Kategorie
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 
 >  >  >  > Tranzystor

  Tranzystor  (20 093 ofert spośród 4 767 778 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „Tranzystor“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Zamów
Powrót
Tranzystor MOSFET z diodą N-kanałowy 40 A DirectFET izometryczny 40 V SMD 0.0035 O. (1 Oferta) 
Rodzina tranzystorów Infineon strong IRFET Power MOSFET została zoptymalizowana pod kątem niskiego poziomu RDS (włączony) i wysokiego natężenia prądu. Urządzenia te są idealne do zastosowań o niski...
Infineon
IRF6613TRPBF
od PLN 4,563*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 150V; 17,4A; Idm: 110A; 33W (1 Oferta) 
Producent: ONSEMI Montaż: THT Obudowa: TO220FP Napięcie dren-źródło: 150V Prąd drenu: 17,4A Rezystancja w stanie przewodzenia: 19mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 33W Polaryzacja: unipo...
onsemi
FDPF190N15A
od PLN 7,10*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor MOSFET N-kanałowy 97 A TDSON 100 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 97 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 100 V Typ opakowania = TDSON Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Liczba elementów na układ = 1
Infineon
ISC060N10NM6ATMA1
od PLN 4,037*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 1kV; 3A; 125W; TO220AB; 820ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO220AB Czas gotowości: 820ns Napięcie dren-źródło: 1kV Prąd drenu: 3A Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 125W Polaryzacja: unipolarny Rodzaj opakowania...
IXYS
IXTP3N100P
od PLN 9,56*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor MOSFET N-kanałowy 84 A PQFN8 80 V SMD 0,0059 oma (1 Oferta) 
Jednokanałowy tranzystor MOSFET ON Semiconductor pracuje przy napięciu 80 V i natężeniu 84 A. Może być używany w przetwornikach obniżających DC-DC, punktach obciążenia, przełącznikach o wysokiej wy...
onsemi
NTTFS5D9N08HTWG
od PLN 3,531*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 1kV; 10A; 695W; TO247-3; 70ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Czas gotowości: 70ns Napięcie dren-źródło: 1kV Prąd drenu: 10A Rezystancja w stanie przewodzenia: 1,5Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 695W P...
IXYS
IXTH10N100D2
od PLN 49,45*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor MOSFET P-kanałowy 127 ma XDFN3 20 V 10 omów (1 Oferta) 
Tranzystor ON Semiconductor Power Single N-Channel Power MOSFET działa przy napięciu -127 miliamperów i -20 woltów. Może być używany w zastosowaniach z małym obciążeniem sygnałowym, szybkim przełąc...
onsemi
NTNS2K1P021ZTCG
od PLN 5 117,52*
za 8 000 szt.
 
 opakowanie
Tranzystor MOSFET z diodą N-kanałowy 40 A PQFN 3 x 3 60 V SMD 0.001 O. (1 Oferta) 
System OptiMOS 5 60V firmy Infineon został zoptymalizowany pod kątem synchronicznej prostowania w zasilaczach Switched Mode (SMPS), takich jak serwery i komputery stacjonarne oraz ładowarka do tabl...
Infineon
BSZ100N06NSATMA1
od PLN 2,009*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 150V; 20A; 135W; TO220AB (2 ofert) 
Producent: ONSEMI Montaż: THT Obudowa: TO220AB Napięcie dren-źródło: 150V Prąd drenu: 20A Rezystancja w stanie przewodzenia: 146mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 135W Polaryzacja: unipo...
onsemi
FDP2572
od PLN 4,70*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor MOSFET z diodą N-kanałowy 100 A PQFN 5 x 6 30 V SMD 0.0014 O. (1 Oferta) 
Rodzina tranzystorów Infineon IRFH5300 to tranzystory MOSFET o dużej mocy, zoptymalizowane pod kątem niskiego poziomu RDS (włączony) i wysokiego natężenia prądu. Urządzenia te są idealne do zastoso...
Infineon
IRFH5300TRPBF
od PLN 3,748*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 1kV; 3A; 125W; TO263HV; 17ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO263HV Czas gotowości: 17ns Napięcie dren-źródło: 1kV Prąd drenu: 3A Rezystancja w stanie przewodzenia: 6Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 125W Pola...
IXYS
IXTA3N100D2HV
od PLN 11,26*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor MOSFET N-kanałowy 90 A PG-TO263-3-2 (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 90 A Typ opakowania = PG-TO263-3-2
Infineon
IPB90N06S404ATMA2
od PLN 8,172*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 1kV; 12A; Idm: 48A; 298W; D3PAK (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: SMD Obudowa: D3PAK Napięcie dren-źródło: 1kV Prąd drenu: 12A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,95Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 298W Polary...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT10090SLLG
od PLN 74,80*
za szt.
 
 szt.
Infineon
IPB100N08S2L07ATMA1
od PLN 9 316,02*
za 1 000 szt.
 
 opakowanie
Infineon
IPI111N15N3GAKSA1
od PLN 7,81*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   511   512   513   514   515   516   517   518   519   520   521   ..   1340   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.