 | | | | |
Fotografia | | | | Zamów |
|
|
|
IGBT Ic 2,2 A Uce 600 V 1 PG-SOT223-3 5,1 W (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 2,2 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 600 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 20V Maksymalna strata mocy = 5,1 W Typ opakowania = PG-SOT223-3 |
|
od PLN 2 372,07*
za 3 000 szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; PT; 600V; 68A; 520W; TO247-3 (1 Oferta) Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 600V Napięcie bramka - emiter: ±30V Prąd kolektora: 68A Prąd kolektora w impulsie: 202A Czas załączania: 46ns... |
MICROCHIP (MICROSEMI) APT68GA60B |
od PLN 33,87*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; NPT; 1,2kV; 50A; 625W; T-Max (1 Oferta) Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: T-Max Napięcie kolektor-emiter: 1,2kV Napięcie bramka - emiter: ±30V Prąd kolektora: 50A Prąd kolektora w impulsie: 150A Czas załączania: 77ns ... |
MICROCHIP (MICROSEMI) APT50GT120B2RG |
od PLN 68,43*
za szt. |
|
|
|
Infineon BSS670S2LH6327XTSA1 |
od PLN 0,264*
za szt. |
|
|
IGBT Ic 25 A Uce 1200 V 7 EasyPIM kanał: N 20 mW (1 Oferta) Moduł PIM IGBT Infineon 25 A ma kompaktową konstrukcję i wykorzystuje technologię kontaktową PRESSFIT. Ma niskie napięcie stanu VCESAT.Praca z przeciążeniem do 175°C. Izolacja 2.5 kV AC 1 min Podło... |
Infineon FP25R12W2T7B11BPSA1 |
od PLN 169,702*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; NPT; 1,2kV; 30A; 357W; TO264 (1 Oferta) Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO264 Napięcie kolektor-emiter: 1,2kV Napięcie bramka - emiter: ±30V Prąd kolektora: 30A Prąd kolektora w impulsie: 75A Czas załączania: 31ns C... |
MICROCHIP (MICROSEMI) APT33GF120LRDQ2G |
od PLN 52,85*
za szt. |
|
|
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 55V, 59A, TO-252 (3 ofert) Tranzystor MOSFET, Typ=IRFR2905ZTRPBF, Ciągły prąd drenu (Id)=59 A, Czas narastania=66 ns, Czas opadania=35 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=31 ns, Czas opóźnienia włączenia=14 ns, Napięcie bramka-źr... |
|
od PLN 1,35*
za szt. |
|
|
IGBT Ic 247 A Uce 650 V 2 INT-A-PAK kanał: N 517 W (2 ofert) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 247 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ± 20V Liczba tranzystorów = 2 Typ opakowania = INT-A-PAK Typ montażu = Monta... |
|
od PLN 300,97*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; NPT; 1,7kV; 6A; 75W; TO247-3 (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 1,7kV Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 6A Prąd kolektora w impulsie: 14A Czas załączania: 91ns Czas wyłączania: ... |
|
od PLN 32,97*
za szt. |
|
|
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 55V, 64A, TO-263 (4 ofert) Tranzystor MOSFET, Typ=IRFZ48NSTRLPBF, Ciągły prąd drenu (Id)=64 A, Czas narastania=78 ns, Czas opadania=50 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=34 ns, Czas opóźnienia włączenia=12 ns, Napięcie bramka-źr... |
|
od PLN 2,334*
za szt. |
|
|
IGBT Ic 20 A Uce 600 V 1 TO-247 192 W (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 20 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 600 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Maksymalna strata mocy = 192 W Typ opakowania = TO-247 |
|
od PLN 9,385*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; PT; 600V; 80A; 625W; TO247-3 (1 Oferta) Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 600V Napięcie bramka - emiter: ±30V Prąd kolektora: 80A Prąd kolektora w impulsie: 240A Czas załączania: 52ns... |
MICROCHIP (MICROSEMI) APT80GA60B |
od PLN 40,76*
za szt. |
|
|
|
|
od PLN 6,605*
za szt. |
|
|
IGBT Ic 169 A Uce 1200 V 1 SOT-227 kanał: N 781 W (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 169 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ± 20V Maksymalna strata mocy = 781 W Typ opakowania = SOT-227 Typ montażu =... |
|
od PLN 1 035,47*
za 10 szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; NPT; 1,2kV; 50A; 694W; TO264 (1 Oferta) Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO264 Napięcie kolektor-emiter: 1,2kV Napięcie bramka - emiter: ±30V Prąd kolektora: 50A Prąd kolektora w impulsie: 200A Czas załączania: 66ns ... |
MICROCHIP (MICROSEMI) APT50GR120L |
od PLN 44,13*
za szt. |
|
|
