 | | | | |
Fotografia | | | | Zamów |
|
|
|
IGBT Ic 25 A Uce 1200 V 7 kanał: N 160 W (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 25 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Maksymalna strata mocy = 160 W Konfiguracja = Emiter wspólny Typ montaż... |
|
od PLN 351,491*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; NPT; 650V; 56A; 543W; TO247-3 (1 Oferta) Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 650V Napięcie bramka - emiter: ±30V Prąd kolektora: 56A Prąd kolektora w impulsie: 224A Czas załączania: 47ns... |
MICROCHIP (MICROSEMI) APT45GR65B |
od PLN 19,91*
za szt. |
|
|
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 600V, 10A, TO-220FP (1 Oferta) Tranzystor MOSFET, Typ=STP10NK60ZFP, Ciągły prąd drenu (Id)=10 A, Czas narastania=20 ns, Czas opadania=30 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=55 ns, Czas opóźnienia włączenia=20 ns, Napięcie bramka-źród... |
|
od PLN 8,63*
za szt. |
|
|
|
Infineon IKWH20N65WR6XKSA1 |
od PLN 7,67*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; PT; 900V; 43A; 337W; TO247-3 (1 Oferta) Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 900V Napięcie bramka - emiter: ±30V Prąd kolektora: 43A Prąd kolektora w impulsie: 129A Czas załączania: 28ns... |
MICROCHIP (MICROSEMI) APT43GA90BD30 |
od PLN 33,13*
za szt. |
|
|
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 600V, 110A, ISOPLUS264 (3 ofert) Tranzystor MOSFET, Typ=IXFB110N60P3, Ciągły prąd drenu (Id)=110 A, Czas narastania=30 ns, Czas opadania=15 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=106 ns, Czas opóźnienia włączenia=63 ns, Napięcie bramka-źr... |
|
od PLN 68,79*
za szt. |
|
|
|
|
od PLN 5,472*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; NPT; 1,7kV; 100A; 830W; TO264 (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO264 Napięcie kolektor-emiter: 1,7kV Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 100A Prąd kolektora w impulsie: 600A Czas załączania: 285ns Czas wyłączania... |
|
od PLN 133,41*
za szt. |
|
|
|
|
od PLN 1,87*
za szt. |
|
|
IGBT Ic 30 A Uce 1100 V 1 TO-247 (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 30 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1100 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 5.8V Liczba tranzystorów = 1 Typ opakowania = TO-247 Typ montażu = Montaż po... |
|
od PLN 10,406*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; NPT; 1,2kV; 85A; 962W; TO264 (1 Oferta) Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO264 Napięcie kolektor-emiter: 1,2kV Napięcie bramka - emiter: ±30V Prąd kolektora: 85A Prąd kolektora w impulsie: 340A Czas załączania: 113ns... |
MICROCHIP (MICROSEMI) APT85GR120L |
od PLN 63,58*
za szt. |
|
|
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 600V, 120mA, SOT-223 (3 ofert) Tranzystor MOSFET, Typ=BSP125H6327XTSA1, Ciągły prąd drenu (Id)=120 mA, Czas narastania=14.4 ns, Czas opadania=110 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=20 ns, Czas opóźnienia włączenia=7.7 ns, Napięcie b... |
|
od PLN 0,913*
za szt. |
|
|
|
|
od PLN 8,75*
za szt. |
|
|
IGBT Ic 200 A Uce 1200 V 20 mW (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 200 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 20V Maksymalna strata mocy = 20 mW |
Infineon FP200R12N3T7B11BPSA1 |
od PLN 1 317,393*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; PT; 900V; 64A; 500W; T-Max (1 Oferta) Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: T-Max Napięcie kolektor-emiter: 900V Napięcie bramka - emiter: ±30V Prąd kolektora: 64A Prąd kolektora w impulsie: 193A Czas załączania: 44ns C... |
MICROCHIP (MICROSEMI) APT64GA90B2D30 |
od PLN 50,71*
za szt. |
|
|
