 | | | | |
Fotografia | | | | Zamów |
|
|
|
|
|
od PLN 1,161*
za szt. |
|
|
|
Infineon IPB120N04S402ATMA1 |
od PLN 5,933*
za szt. |
|
|
|
|
od PLN 104,97*
za szt. |
|
|
|
Infineon IPB120N06S4H1ATMA2 |
od PLN 7,738*
za szt. |
|
|
|
Genesic Semiconductor G3R160MT12D |
od PLN 20,33*
za szt. |
|
|
MOSFET N-kanałowy 26 A TO-247 1200 V (2 ofert) Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 26 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 1200 V Typ opakowania = TO-247 Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 3 Liczba elementów na układ = 1 |
Infineon IMW120R090M1HXKSA1 |
od PLN 26,831*
za szt. |
|
|
|
|
od PLN 12,589*
za szt. |
|
|
|
|
od PLN 15,22*
za szt. |
|
|
|
|
od PLN 8,482*
za szt. |
|
|
|
|
od PLN 13,38*
za szt. |
|
|
MOSFET N-kanałowy 120 A TO-263 60 V SMD (2 ofert) Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 120 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 60 V Typ opakowania = TO-263 Typ montażu = Montaż powierzchniowy |
|
od PLN 8,45*
za szt. |
|
|
|
ROHM Semiconductor SCT3040KLGC11 |
od PLN 158,20*
za szt. |
|
|
|
|
od PLN 5,55*
za 5 szt. |
|
|
MOSFET N-kanałowy 120 A TO-220AB 100 V SMD (1 Oferta) Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 120 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 100 V Typ opakowania = TO-220AB Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Tryb kanałowy = Rozszerze... |
ROHM Semiconductor RX3P07CBHC16 |
od PLN 9,422*
za szt. |
|
|
MOSFET N-kanałowy 121 A TDSON-8 FL 40 V SMD (1 Oferta) Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 121 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 40 V Typ opakowania = TDSON-8 FL Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Liczba elementów na ukła... |
Infineon ISC028N04NM5ATMA1 |
od PLN 2,167*
za szt. |
|
|
