Tranzystor kup korzystnie w Mercateo (strona 512/1 340)

Fotografia

Artykuł

Producent/nr

Cena

Zamów

Infineon BSZ075N08NS5 tranzystor 200 V (1 Oferta)

Infineon

BSZ075N08NS5ATMA1

od PLN 2,524*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 150V; 26A; 150W; TO220AB (2 ofert)

Producent: ONSEMI Montaż: THT Obudowa: TO220AB Napięcie dren-źródło: 150V Prąd drenu: 26A Rezystancja w stanie przewodzenia: 97mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 150W Polaryzacja: unipol...

onsemi

FDP2552

od PLN 4,557*
za szt.

Tranzystor MOSFET z diodą N-kanałowy 180 A TO-247AC 100 V 0.045 O. (1 Oferta)

Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 180 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 100 V Seria = HEXFET Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źródło = 0.04...

Infineon

AUIRFP4110

od PLN 20,966*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 130V; 1A; Idm: 3,3A; 1,26W; SOT23 (1 Oferta)

Producent: DIODES INCORPORATED Montaż: SMD Obudowa: SOT23 Napięcie dren-źródło: 130V Prąd drenu: 1A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,85Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 1,26W Polaryz...

Diodes

DMN13H750S-7

od PLN 0,76*
za szt.

Tranzystor MOSFET N-kanałowy 7 A SC-65 1500 V 12 omów (1 Oferta)

Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 7 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 1500 V Typ opakowania = SC-65 Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źródło = 12 omów Tryb kanałowy = Rozs...

Renesas Electronics

2SK1317-E

od PLN 16,137*
za szt.

Tranzystor MOSFET N-kanałowy 60 A TO-247 1200 V 0,04 oma (1 Oferta)

Tranzystor MOSFET z węglika krzemu ON Semiconductor pracuje z 60 amperami i 1200 woltami. Może być używany w samochodowej ładowarce pokładowej, przetwornicy DC lub DC.Zgodność z normą AEC Q101 Prze...

onsemi

NVHL040N120SC1

od PLN 134,68*
za szt.

Infineon IPP111N15N3 G tranzystor 20 V (2 ofert)

Infineon

IPP111N15N3GXKSA1

od PLN 12,61*
za szt.

Tranzystor MOSFET N-kanałowy 75 A TDSON 100 V SMD (1 Oferta)

Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 75 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 100 V Typ opakowania = TDSON Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Liczba elementów na układ = 1

Infineon

ISC080N10NM6ATMA1

od PLN 14,32*
za 5 szt.

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 150V; 29A; 135W; D2PAK (2 ofert)

Producent: ONSEMI Montaż: SMD Obudowa: D2PAK Napięcie dren-źródło: 150V Prąd drenu: 29A Rezystancja w stanie przewodzenia: 146mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 135W Polaryzacja: unipola...

onsemi

FDB2572

od PLN 4,315*
za szt.

Tranzystor MOSFET z diodą N-kanałowy 19,5 A D2PAK (TO-263) 1200 V SMD 225 miliomów (1 Oferta)

MOSFET ON SEMICONDUCTOR SiC N-Channel 1200V wykorzystuje zupełnie nową technologię, która zapewnia doskonałą wydajność przełączania i większą niezawodność w porównaniu z Silicon. Ponadto niska REZY...

onsemi

NTBG160N120SC1

od PLN 22,505*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 1500V; 1,6A; 140W; TO247 (2 ofert)

Producent: STMicroelectronics Montaż: THT Obudowa: TO247 Napięcie dren-źródło: 1,5kV Prąd drenu: 1,6A Rezystancja w stanie przewodzenia: 9Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 140W Polaryzac...

ST Microelectronics

STW3N150

od PLN 12,64*
za szt.

Tranzystor MOSFET N-kanałowy 75 A PG-TO252-3 (1 Oferta)

Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 75 A Typ opakowania = PG-TO252-3

Infineon

IPD110N12N3GATMA1

od PLN 4,333*
za szt.

Tranzystor MOSFET N-kanałowy 60 A WQFN12 40 V 0,0045 oma (1 Oferta)

Symetryczne tranzystory MOSFET ON Semiconductor, dwukanałowe, w obudowie dwukanałowej, zawierają dwa specjalistyczne tranzystory MOSFET N-Channel. Węzeł przełącznika został podłączony wewnętrznie, ...

onsemi

NTTFD4D0N04HLTWG

od PLN 5,396*
za szt.

Tranzystor MOSFET N-kanałowy 8 A TO-220 600 V (1 Oferta)

Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 8 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 600 V Typ opakowania = TO-220 Typ montażu = Otwór przezierny

Infineon

SP005559298

od PLN 6 632,36*
za 500 szt.

Tranzystor MOSFET z diodą N-kanałowy 20 A SuperSO8 5 x 6 100 V SMD 0.035 O. (1 Oferta)

Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 20 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 100 V Seria = OptiMOS Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Maksymalna rezystancja dren-źródło =...

Infineon

IPG20N10S4L35ATMA1

od PLN 3,467*
za szt.

Liczba artykułów na stronie: 10 15 20 50 100

strona: Powrót 1 .. 511 512 513 514 515 516 517 518 519 520 521 .. 1340 Dalej

Tranzystor (20 094 ofert spośród 4 767 778 artykułów)

"Tranzystor"