Kategorie
Polska
Polski
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  > Tranzystor

  Tranzystor  (19 933 ofert spośród 4 791 544 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „Tranzystor“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"Tranzystor"

Pojęcia nadrzędne
Pojęcia podrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Artykuł ^v
Producent/nr ^v
Cena ^v
Zamów
Powrót
Tranzystor: N-MOSFET; SPLIT GATE TRENCH; unipolarny; 100V; 7,6A (1 Oferta) 
Producent: YANGJIE TECHNOLOGY Montaż: SMD Obudowa: SOP8 Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 7,6A Rezystancja w stanie przewodzenia: 17mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 3,3W Polaryzac...
YANGJIE TECHNOLOGY
YJS12N10A
od PLN 0,77*
za szt.
 
 szt.
Moduł IGBT Ic 75 A Uce 1200 V 7 EASY2B kanał: N 20 mW (1 Oferta) 
Trójfazowy Infineon moduł IGBT z trójfazowym wejściem EasyPIM i technologią TRENCHSTOP IGBT4. Ma napięcie emitera kolektora 1200 V i prąd do przodu 75 A. Jest on używany w serwomotor i sterowanie s...
Infineon
FP75R12KT4PBPSA1
od PLN 774,724*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; STripFET™; unipolarny; 100V; 25A; 150W (3 ofert) 
Producent: STMicroelectronics Montaż: THT Obudowa: TO220-3 Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 25A Rezystancja w stanie przewodzenia: 36mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 150W Polaryz...
ST Microelectronics
STP40NF10L
od PLN 2,36*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 1,2kV; 5A; Idm: 28A; 335W; D3PAK (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: SMD Obudowa: D3PAK Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 5A Rezystancja w stanie przewodzenia: 2,1Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 335W Polary...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT7M120S
od PLN 27,57*
za szt.
 
 szt.
Moduł IGBT Ic 600 A Uce 1200 V Moduł 3 kW (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 600 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = +/-20V Maksymalna strata mocy = 3 kW Typ opakowania = Moduł Typ montażu = M...
Infineon
FZ600R12KE4HOSA1
od PLN 571,809*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SuperMESH3™; unipolarny; 600V; 0,76A; 27W (1 Oferta) 
Uwaga! Produkt dostępny w sprzedaży tylko w ilości dostępnej na stanie magazynowym. W przypadku zamówienia większej ilości, zostanie ona zmieniona na ilość dostępną. Producent: STMicroelectronics M...
ST Microelectronics
STU1HN60K3
od PLN 0,82*
za szt.
 
 szt.
Moduł IGBT Ic 600 A Uce 1200 V 2 AG-ECONOD Szereg 20 mW (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 600 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 20V Maksymalna strata mocy = 20 mW Typ opakowania = AG-ECONOD Typ montażu =...
Infineon
FF600R12ME7B11BPSA1
od PLN 1 029,088*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SPLIT GATE TRENCH; unipolarny; 60V; 50A (1 Oferta) 
Producent: YANGJIE TECHNOLOGY Montaż: SMD Obudowa: DFN5060-8 Napięcie dren-źródło: 60V Prąd drenu: 50A Rezystancja w stanie przewodzenia: 5mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 38W Polaryza...
YANGJIE TECHNOLOGY
YJG80G06A
od PLN 1,20*
za szt.
 
 szt.
Moduł IGBT Ic 75 A Uce 1200 V Moduł 500 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 75 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = +/-20V Maksymalna strata mocy = 500 W Typ opakowania = Moduł Typ montażu = M...
Infineon
F3L150R12W2H3B11BPSA1
od PLN 390,40*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; STripFET™; unipolarny; 200V; 25A; 160W; TO247 (1 Oferta) 
Uwaga! Produkt dostępny w sprzedaży tylko w ilości dostępnej na stanie magazynowym. W przypadku zamówienia większej ilości, zostanie ona zmieniona na ilość dostępną. Producent: STMicroelectronics M...
ST Microelectronics
STW40NF20
od PLN 10,07*
za szt.
 
 szt.
Moduł IGBT Ic 240 A Uce 1200 V Moduł 1,1 kW (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 240 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = +/-20V Maksymalna strata mocy = 1,1 kW Typ opakowania = Moduł Typ montażu =...
Infineon
FF200R12KE4HOSA1
od PLN 428,40*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 1,2kV; 5A; Idm: 28A; 335W; TO247-3 (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 5A Rezystancja w stanie przewodzenia: 2,4Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 335W Pola...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT7F120B
od PLN 24,40*
za szt.
 
 szt.
Moduł IGBT Ic 61 A Uce 1200 V 2 Case 180BF (bez zawartości Pb i bez zawartości Halide), sworznie wciskane 186 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 61 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Maksymalna strata mocy = 186 W
onsemi
NXH100B120H3Q0PG
od PLN 6 505,55808*
za 24 szt.
 
 opakowanie
Tranzystor: N-MOSFET; SuperMESH3™; unipolarny; 950V; 4,5A; 150W (1 Oferta) 
Producent: STMicroelectronics Montaż: THT Obudowa: TO220-3 Napięcie dren-źródło: 950V Prąd drenu: 4,5A Rezystancja w stanie przewodzenia: 1,35Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 150W Polar...
ST Microelectronics
STP7N95K3
od PLN 5,43*
za szt.
 
 szt.
Moduł IGBT Ic 600 A Uce 1200 V 2 ECONODUAL Dwa kanał: N 20 mW (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 600 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 20V Maksymalna strata mocy = 20 mW Typ opakowania = ECONODUAL Typ kanału = ...
Infineon
FF600R12ME4B72BOSA1
od PLN 920,456*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   431   432   433   434   435   436   437   438   439   440   441   ..   1329   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.