Kategorie
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 
 >  >  >  >  > MOSFET

  MOSFET  (22 974 ofert spośród 4 918 318 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „MOSFET“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"MOSFET"

Pojęcia nadrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Zamów
Powrót
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 55V, 28A, TO-252 (1 Oferta) 
Tranzystor MOSFET, Typ=IRLR2705TRLPBF, Ciągły prąd drenu (Id)=28 A, Czas narastania=100 ns, Czas opadania=29 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=21 ns, Czas opóźnienia włączenia=8.9 ns, Napięcie bramka-...
Infineon
IRLR2705TRLPBF
od PLN 3,03*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 10,9 A PQFN 3 x 3 250 V SMD 0.165 O. (1 Oferta) 
Produkty OptiMOS 250V firmy Infineon to wiodące w branży technologie wzorcowe, doskonale nadające się do synchronicznej prostowania systemów 48 V, przetworników DC-DC, zasilaczy awaryjnych (UPS) i ...
Infineon
BSZ16DN25NS3GATMA1
od PLN 5,453*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; 20V; 0,18A; 150mW; SOT563 (1 Oferta) 
Producent: TOSHIBA Montaż: SMD Obudowa: SOT563 Napięcie dren-źródło: 20V Prąd drenu: 0,18A Rezystancja w stanie przewodzenia: 20Ω Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 0,15W Polaryzacja: un...
Toshiba
SSM6N35FE,LM(T
od PLN 1,32*
za 5 szt.
 
 opakowanie
MOSFET N-kanałowy 10 A U-DFN2020 30 V SMD 0.016 Ω (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 10 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 30 V Typ opakowania = U-DFN2020 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 6 Maksymalna rezystancja dre...
Diodes
DMN3016LFDFQ-7
od PLN 2,365*
za 5 szt.
 
 opakowania
Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; 12V; 10A; 2W; SO8 (1 Oferta) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: SMD Obudowa: SO8 Napięcie dren-źródło: 12V Prąd drenu: 10A Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 2W Polaryzacja: unipolarny Rodzaj opakowania: rolka...
Infineon
IRF7910TRPBF
od PLN 7 604,84*
za 4 000 szt.
 
 opakowanie
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 55V, 29A, TO-263 (3 ofert) 
Tranzystor MOSFET, Typ=IRFZ34NSTRLPBF, Ciągły prąd drenu (Id)=29 A, Czas narastania=49 ns, Czas opadania=40 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=31 ns, Czas opóźnienia włączenia=7 ns, Napięcie bramka-źró...
Infineon
IRFZ34NSTRLPBF
od PLN 1,60*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 100 A 8 x 8L 40 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 100 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 40 V Typ opakowania = 8 x 8L Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 4 Tryb kanałowy = Rozszerzenie...
Vishay
SQJQ936EL-T1_GE3
od PLN 10,477*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET x2; PolarHV™; unipolarny; 500V; 13A; Idm: 55A (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: ISOPLUS i4-pac™ x024a Struktura półprzewodnika: podwójna szeregowa Czas gotowości: 200ns Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 13A Rezystancja w stanie przewod...
IXYS
FMM22-05PF
od PLN 65,26*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 10,5 A SOP 60 V SMD 0.0124 Ω (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 10,5 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 60 V Typ opakowania = SOP Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Maksymalna rezystancja dren-źr...
ROHM Semiconductor
SH8KC7TB1
od PLN 4,064*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET + Schottky; unipolarny; 20V; 1,5A; Idm: 3A (1 Oferta) 
Producent: ROHM SEMICONDUCTOR Montaż: SMD Obudowa: TSOT25 Napięcie dren-źródło: 20V Prąd drenu: 1,5A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,31Ω Typ tranzystora: N-MOSFET + Schottky Moc rozpraszana: 1...
ROHM Semiconductor
QS5U34TR
od PLN 0,64*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 100 A D2PAK (TO-263) 40 V SMD 0.0033 O. (1 Oferta) 
Seria produktów OptiMOS firmy Infineon jest dostępna w pakietach o wysokiej wydajności, które zapewniają pełną elastyczność w ograniczonej przestrzeni. Te produkty firmy Infineon zostały zaprojekto...
Infineon
IPB100N04S204ATMA4
od PLN 11,328*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 540 mA SOT-563 20 V SMD 250 mW 900 miliomów (2 ofert) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 540 mA Maksymalne napięcie dren-źródło = 20 V Typ opakowania = SOT-563 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 6 Maksymalna rezystancja dre...
onsemi
NTZD3154NT1G
od PLN 0,325*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 10 A, 16 A PowerPAK 8 x 8 650 V SMD 0.193 Ω (1 Oferta) 
Vishay SIH186N60EF-T1GE3 to tranzystor MOSFET z serii EF z diodą szybkiego korpusu.Technologia czwartej generacji serii E. Niska wartość merytoryczną Niska efektywna pojemność Ograniczenie strat pr...
Vishay
SIHH186N60EF-T1GE3
od PLN 9,362*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 910 mA SC-88 20 V SMD 550 mW 440 miliomów (2 ofert) 
To urządzenie N-Channel Dual zostało zaprojektowane z wykorzystaniem pakietu o niewielkich rozmiarach (2x2 mm) z wiodącym procesem planowym ON Semiconductor w zakresie niewielkich rozmiarów i zwięk...
onsemi
NTJD4401NT1G
od PLN 0,358*
za szt.
 
 szt.
Infineon
IPB100N06S2L05ATMA2
od PLN 6,304*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   491   492   493   494   495   496   497   498   499   500   501   ..   1532   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.