Tranzystor kup korzystnie w Mercateo (strona 517/1 340)

Fotografia

Artykuł

Producent/nr

Cena

Zamów

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 150V; 240A; 940W; TO247-3; 130ns (1 Oferta)

Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Czas gotowości: 130ns Napięcie dren-źródło: 150V Prąd drenu: 240A Rezystancja w stanie przewodzenia: 4,4mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 94...

IXYS

IXTH240N15X4

od PLN 36,04*
za szt.

Tranzystor MOSFET z diodą N-kanałowy 100 A ThinkPAK 8 x 8 650 V SMD 0.105 O. (1 Oferta)

Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 100 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 650 V Seria = CoolMOS P7 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 5 Maksymalna rezystancja dren-źród...

Infineon

IPL60R105P7AUMA1

od PLN 12,322*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 1kV; 4A; Idm: 16A; 139W; TO220-3 (1 Oferta)

Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO220-3 Napięcie dren-źródło: 1kV Prąd drenu: 4A Rezystancja w stanie przewodzenia: 3Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 139W Polaryza...

MICROCHIP (MICROSEMI)

APT1003RKLLG

od PLN 33,53*
za szt.

Tranzystor MOSFET N-kanałowy 94 A PG-TO263-3 80 V SMD (1 Oferta)

Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 94 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 80 V Typ opakowania = PG-TO263-3 Typ montażu = Montaż powierzchniowy

Infineon

SP005571702

od PLN 4,96*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 1kV; 12A; Idm: 48A; 298W; TO247-3 (1 Oferta)

Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 1kV Prąd drenu: 12A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,95Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 298W Pola...

MICROCHIP (MICROSEMI)

APT10090BLLG

od PLN 70,60*
za szt.

Infineon IPC100N04S5L-1R1 tranzystor 40 V (1 Oferta)

Infineon

IPC100N04S5L1R1ATMA1

od PLN 20,28*
za 5 szt.

Infineon IPB108N15N3 G tranzystor 60 V (1 Oferta)

Infineon

IPB108N15N3GATMA1

od PLN 9,14*
za szt.

Tranzystor MOSFET z diodą N-kanałowy 5,4 A SO-8 100 V SMD 0.039 O. (1 Oferta)

Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 5,4 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 100 V Seria = HEXFET Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Maksymalna rezystancja dren-źródło =...

Infineon

IRF7490TRPBF

od PLN 2,643*
za szt.

Tranzystor MOSFET z diodą N-kanałowy 24 A DPAK (TO-252) 150 V SMD 0.095 O. (2 ofert)

Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 24 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 150 V Seria = HEXFET Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źródło = ...

Infineon

IRFR24N15DTRPBF

od PLN 8,88*
za 5 szt.

Tranzystor MOSFET z diodą N-kanałowy 109 A TO-247 650 V 0.099 O. (1 Oferta)

Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 109 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 650 V Seria = CoolMOS P6 Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źródło = ...

Infineon

IPW60R099P6XKSA1

od PLN 18,032*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 1kV; 5A; Idm: 27A; 290W; TO247-3 (1 Oferta)

Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 1kV Prąd drenu: 5A Rezystancja w stanie przewodzenia: 2Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 290W Polaryza...

MICROCHIP (MICROSEMI)

APT7F100B

od PLN 19,86*
za szt.

Tranzystor MOSFET N-kanałowy 98 A PG-TO252-3 80 V SMD (1 Oferta)

Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 98 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 80 V Typ opakowania = PG-TO252-3 Typ montażu = Montaż powierzchniowy

Infineon

SP005737449

od PLN 4,73*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 1kV; 14A; Idm: 56A; 403W; TO247-3 (1 Oferta)

Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 1kV Prąd drenu: 14A Rezystancja w stanie przewodzenia: 780mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 403W Pola...

MICROCHIP (MICROSEMI)

APT10078BFLLG

od PLN 91,60*
za szt.

Infineon IPB083N15N5LF tranzystor 150 V (1 Oferta)

Infineon

IPB083N15N5LFATMA1

od PLN 13 724,14*
za 1 000 szt.

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 150V; 88A; 400W; TO247-3; 150ns (1 Oferta)

Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Czas gotowości: 150ns Napięcie dren-źródło: 150V Prąd drenu: 88A Rezystancja w stanie przewodzenia: 22mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 400W...

IXYS

IXTH88N15

od PLN 17,20*
za szt.

Liczba artykułów na stronie: 10 15 20 50 100

strona: Powrót 1 .. 511 512 513 514 515 516 517 518 519 520 521 .. 1340 Dalej

Tranzystor (20 092 ofert spośród 4 765 722 artykułów)

"Tranzystor"