Kategorie
Polska
Polski
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  > Tranzystor

  Tranzystor  (19 939 ofert spośród 4 791 911 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „Tranzystor“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"Tranzystor"

Pojęcia nadrzędne
Pojęcia podrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Artykuł ^v
Producent/nr ^v
Cena ^v
Zamów
Powrót
Moduł IGBT Ic 61 A Uce 1200 V 2 Case 180BF (bez zawartości Pb i bez zawartości Halide), sworznie wciskane 186 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 61 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Maksymalna strata mocy = 186 W
onsemi
NXH100B120H3Q0PG
od PLN 6 505,55808*
za 24 szt.
 
 opakowanie
Tranzystor: N-MOSFET; SuperMESH3™; unipolarny; 950V; 4,5A; 150W (1 Oferta) 
Producent: STMicroelectronics Montaż: THT Obudowa: TO220-3 Napięcie dren-źródło: 950V Prąd drenu: 4,5A Rezystancja w stanie przewodzenia: 1,35Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 150W Polar...
ST Microelectronics
STP7N95K3
od PLN 5,43*
za szt.
 
 szt.
Moduł IGBT Ic 600 A Uce 1200 V 2 ECONODUAL Dwa kanał: N 20 mW (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 600 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 20V Maksymalna strata mocy = 20 mW Typ opakowania = ECONODUAL Typ kanału = ...
Infineon
FF600R12ME4B72BOSA1
od PLN 920,456*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolarny; 100V; 18A; 85W (3 ofert) 
Producent: STMicroelectronics Montaż: THT Obudowa: TO220-3 Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 18A Rezystancja w stanie przewodzenia: 60mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 85W Polaryza...
ST Microelectronics
STP24NF10
od PLN 1,658*
za szt.
 
 szt.
Moduł IGBT Ic 750 A Uce 1700 V 2 20 mW (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 750 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1700 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Maksymalna strata mocy = 20 mW
Infineon
FF750R17ME7DB11BPSA1
od PLN 1 535,247*
za szt.
 
 szt.
Infineon IRF250P225 tranzystor 100 V (2 ofert)
Infineon
IRF250P225
od PLN 14,856*
za szt.
 
 szt.
Moduł IGBT Ic 25 A Uce 1200 V 7 EASY1B kanał: N 20 mW (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 25 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 20V Liczba tranzystorów = 7 Typ opakowania = EASY1B Typ kanału = N
Infineon
FP25R12W1T7B11BPSA1
od PLN 154,62*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 1,2kV; 9A; 230W; ISOPLUS247™ (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: ISOPLUS247™ Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 9A Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 230W Polaryzacja: unipolarny Rodzaj opakowania: tuba Ładunek b...
IXYS
IXFR16N120P
od PLN 65,05*
za szt.
 
 szt.
Moduł IGBT Ic 65 A Uce 600 V 7 175 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 65 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 600 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = +/-20V Maksymalna strata mocy = 175 W
Infineon
FP50R06W2E3BOMA1
od PLN 225,30*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SuperMESH5™; unipolarny; 800V; 12,3A; 250W (2 ofert) 
Producent: STMicroelectronics Montaż: THT Obudowa: TO247 Napięcie dren-źródło: 800V Prąd drenu: 12,3A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,19Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 250W Polary...
ST Microelectronics
STW25N80K5
od PLN 14,28*
za szt.
 
 szt.
Moduł IGBT Ic 600 A Uce 1200 V Moduł 3 kW (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 600 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = +/-20V Maksymalna strata mocy = 3 kW Typ opakowania = Moduł Typ montażu = M...
Infineon
FZ600R12KE4HOSA1
od PLN 542,559*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolarny; 100V; 66A; 300W (2 ofert) 
Producent: STMicroelectronics Montaż: THT Obudowa: TO220-3 Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 66A Rezystancja w stanie przewodzenia: 23mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 300W Polaryz...
ST Microelectronics
STP60NF10
od PLN 2,78*
za szt.
 
 szt.
Moduł IGBT Ic 820 A Uce 750 V 6 Moduł Sześciopak kanał: N 20 mW (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 820 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 750 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 20V Liczba tranzystorów = 6 Typ opakowania = Moduł Typ kanału = N Liczba sty...
Infineon
FS820R08A6P2BBPSA1
od PLN 1 882,622*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SuperMESH3™; unipolarny; 1000V; 2,2A; 30W (2 ofert) 
Producent: STMicroelectronics Montaż: THT Obudowa: TO220FP Napięcie dren-źródło: 1kV Prąd drenu: 2,2A Rezystancja w stanie przewodzenia: 3,7Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 30W Polaryza...
ST Microelectronics
STF5NK100Z
od PLN 4,78*
za szt.
 
 szt.
Moduł IGBT Ic 27 A Uce 600 V Moduł 94 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 27 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 600 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = +/-20V Maksymalna strata mocy = 94 W Typ opakowania = Moduł Typ montażu = Mon...
Infineon
FP20R06W1E3BOMA1
od PLN 136,105*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   431   432   433   434   435   436   437   438   439   440   441   ..   1330   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.