Kategorie
Polska
Polski
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  >  > MOSFET

  MOSFET  (21 892 ofert spośród 4 767 748 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „MOSFET“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"MOSFET"

Pojęcia nadrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Artykuł ^v
Producent/nr ^v
Cena ^v
Zamów
Powrót
MOSFET N-kanałowy 50 A TISON-8 25 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 50 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 25 V Typ opakowania = TISON-8 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Liczba elementów na układ = 2
Infineon
BSG0810NDIATMA1
od PLN 24 801,85*
za 5 000 szt.
 
 opakowanie
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 3,9A; 125W; TO220AB (1 Oferta) 
Producent: VISHAY Montaż: THT Obudowa: TO220AB Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 3,9A Rezystancja w stanie przewodzenia: 1,2Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 125W Polaryzacja: unipo...
Vishay
IRFBC40LCPBF
od PLN 3,39*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 51 A 8 x 8LR 600 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 51 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 600 V Typ opakowania = 8 x 8LR Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Tryb kanałowy = Rozszerzeni...
Vishay
SIHR080N60E-T1-GE3
od PLN 22,023*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 2A; Idm: 8A; 23W; TO220FP (1 Oferta) 
Producent: YANGJIE TECHNOLOGY Montaż: THT Obudowa: TO220FP Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 2A Rezystancja w stanie przewodzenia: 4,5Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 23W Polaryzac...
YANGJIE TECHNOLOGY
YJ2N60CI
od PLN 0,48*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 50 A TO-247-4 600 V 40 MO (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 50 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 600 V Seria = CoolMOS™ C7 Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 4 Maksymalna rezystancja dren-źródło = ...
Infineon
IPZ60R040C7XKSA1
od PLN 33,26*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 50 A D2PAK (TO-263) 700 V SMD 0.041 Ω (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 50 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 700 V Seria = CoolMOS Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źródło =...
Infineon
IPB65R041CFD7ATMA1
od PLN 20,519*
za szt.
 
 szt.
Infineon IPL60R105P7 tranzystor 600 V (2 ofert)
Infineon
IPL60R105P7AUMA1
od PLN 8,114*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 50 A TO-220 600 V 40 MO (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 50 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 600 V Typ opakowania = TO-220 Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źródł...
Infineon
IPP60R040C7XKSA1
od PLN 31,615*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 51 A D2PAK (TO-263) 55 V SMD 0.0136 Ω (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 51 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 55 V Seria = HEXFET Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źródło = 0...
Infineon
IRFZ46ZSTRLPBF
od PLN 4,427*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 50 A TO-247AC 300 V (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 50 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 300 V Typ opakowania = TO-247AC Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 3 Liczba elementów na układ = 1
Infineon
IRF300P227
od PLN 23,536*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 43A; Idm: 172A; 565W; TO264 (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO264 Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 43A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,13Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 565W Polar...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT6013LLLG
od PLN 102,04*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 50 A DPAK (TO-252) 100 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 50 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 100 V Typ opakowania = DPAK (TO-252) Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Liczba elementów na u...
Infineon
IPD50N10S3L16ATMA1
od PLN 4,738*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 21A; 192W; PG-TO262-3 (1 Oferta) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: THT Obudowa: PG-TO262-3 Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 21A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,165Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 192W...
Infineon
IPI60R165CPAKSA1
od PLN 9,53*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 50 A TO-220AB 60 V (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 50 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 60 V Typ opakowania = TO-220AB Typ montażu = Otwór przezierny
Vishay
IRFZ44PBF
od PLN 4,771*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 30A; 164W; D2PAK (1 Oferta) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: SMD Obudowa: D2PAK Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 30A Rezystancja w stanie przewodzenia: 60mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 164W Polary...
Infineon
IPB60R060P7ATMA1
od PLN 17,45*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   811   812   813   814   815   816   817   818   819   820   821   ..   1460   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.