 | | | | |
Fotografia | | | | Zamów |
|
|
|
|
|
od PLN 22 630,992*
za 4 800 szt. |
|
|
Tranzystory mocy MOSFET, seria E, Kanał N, 800V, 2.9A, TO-252 (3 ofert) Nazwa produktu=Tranzystory mocy MOSFET, seria E, Typ=SIHD2N80AE-GE3, Ciągły prąd drenu (Id)=2.9 A, Czas narastania=8 ns, Czas opadania=23 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=10 ns, Czas opóźnienia włącz... |
|
od PLN 2,221*
za szt. |
|
|
MOSFET N-kanałowy 119 A HiP247 650 V 0,024 oma (2 ofert) Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 119 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 650 V Typ opakowania = HiP247 Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źród... |
ST Microelectronics SCTW90N65G2V |
od PLN 116,28*
za szt. |
|
|
MOSFET N-kanałowy 12 A SO-8 60 V SMD (1 Oferta) Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 12 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 60 V Typ opakowania = SO-8 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Tryb kanałowy = Rozszerzenie Ma... |
|
od PLN 2,724*
za szt. |
|
|
|
|
od PLN 7,715*
za szt. |
|
|
|
|
od PLN 12 247,60*
za 5 000 szt. |
|
|
MOSFET N-kanałowy 12 A TO-220 700 V 0.19 Ω (1 Oferta) Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 12 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 700 V Typ opakowania = TO-220 Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źródł... |
Infineon IPP65R190CFD7XKSA1 |
od PLN 5,862*
za szt. |
|
|
|
|
od PLN 14,92*
za szt. |
|
|
|
|
od PLN 5,77*
za 5 szt. |
|
|
|
|
od PLN 3 794,88*
za 1 000 szt. |
|
|
MOSFET N-kanałowy 12 A TO-220 100 V (1 Oferta) Infineon IPP129N10NF2S to tranzystor mocy N MOSFET. Napięcie źródła spustu tego tranzystora mosfet wynosi 100 V. Obsługuje szeroki zakres zastosowań, a standardowy system styków umożliwia wymianę. ... |
Infineon IPP129N10NF2SAKMA1 |
od PLN 2,515*
za szt. |
|
|
|
|
od PLN 5,21*
za szt. |
|
|
|
|
od PLN 1,61*
za szt. |
|
|
|
ST Microelectronics STB12NM50T4 |
od PLN 5 037,26*
za 1 000 szt. |
|
|
|
|
od PLN 4,611*
za szt. |
|
|
