Kategorie
Polska
Polski
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  >  > MOSFET

  MOSFET  (12 221 ofert spośród 4 800 313 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „MOSFET“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"MOSFET"

Pojęcia nadrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Artykuł ^v
Producent/nr ^v
Cena ^v
Zamów
Powrót
MOSFET N-kanałowy 120 A ECOPACK 40 V SMD (2 ofert) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 120 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 40 V Typ opakowania = ECOPACK Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 4 Tryb kanałowy = Rozszerzeni...
ST Microelectronics
STL260N4F7
od PLN 5,186*
za szt.
 
 szt.
Infineon IAUC120N04S6L009 tranzystor 40 V (1 Oferta)
Infineon
IAUC120N04S6L009ATMA1
od PLN 3,64686*
za szt.
 
 szt.
Infineon IAUA120N04S5N014 tranzystor 40 V (1 Oferta)
Infineon
IAUA120N04S5N014AUMA1
od PLN 3,544*
za szt.
 
 szt.
Infineon IPN70R360P7S tranzystor 900 V (1 Oferta)
Infineon
IPN70R360P7SATMA1
od PLN 6,91*
za 5 szt.
 
 opakowania
MOSFET N-kanałowy 120 A PG-TDSON 60 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 120 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 60 V Typ opakowania = PG-TDSON Typ montażu = Montaż powierzchniowy
Infineon
IAUC120N06S5L032ATMA1
od PLN 2,50525*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; Polar™; unipolarny; 1kV; 1,4A; Idm: 3A; 63W (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO263 Czas gotowości: 750ns Napięcie dren-źródło: 1kV Prąd drenu: 1,4A Rezystancja w stanie przewodzenia: 11,8Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 63W P...
IXYS
IXTA1R4N100P
od PLN 6,77*
za szt.
 
 szt.
Infineon IAUC120N04S6N010 tranzystor 40 V (1 Oferta)
Infineon
IAUC120N04S6N010ATMA1
od PLN 3,7884*
za szt.
 
 szt.
Infineon IPAN70R360P7S tranzystor 700 V (2 ofert)
Infineon
IPAN70R360P7SXKSA1
od PLN 2,82*
za szt.
 
 szt.
Infineon IPP034N08N5 tranzystor 200 V (1 Oferta)
Infineon
IPP034N08N5AKSA1
od PLN 374,62*
za 50 szt.
 
 opakowanie
Tranzystor: N-MOSFET; Polar™; unipolarny; 1kV; 20A; 660W; TO247-3 (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Czas gotowości: 300ns Napięcie dren-źródło: 1kV Prąd drenu: 20A Rezystancja w stanie przewodzenia: 570mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 660W...
IXYS
IXFH20N100P
od PLN 33,98*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 120 A PG-TDSON 60 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 120 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 60 V Typ opakowania = PG-TDSON Typ montażu = Montaż powierzchniowy
Infineon
IAUC120N06S5N017ATMA1
od PLN 4,39445*
za szt.
 
 szt.
Infineon IPB038N12N3 G tranzystor 40 V (1 Oferta)
Infineon
IPB038N12N3GATMA1
od PLN 13 188,12*
za 1 000 szt.
 
 opakowanie
MOSFET N-kanałowy 120 A PG-TO252-3 60 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 120 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 60 V Typ opakowania = PG-TO252-3 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Tryb kanałowy = Rozszerz...
Infineon
IPD038N06NF2SATMA1
od PLN 2 782,02*
za 2 000 szt.
 
 opakowanie
Infineon IPB048N15N5 tranzystor 150 V (1 Oferta)
Infineon
IPB048N15N5ATMA1
od PLN 16,439*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 120 A PG-TO263-3 60 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 120 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 60 V Typ opakowania = PG-TO263-3 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Tryb kanałowy = Rozszerz...
Infineon
IPB029N06NF2SATMA1
od PLN 3,132*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   491   492   493   494   495   496   497   498   499   500   501   ..   815   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.