Kategorie
Polska
Polski
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  > Tranzystor

  Tranzystor  (20 092 ofert spośród 4 766 723 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „Tranzystor“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"Tranzystor"

Pojęcia nadrzędne
Pojęcia podrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Artykuł ^v
Producent/nr ^v
Cena ^v
Zamów
Powrót
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 900V; 22A; 83W; D2PAK-7; 24ns (2 ofert) 
Producent: Wolfspeed(CREE) Montaż: SMD Obudowa: D2PAK-7 Czas gotowości: 24ns Napięcie dren-źródło: 900V Prąd drenu: 22A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,12Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpra...
Wolfspeed
C3M0120090J
od PLN 33,82*
za szt.
 
 szt.
Moduł IGBT Ic 37 A Uce 600 V 7 115 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 37 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 600 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = +/-20V Maksymalna strata mocy = 115 W
Infineon
FP30R06W1E3BOMA1
od PLN 148,998*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SuperMESH5™; unipolarny; 800V; 12,3A; 250W (2 ofert) 
Producent: STMicroelectronics Montaż: THT Obudowa: TO247 Napięcie dren-źródło: 800V Prąd drenu: 12,3A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,19Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 250W Polary...
ST Microelectronics
STW25N80K5
od PLN 14,61*
za szt.
 
 szt.
Moduł IGBT Ic 27 A Uce 600 V Moduł 94 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 27 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 600 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = +/-20V Maksymalna strata mocy = 94 W Typ opakowania = Moduł Typ montażu = Mon...
Infineon
FP20R06W1E3BOMA1
od PLN 143,163*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; STripFET™; unipolarny; 200V; 25A; 160W (1 Oferta) 
Producent: STMicroelectronics Montaż: THT Obudowa: TO220-3 Napięcie dren-źródło: 200V Prąd drenu: 25A Rezystancja w stanie przewodzenia: 45mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 160W Polaryz...
ST Microelectronics
STP40NF20
od PLN 9,14*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolarny; 100V; 77A; 312W (3 ofert) 
Producent: STMicroelectronics Montaż: THT Obudowa: TO220-3 Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 77A Rezystancja w stanie przewodzenia: 10,5mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 312W Polar...
ST Microelectronics
STP120NF10
od PLN 10,31*
za szt.
 
 szt.
Moduł IGBT Ic 73 A Uce 1000 V 6 93x47 (PRESSFIT) (bez Pb i bez Halide-Free Press Fit pins), Q2BOOST - PIM53 79 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 73 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1000 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Maksymalna strata mocy = 79 W
onsemi
NXH300B100H4Q2F2PG
od PLN 24 690,73212*
za 36 szt.
 
 opakowanie
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 900V; 36A; 125W; TO247-3 (2 ofert) 
Producent: Wolfspeed(CREE) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Czas gotowości: 30ns Napięcie dren-źródło: 900V Prąd drenu: 36A Rezystancja w stanie przewodzenia: 78mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpras...
Wolfspeed
C3M0065090D
od PLN 57,31*
za szt.
 
 szt.
Moduł IGBT Ic 39 A Uce 1200 V 7 175 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 39 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = +/-20V Maksymalna strata mocy = 175 W
Infineon
FP25R12W2T4B11BOMA1
od PLN 242,821*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SuperMESH5™; unipolarny; 800V; 6A; 110W (2 ofert) 
Producent: STMicroelectronics Montaż: THT Obudowa: TO220-3 Napięcie dren-źródło: 800V Prąd drenu: 6A Rezystancja w stanie przewodzenia: 1,2Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 110W Polaryza...
ST Microelectronics
STP7N80K5
od PLN 4,065*
za szt.
 
 szt.
Moduł IGBT Ic 280 A Uce 1200 V 6 EconoPACK 1 kW (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 280 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Liczba tranzystorów = 6 Typ opakowania = EconoPACK
Infineon
FS200R12PT4BOSA1
od PLN 1 213,52*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; STripFET™; unipolarny; 200V; 47A; 190W; TO247 (2 ofert) 
Producent: STMicroelectronics Montaż: THT Obudowa: TO247 Napięcie dren-źródło: 200V Prąd drenu: 47A Rezystancja w stanie przewodzenia: 28mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 190W Polaryzac...
ST Microelectronics
STW75NF20
od PLN 10,767*
za szt.
 
 szt.
Moduł IGBT Ic 40 A, 90 A Uce 650 V 4 20 mW (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 40 A, 90 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Maksymalna strata mocy = 20 mW
Infineon
DF300R07W2H3B77BPSA1
od PLN 249,897*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolarny; 55V; 80A; 300W (2 ofert) 
Producent: STMicroelectronics Montaż: THT Obudowa: TO220-3 Napięcie dren-źródło: 55V Prąd drenu: 80A Rezystancja w stanie przewodzenia: 6,5mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 300W Polaryz...
ST Microelectronics
STP80NF55-06
od PLN 3,469*
za szt.
 
 szt.
Moduł IGBT Ic 75 A Uce 1200 V 7 280 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 75 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Maksymalna strata mocy = 280 W
Infineon
FP50R12KE3BOSA1
od PLN 7 264,51*
za 10 szt.
 
 opakowanie
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   431   432   433   434   435   436   437   438   439   440   441   ..   1340   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.