Kategorie
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 
 >  >  >  >  > MOSFET

  MOSFET  (21 581 ofert spośród 4 766 222 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „MOSFET“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"MOSFET"

Pojęcia nadrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Zamów
Powrót
Infineon
IPW60R040CFD7XKSA1
od PLN 829,0701*
za 30 szt.
 
 opakowanie
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 7,3A; 63W; PG-TO220-3 (1 Oferta) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: THT Obudowa: PG-TO220-3 Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 7,3A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,6Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 63W P...
Infineon
IPP60R600E6XKSA1
od PLN 2,80*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 5,1 A SOT-223 55 V SMD (2 ofert) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 5,1 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 55 V Typ opakowania = SOT-223 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 4 Tryb kanałowy = Rozszerzeni...
Infineon
IRFL024ZTRPBF
od PLN 1,064*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 7A; 75W; TO220FP; 500ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO220FP Czas gotowości: 0,5µs Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 7A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,55Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 75W ...
IXYS
IXTP14N60PM
od PLN 9,22*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 500 A PowerPAK SO-8L 30 V SMD 0.00094 Ω (2 ofert) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 500 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 30 V Seria = TrenchFET Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 4 Maksymalna rezystancja dren-źródło...
Vishay
SQJ126EP-T1_GE3
od PLN 2,983*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 8,5A; TO220FP; 390ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO220FP Czas gotowości: 390ns Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 8,5A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,165Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Polaryzacja: unipo...
IXYS
IXKP24N60C5M
od PLN 9,11*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 50 A TO-247-4 650 V 0.05 Ω (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 50 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 650 V Seria = CoolSiC Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 4 Maksymalna rezystancja dren-źródło = 0.05...
Infineon
IMZA65R039M1HXKSA1
od PLN 41,616*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 60V; 0,2A; 0,35W; TO92 (1 Oferta) 
Producent: DIOTEC SEMICONDUCTOR Montaż: THT Obudowa: TO92 Napięcie dren-źródło: 60V Prąd drenu: 0,2A Rezystancja w stanie przewodzenia: 6Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 0,35W Polaryzac...
DIOTEC SEMICONDUCTOR
2N7000
od PLN 1,26*
za 10 szt.
 
 opakowanie
MOSFET N-kanałowy 5,2 A TSSOP-8 20 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 5,2 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 20 V Typ opakowania = TSSOP-8 Typ montażu = Montaż powierzchniowy
Vishay
SI6968BEDQ-T1-E3
od PLN 6 456,24*
za 3 000 szt.
 
 opakowanie
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 8,5A; 40W; TO220FP (1 Oferta) 
Producent: STMicroelectronics Montaż: THT Obudowa: TO220FP Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 8,5A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,5Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 40W Polaryz...
ST Microelectronics
STP14NK60ZFP
od PLN 5,79*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 500 mA SC-89-6 20 V SMD 0.396 O. (2 ofert) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 500 mA Maksymalne napięcie dren-źródło = 20 V Seria = TrenchFET Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 6 Maksymalna rezystancja dren-źródł...
Vishay
SI1034CX-T1-GE3
od PLN 0,399*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 8A; 24W; TO220FP (1 Oferta) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: THT Obudowa: TO220FP Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 8A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,28Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 24W Polar...
Infineon
IPA60R280P7
od PLN 6,60*
za szt.
 
 szt.
Infineon
IPD50N12S3L15ATMA1
od PLN 8 449,525*
za 2 500 szt.
 
 opakowanie
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 7,8A; 32,1W; TO220FP (1 Oferta) 
Producent: TAIWAN SEMICONDUCTOR Montaż: THT Obudowa: TO220FP Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 7,8A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,26Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 32,1W Po...
Taiwan Semiconductor
TSM60NB260CI C0G
od PLN 8,64*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 504 A SO-8SW 40 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 504 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 40 V Typ opakowania = SO-8SW Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Tryb kanałowy = Rozszerzenie...
Vishay
SQRS140ELP-T1_GE3
od PLN 7,453*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   811   812   813   814   815   816   817   818   819   820   821   ..   1439   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.