Podgląd | "Tranzystor"Pojęcia nadrzędne Pojęcia podrzędne |
|  | | | | | | Fotografia | | | | Zamów | | | |
|
|
od PLN 56,89*
za szt. |
| |
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 500V, 34A, TO-247 (3 ofert) Tranzystor MOSFET, Typ=IXFH34N50P3, Ciągły prąd drenu (Id)=34 A, Czas narastania=57 ns, Czas opadania=9 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=40 ns, Czas opóźnienia włączenia=23 ns, Napięcie bramka-źródło... |
|
od PLN 21,31*
za szt. |
| |
IGBT Ic 15 A Uce 650 V 1 TO-220 kanał: N 33,3 W (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 15 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20 V, ±30V Maksymalna strata mocy = 33,3 W Typ opakowania = TO-220 Typ monta... |
|
od PLN 6,985*
za szt. |
| |
Tranzystor: IGBT; GenX3™; 650V; 100A; 830W; PLUS247™ (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: PLUS247™ Napięcie kolektor-emiter: 650V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 100A Prąd kolektora w impulsie: 460A Czas załączania: 65ns Czas wyłączani... |
|
od PLN 62,11*
za szt. |
| |
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 500V, 36A, TO-247 (2 ofert) Tranzystor MOSFET, Typ=IXFH36N50P, Ciągły prąd drenu (Id)=36 A, Czas narastania=27 ns, Czas opadania=21 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=75 ns, Czas opóźnienia włączenia=25 ns, Napięcie bramka-źródło... |
|
od PLN 35,17*
za szt. |
| |
IGBT Ic 150 A Uce 1200 V 20 mW (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 150 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 20V Maksymalna strata mocy = 20 mW |
Infineon FP150R12N3T7B11BPSA1 |
od PLN 1 131,783*
za szt. |
| |
Tranzystor: IGBT; GenX4™; 650V; 70A; 455W; PLUS247™ (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: PLUS247™ Napięcie kolektor-emiter: 650V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 70A Prąd kolektora w impulsie: 490A Czas załączania: 65ns Czas wyłączania... |
|
od PLN 47,03*
za szt. |
| |
IGBT Ic 145 A Uce 650 V 1 TO-247 Pojedynczy 441 W (2 ofert) Bramka STMicroelectronics Field-stop, 650 V, 100 A, szybka seria IGBT HB2 w pakiecie DO 247 długich odprowadzeń.Maksymalna temperatura połączenia: TJ = 175 °C. Niskie VCE (SAT) = 1.55 V (typowo) PR... |
ST Microelectronics STGWA100H65DFB2 |
od PLN 17,273*
za szt. |
| |
Tranzystor: IGBT; GenX4™; 650V; 30A; 230W; TO247-3 (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 650V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 30A Prąd kolektora w impulsie: 136A Czas załączania: 65ns Czas wyłączania:... |
|
od PLN 15,66*
za szt. |
| |
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 500V, 44A, TO-247 (3 ofert) Tranzystor MOSFET, Typ=IXFH44N50P, Ciągły prąd drenu (Id)=44 A, Czas narastania=29 ns, Czas opadania=27 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=85 ns, Czas opóźnienia włączenia=28 ns, Napięcie bramka-źródło... |
|
od PLN 29,89*
za szt. |
| |
IGBT Ic 141 A Uce 1200 V TO-247AC 543 W (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 141 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Maksymalna strata mocy = 543 W Typ opakowania = TO-247AC |
|
od PLN 36,92*
za szt. |
| |
Tranzystor: IGBT; GenX3™; 900V; 40A; 500W; TO247-3 (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 900V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 40A Prąd kolektora w impulsie: 180A Czas załączania: 81ns Czas wyłączania:... |
|
od PLN 26,36*
za szt. |
| |
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 500V, 44A, TO-247 (2 ofert) Tranzystor MOSFET, Typ=IXFH44N50Q3, Ciągły prąd drenu (Id)=44 A, Czas narastania=13 ns, Czas opadania=9 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=37 ns, Czas opóźnienia włączenia=30 ns, Napięcie bramka-źródło... |
|
od PLN 53,75*
za szt. |
| |
|
Infineon IKQ75N120CS6XKSA1 |
od PLN 28,688*
za szt. |
| |
|
|
od PLN 94,36*
za szt. |
| |
|
