Kategorie
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 
 >  >  >  > Tranzystor

  Tranzystor  (20 092 ofert spośród 4 765 738 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „Tranzystor“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Zamów
Powrót
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 170V; 320A; 1670W; PLUS247™ (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: PLUS247™ Napięcie dren-źródło: 170V Prąd drenu: 320A Rezystancja w stanie przewodzenia: 5,2mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 1670W Polaryzacja: unip...
IXYS
IXFX320N17T2
od PLN 89,26*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor MOSFET z diodą N-kanałowy 62 A D2PAK (TO-263) 75 V SMD 0.0126 O. (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 62 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 75 V Seria = HEXFET Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źródło = 0...
Infineon
IRF3007STRLPBF
od PLN 6,631*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor MOSFET z diodą N-kanałowy 13 A TO-220F 800 V 360 milioma (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 13 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 800 V Seria = SUPERFET III Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źródło =...
onsemi
NTPF360N80S3Z
od PLN 8,68*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 2,5kV; 1,5A; Idm: 6A; 250W; 2,5us (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO268HV Czas gotowości: 2,5µs Napięcie dren-źródło: 2,5kV Prąd drenu: 1,5A Rezystancja w stanie przewodzenia: 40Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 250...
IXYS
IXTT1N250HV
od PLN 146,55*
za szt.
 
 szt.
Infineon
IPW60R099P6XKSA1
od PLN 15,17*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 1kV; 2,7A; 150W; TO247AC (3 ofert) 
Producent: VISHAY Montaż: THT Obudowa: TO247AC Napięcie dren-źródło: 1kV Prąd drenu: 2,7A Rezystancja w stanie przewodzenia: 3,5Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 150W Polaryzacja: unipol...
Vishay
IRFPG40PBF
od PLN 7,39*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor MOSFET z diodą N-kanałowy 13 A TO-220 800 V 360 milioma (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 13 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 800 V Seria = SUPERFET III Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źródło =...
onsemi
NTP360N80S3Z
od PLN 7 228,544*
za 800 szt.
 
 opakowanie
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 175V; 150A; 880W; TO268 (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO268 Napięcie dren-źródło: 175V Prąd drenu: 150A Rezystancja w stanie przewodzenia: 12mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 880W Polaryzacja: unipolarn...
IXYS
IXFT150N17T2
od PLN 26,38*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor MOSFET z diodą N-kanałowy 7 A IPAK (TO-251) 800 V 0.75 O. (1 Oferta) 
Seria MOSFET super-połączeniowa Infineon 800V Cool MOS P7 to idealne rozwiązanie do zastosowań SMPS o niskim zapotrzebowaniu na energię, w pełni zaspokajając potrzeby rynku w zakresie wydajności, ł...
Infineon
IPS80R750P7AKMA1
od PLN 3,813*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 150V; 40A; 125W; DFN8 (2 ofert) 
Producent: ONSEMI Montaż: SMD Obudowa: DFN8 Napięcie dren-źródło: 150V Prąd drenu: 40A Rezystancja w stanie przewodzenia: 35mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 125W Polaryzacja: unipolarn...
onsemi
FDMS86200DC
od PLN 10,353*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor MOSFET z diodą N-kanałowy 145 A D2PAK (TO-263) 700 V SMD 0.065 O. (1 Oferta) 
Seria Infineon Cool MOS C7 SUPER JUJUJN MOSFET to rewolucyjny krok naprzód w dziedzinie technologii, oferujący najniższy na świecie system RDS(ON)/pakiet, a dzięki niskim stratom przełączania – pop...
Infineon
IPB65R065C7ATMA2
od PLN 21,148*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 2,5kV; 1A; 110W; 2,5us (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: ISOPLUS i4-pac™ x024c Czas gotowości: 2,5µs Napięcie dren-źródło: 2,5kV Prąd drenu: 1A Rezystancja w stanie przewodzenia: 40Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozp...
IXYS
IXTF1N250
od PLN 193,90*
za szt.
 
 szt.
Infineon
IRFH3707TRPBF
od PLN 3,075*
za 5 szt.
 
 opakowania
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 1kV; 21A; Idm: 140A; 1135W; TO264 (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO264 Napięcie dren-źródło: 1kV Prąd drenu: 21A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,38Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 1135W Polar...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT34F100L
od PLN 98,90*
za szt.
 
 szt.
Infineon
BSC028N06NSTATMA1
od PLN 27 880,60*
za 5 000 szt.
 
 opakowanie
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   511   512   513   514   515   516   517   518   519   520   521   ..   1340   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.