Kategorie
Polska
Polski
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  > Tranzystor

  Tranzystor  (20 904 ofert spośród 4 918 318 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „Tranzystor“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"Tranzystor"

Pojęcia nadrzędne
Pojęcia podrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Artykuł ^v
Producent/nr ^v
Cena ^v
Zamów
Powrót
Tranzystor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolarny; 600V; 6,93A; 90W (2 ofert) 
Producent: STMicroelectronics Montaż: THT Obudowa: TO220-3 Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 6,93A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,36Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 90W Polar...
ST Microelectronics
STP13NM60N
od PLN 4,26*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolarny; 600V; 2,9A; 20W (1 Oferta) 
Producent: STMicroelectronics Montaż: THT Obudowa: TO220FP Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 2,9A Rezystancja w stanie przewodzenia: 1,2Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 20W Polaryz...
ST Microelectronics
STF6N60M2
od PLN 3,46*
za szt.
 
 szt.
IGBT SI7997DP-T1-GE3, Vishay (2 ofert) 
Tranzystory MOSFET
Vishay
SI7997DP-T1-GE3
od PLN 3,865*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolarny; 600V; 7A; 25W (1 Oferta) 
Producent: STMicroelectronics Montaż: THT Obudowa: TO220FP Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 7A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,38Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 25W Polaryza...
ST Microelectronics
STF13N60M2
od PLN 4,45*
za szt.
 
 szt.
IGBT SIS413DN-T1-GE3, Vishay (2 ofert) 
Tranzystory MOSFET
Vishay
SIS413DN-T1-GE3
od PLN 0,79*
za szt.
 
 szt.
Infineon IPP17N25S3-100 tranzystor 250 V (1 Oferta)
Infineon
IPP17N25S3100AKSA1
od PLN 7,25*
za szt.
 
 szt.
IGBT PG-TO220-2-1 120 W (1 Oferta) 
Maksymalna strata mocy = 120 W Typ opakowania = PG-TO220-2-1
Infineon
IDP20E65D2XKSA1
od PLN 4,609*
za szt.
 
 szt.
IGBT PG-TO220-3 188 W (1 Oferta) 
Maksymalna strata mocy = 188 W Typ opakowania = PG-TO220-3
Infineon
IGP30N65F5XKSA1
od PLN 242,068*
za 50 szt.
 
 paczka
Tranzystor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolarny; 650V; 43A; 450W (3 ofert) 
Producent: STMicroelectronics Montaż: THT Obudowa: TO247 Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 43A Rezystancja w stanie przewodzenia: 30mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 450W Polaryzac...
ST Microelectronics
STW70N60M2
od PLN 31,847*
za szt.
 
 szt.
IGBT SIA433EDJ-T1-GE3, Vishay (2 ofert) 
Tranzystory IGBT
Vishay
SIA433EDJ-T1-GE3
od PLN 2 728,29*
za 3 000 szt.
 
 opakowanie
Tranzystor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolarny; 650V; 8A; 110W (1 Oferta) 
Producent: STMicroelectronics Montaż: THT Obudowa: TO247 Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 8A Rezystancja w stanie przewodzenia: 255mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 110W Polaryzac...
ST Microelectronics
STW18N60M2
od PLN 5,75*
za szt.
 
 szt.
IGBT SIS476DN-T1-GE3, Vishay (2 ofert) 
Tranzystory MOSFET
Vishay
SIS476DN-T1-GE3
od PLN 1,791*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; OptiMOS™ T; unipolarny; 40V; 100A; 214W (1 Oferta) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: SMD Obudowa: PG-TO263-3 Napięcie dren-źródło: 40V Prąd drenu: 100A Rezystancja w stanie przewodzenia: 2,5mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 214W ...
Infineon
IPB100N04S303ATMA1
od PLN 4,71*
za szt.
 
 szt.
IGBT PG-TO220-3 35,7 W (1 Oferta) 
Maksymalna strata mocy = 35,7 W Typ opakowania = PG-TO220-3
Infineon
IKA15N60TXKSA1
od PLN 13,13*
za 2 szt.
 
 paczka
Infineon IPB120N06S4-02 tranzystor 60 V (2 ofert)
Infineon
IPB120N06S402ATMA2
od PLN 5,10*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   441   442   443   444   445   446   447   448   449   450   451   ..   1394   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.