 | | | | |
Fotografia | | | | Zamów |
|
|
|
|
Infineon BSC059N04LSGATMA1 |
od PLN 1,27*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; GenX3™; 650V; 9A; 57W; TO220FP (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO220FP Napięcie kolektor-emiter: 650V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 9A Prąd kolektora w impulsie: 80A Czas załączania: 36ns Czas wyłączania: 1... |
|
od PLN 9,14*
za szt. |
|
|
|
|
od PLN 2,10*
za szt. |
|
|
|
Infineon 1ED44175N01BXTSA1 |
od PLN 1,973*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; GenX3™; 650V; 20A; 200W; TO263 (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO263 Napięcie kolektor-emiter: 650V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 20A Prąd kolektora w impulsie: 105A Czas załączania: 51ns Czas wyłączania: 1... |
|
od PLN 10,20*
za szt. |
|
|
|
Infineon BSC046N02KSGAUMA1 |
od PLN 5,76*
za szt. |
|
|
IGBT Ic 141 A Uce 1200 V Super-TO-220 543 W (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 141 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Maksymalna strata mocy = 543 W Typ opakowania = Super-TO-220 |
|
od PLN 23,076*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; GenX3™; 600V; 50A; 600W; TO220-3 (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO220-3 Napięcie kolektor-emiter: 600V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 50A Prąd kolektora w impulsie: 200A Czas załączania: 75ns Czas wyłączania:... |
|
od PLN 24,57*
za szt. |
|
|
|
|
od PLN 1,942*
za szt. |
|
|
|
ST Microelectronics STGW100H65FB2-4 |
od PLN 19,945*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; GenX3™; 900V; 50A; 400W; TO247-3 (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 900V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 50A Prąd kolektora w impulsie: 200A Czas załączania: 48ns Czas wyłączania:... |
|
od PLN 28,46*
za szt. |
|
|
|
|
od PLN 1,83*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; GenX3™; 900V; 24A; 240W; TO247-3 (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 900V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 24A Prąd kolektora w impulsie: 110A Czas załączania: 60ns Czas wyłączania:... |
|
od PLN 20,91*
za szt. |
|
|
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 40V, 85A, SuperSO8 (3 ofert) Tranzystor MOSFET, Typ=BSC050N04LSGATMA1, Ciągły prąd drenu (Id)=85 A, Czas narastania=3.8 ns, Czas opadania=4.2 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=26 ns, Czas opóźnienia włączenia=6.4 ns, Napięcie bra... |
Infineon BSC050N04LSGATMA1 |
od PLN 1,782*
za szt. |
|
|
IGBT Ic 115 A Uce 650 V 1 TO-247 Pojedynczy 357 W (1 Oferta) Bramka STMicroelectronics Field-stop, 650 V, 75 A, szybka seria IGBT HB2 w pakiecie DO 247 długich odprowadzeń.Maksymalna temperatura połączenia: TJ = 175 °C. Niskie VCE (SAT) = 1.55 V (typowo) PRZ... |
ST Microelectronics STGWA75H65DFB2 |
od PLN 18,953*
za szt. |
|
|
