Podgląd | "Tranzystor"Pojęcia nadrzędne Pojęcia podrzędne |
|  | | | | | | Fotografia | | | | Zamów | | | |
|
|
od PLN 1,938*
za szt. |
| |
IGBT Ic 145 A Uce 650 V 1 TO-247 Pojedynczy 441 W (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 145 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Maksymalna strata mocy = 441 W Typ opakowania = TO-247 Liczba styków = ... |
ST Microelectronics STGWA100H65DFB2 |
od PLN 21,758*
za szt. |
| |
Tranzystor: IGBT; GenX3™; 600V; 50A; 600W; TO247-3 (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 600V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 50A Prąd kolektora w impulsie: 200A Czas załączania: 75ns Czas wyłączania:... |
|
od PLN 31,54*
za szt. |
| |
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 500V, 100A, ISOPLUS264 (2 ofert) Tranzystor MOSFET, Typ=IXFB100N50Q3, Ciągły prąd drenu (Id)=100 A, Czas narastania=20 ns, Czas opadania=15 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=50 ns, Czas opóźnienia włączenia=40 ns, Napięcie bramka-źró... |
|
od PLN 128,11*
za szt. |
| |
|
Infineon IKW15N120CS7XKSA1 |
od PLN 481,2501*
za 30 szt. |
| |
Tranzystor: IGBT; GenX3™; 900V; 8A; 125W; TO263 (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO263 Napięcie kolektor-emiter: 900V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 8A Prąd kolektora w impulsie: 48A Czas załączania: 39ns Czas wyłączania: 238... |
|
od PLN 12,35*
za szt. |
| |
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 500V, 10A, TO-220AB (1 Oferta) Tranzystor MOSFET, Typ=STP11NK50Z, Ciągły prąd drenu (Id)=10 A, Czas narastania=18 ns, Czas opadania=15 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=41 ns, Czas opóźnienia włączenia=14.5 ns, Napięcie bramka-źród... |
|
od PLN 10,63*
za szt. |
| |
|
|
od PLN 1,57*
za szt. |
| |
Tranzystor: IGBT; GenX3™; 900V; 60A; 750W; TO247-3 (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 900V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 60A Prąd kolektora w impulsie: 310A Czas załączania: 104ns Czas wyłączania... |
|
od PLN 19,93*
za szt. |
| |
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 500V, 12A, TO-220FP (1 Oferta) Tranzystor MOSFET, Typ=STP12NM50FP, Ciągły prąd drenu (Id)=12 A, Czas narastania=10 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=-999, Czas opóźnienia włączenia=20 ns, Napięcie bramka-źródło=30 V, Napięcie źródł... |
|
od PLN 20,39*
za szt. |
| |
|
|
od PLN 29,563*
za szt. |
| |
Tranzystor: IGBT; GenX3™; 650V; 30A; 270W; TO247-3 (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 650V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 30A Prąd kolektora w impulsie: 118A Czas załączania: 59ns Czas wyłączania:... |
|
od PLN 24,10*
za szt. |
| |
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 500V, 132A, ISOPLUS264 (3 ofert) Tranzystor MOSFET, Typ=IXFB132N50P3, Ciągły prąd drenu (Id)=132 A, Czas narastania=18 ns, Czas opadania=15 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=90 ns, Czas opóźnienia włączenia=42 ns, Napięcie bramka-źró... |
|
od PLN 70,43*
za szt. |
| |
IGBT Ic 146 A Uce 600 V 1 SOT-227 kanał: N 446 W (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 146 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 600 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ± 20V Maksymalna strata mocy = 446 W Typ opakowania = SOT-227 Typ montażu = ... |
|
od PLN 122,35*
za szt. |
| |
Tranzystor: IGBT; GenX3™; 600V; 60A; 380W; TO268 (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO268 Napięcie kolektor-emiter: 600V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 60A Prąd kolektora w impulsie: 300A Czas załączania: 54ns Czas wyłączania: 1... |
|
od PLN 18,10*
za szt. |
| |
|
