MOSFET kup korzystnie w Mercateo (strona 499/814)

Fotografia

Artykuł

Producent/nr

Cena

Zamów

MOSFET N-kanałowy 18 A TO-268 1000 V SMD Pojedynczy 830 W 660 miliomów (2 ofert)

N-kanałowy MOSFET, IXYS Seria HiperFET™ Q3. Tranzystory zasilające IXYS klasy Q3 HiperFET™ MOSFET są odpowiednie zarówno do przełączania w trybie trudnym, jak i w trybie rezonansowym, a także zapew...

IXYS

IXFT18N100Q3

od PLN 59,80*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolarny; 60V; 12A; 30W; IPAK (1 Oferta)

Producent: STMicroelectronics Montaż: THT Obudowa: IPAK Napięcie dren-źródło: 60V Prąd drenu: 12A Rezystancja w stanie przewodzenia: 90mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 30W Polaryzacja:...

ST Microelectronics

STD12NF06L-1

od PLN 1,24*
za szt.

MOSFET N-kanałowy 19 A DPAK (TO-252) 600 V SMD Pojedynczy 156 W 201 mΩ (2 ofert)

Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 19 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 600 V Typ opakowania = DPAK (TO-252) Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancj...

Vishay

SIHD186N60EF-GE3

od PLN 5,109*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; SuperMESH3™; unipolarny; 950V; 4,5A; 150W (1 Oferta)

Producent: STMicroelectronics Montaż: THT Obudowa: TO247 Napięcie dren-źródło: 950V Prąd drenu: 4,5A Rezystancja w stanie przewodzenia: 1,35Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 150W Polaryz...

ST Microelectronics

STW7N95K3

od PLN 5,84*
za szt.

Infineon IRL60HS118 tranzystor 60 V (2 ofert)

Infineon

IRL60HS118

od PLN 1,575*
za szt.

Infineon IPW60R125CFD7 tranzystor 600 V (1 Oferta)

Infineon

IPW60R125CFD7XKSA1

od PLN 15,164*
za szt.

MOSFET N-kanałowy 18,7 A SO-8 100 V SMD 0.01 Ω (1 Oferta)

Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 18,7 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 100 V Typ opakowania = SO-8 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Maksymalna rezystancja dren-...

Vishay

Si4090BDY-T1-GE3

od PLN 13,715*
za 5 szt.

Infineon IRF1404ZS tranzystor 100 V (2 ofert)

Infineon

IRF1404ZSTRLPBF

od PLN 3,90*
za szt.

Infineon IPB010N06N tranzystor 150 V (2 ofert)

Infineon

IPB010N06NATMA1

od PLN 17,979*
za szt.

Infineon IPZA60R180P7 tranzystor 600 V (2 ofert)

Infineon

IPZA60R180P7XKSA1

od PLN 8,45*
za szt.

Infineon IPB017N10N5LF tranzystor 100 V (1 Oferta)

Infineon

IPB017N10N5LFATMA1

od PLN 19,463*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 1,2kV; 24A; 520W (1 Oferta)

Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: ISOPLUS i5-pac™ Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 24A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,34Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 520W Polaryzacja...

IXYS

IXFL32N120P

od PLN 184,40*
za szt.

MOSFET N-kanałowy 18 A TO-263-7 1200 V SMD (1 Oferta)

Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 18 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 1200 V Typ opakowania = TO-263-7 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 7 Liczba elementów na układ...

Infineon

IMBG120R220M1HXTMA1

od PLN 17,451*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; SuperMESH3™; unipolarny; 620V; 1,7A; 45W (1 Oferta)

Producent: STMicroelectronics Montaż: THT Obudowa: IPAK Napięcie dren-źródło: 620V Prąd drenu: 1,7A Rezystancja w stanie przewodzenia: 2,5Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 45W Polaryzacj...

ST Microelectronics

STU3N62K3

od PLN 1,03*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 1,2kV; 3A; 200W; TO220AB; 700ns (1 Oferta)

Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO220AB Czas gotowości: 700ns Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 3A Rezystancja w stanie przewodzenia: 4,5Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 200W...

IXYS

IXTP3N120

od PLN 20,51*
za szt.

Liczba artykułów na stronie: 10 15 20 50 100

strona: Powrót 1 .. 491 492 493 494 495 496 497 498 499 500 501 .. 814 Dalej

MOSFET (12 209 ofert spośród 4 770 560 artykułów)

"MOSFET"