 | | | | |
Fotografia | | | | Zamów |
|
|
|
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 40V, 162A, D2PAK (3 ofert) Tranzystor MOSFET, Typ=IRF1404STRLPBF, Ciągły prąd drenu (Id)=162 A, Czas narastania=140 ns, Czas opadania=26 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=72 ns, Czas opóźnienia włączenia=17 ns, Napięcie bramka-... |
|
od PLN 4,004*
za szt. |
|
|
|
|
od PLN 32,926*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; GenX3™; 600V; 120A; 780W; PLUS247™ (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: PLUS247™ Napięcie kolektor-emiter: 600V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 120A Prąd kolektora w impulsie: 600A Czas załączania: 123ns Czas wyłączan... |
|
od PLN 53,33*
za szt. |
|
|
|
|
od PLN 2,89*
za szt. |
|
|
IGBT Ic 104 A Uce 650 V 1 TO-247GE 288 W (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 104 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±30V Liczba tranzystorów = 1 Typ opakowania = TO-247GE |
ROHM Semiconductor RGWSX2TS65DGC13 |
od PLN 18,285*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; GenX3™; 650V; 200A; 1,56kW; TO264 (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO264 Napięcie kolektor-emiter: 650V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 200A Prąd kolektora w impulsie: 1,1kA Czas załączania: 170ns Czas wyłączania... |
|
od PLN 94,61*
za szt. |
|
|
|
|
od PLN 5,73*
za szt. |
|
|
IGBT Ic 100 A Uce 1200 V PG-TO247-3-46 652 W (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 100 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Maksymalna strata mocy = 652 W Typ opakowania = PG-TO247-3-46 |
Infineon IKQ50N120CH3XKSA1 |
od PLN 34,814*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; GenX3™; 650V; 20A; 200W; TO220-3 (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO220-3 Napięcie kolektor-emiter: 650V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 20A Prąd kolektora w impulsie: 105A Czas załączania: 51ns Czas wyłączania:... |
|
od PLN 7,94*
za szt. |
|
|
|
|
od PLN 2,501*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; GenX3™; 600V; 50A; 600W; TO247-3 (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 600V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 50A Prąd kolektora w impulsie: 200A Czas załączania: 69ns Czas wyłączania:... |
|
od PLN 33,81*
za szt. |
|
|
|
Infineon BSC014N04LSIATMA1 |
od PLN 5,493*
za szt. |
|
|
IGBT Ic 104 A Uce 650 V 1 TO-247GE 288 W (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 104 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±30V Maksymalna strata mocy = 288 W Typ opakowania = TO-247GE |
ROHM Semiconductor RGWSX2TS65DGC13 |
od PLN 9 506,922*
za 600 szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; GenX3™; 600V; 200A; 1,63kW; TO264 (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO264 Napięcie kolektor-emiter: 600V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 200A Prąd kolektora w impulsie: 900A Czas załączania: 143ns Czas wyłączania:... |
|
od PLN 77,61*
za szt. |
|
|
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 40V, 200A, TO-263 (4 ofert) Tranzystor MOSFET, Typ=IRL1404ZSTRLPBF, Ciągły prąd drenu (Id)=200 A, Czas narastania=180 ns, Czas opadania=49 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=30 ns, Czas opóźnienia włączenia=19 ns, Napięcie bramka... |
|
od PLN 3,928*
za szt. |
|
|
