Typ opakowania = EMT3 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3
ROHM Semiconductor
DTA123EE3HZGTL
od PLN 0,167*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 100V, 6.6A, SOT-223 (2 ofert) 
Tranzystor MOSFET, Typ=FDT86102LZ, Ciągły prąd drenu (Id)=6.6 A, Czas narastania=1.9 ns, Czas opadania=2.2 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=19 ns, Czas opóźnienia włączenia=6.6 ns, Napięcie bramka-źr...
onsemi
FDT86102LZ
od PLN 3,549*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor MOSFET (HEXFET) Vishay IRFB 11 N 50 A, kanał N, TO 220, I(D) 11 A, U( (3 ofert) 
Tranzystor MOSFET Vishay Vishay IRFB11N50APBF | Dane techniczne: C(ISS): 1423 pF · Cecha tranzystora: standardowy · I(d): 11 A · Ilość kanałów: 1 · Kod producenta: VIS · Maksymalna temperatura robo...
Vishay
IRFB11N50APBF
od PLN 3,67*
za szt.
 
 szt.
Cyfrowy tranzystor PNP DFN1110D-3 -50 V Montaż powierzchniowy -100 mA PDTA143ZQB-QZ (1 Oferta) 
Typ tranzystora = PNP Maksymalny prąd DC kolektora = -100 mA Maksymalne napięcie kolektor-emiter = -50 V Typ opakowania = DFN1110D-3 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba elementów na układ = 3
Nexperia
PDTA143ZQB-QZ
od PLN 0,62*
za 5 szt.
 
 opakowania
Infineon IRFB4510 tranzystor 100 V (4 ofert)
Infineon
IRFB4510PBF
od PLN 3,105*
za szt.
 
 szt.
Cyfrowy tranzystor PNP DFN1412D-3 -50 V Montaż powierzchniowy -100 mA PDTA143ZQCZ (1 Oferta) 
Typ tranzystora = PNP Maksymalny prąd DC kolektora = -100 mA Maksymalne napięcie kolektor-emiter = -50 V Typ opakowania = DFN1412D-3 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba elementów na układ = 3
Nexperia
PDTA143ZQCZ
od PLN 620,75*
za 5 000 szt.
 
 opakowanie
Tranzystor: IGBT; 600V; 93A; 536W; TO264 (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO264 Napięcie kolektor-emiter: 600V Napięcie bramka - emiter: ±30V Prąd kolektora: 93A Prąd kolektora w impulsie: 225A Czas załączania: 95ns C...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT75GN60LDQ3G
od PLN 43,15*
za szt.
 
 szt.
Infineon IRFU4510 tranzystor 60 V (4 ofert)
Infineon
IRFU4510PBF
od PLN 3,041*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor MOSFET (HEXFET/FETKY) International Rectifier IRF 1010 E, kanał N, TO (1 Oferta) 
Tranzystor MOSFET International Infineon Technologies IRF1010E | Dane techniczne: C(ISS): 3210 pF · Cecha tranzystora: standardowy · I(d): 84 A · Ilość kanałów: 1 · Kod producenta: INF · Maksymalna...
Infineon
IRF1010E
od PLN 5,23*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   241   242   243   244   245   246   247   248   249   250   251   ..   1340   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.