Kategorie
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 
 >  >  >  > Tranzystor

  Tranzystor  (8 518 ofert spośród 4 626 133 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „Tranzystor“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Zamów
Powrót
IGBT Ic 74 A Uce 650 V 1 PG-TO247 kanał: N 255 W (2 ofert) 
Infineon IKW40N65F5 to 650 V szybkie, twarde przełączanie IGBT, które używane są w połączeniu z technologią diod Rapid si. Ma wyższą gęstość mocy i ma niskie COE/EOSS.Współczynnik 2.5 niższy QG Wsp...
Infineon
IKW40N65F5FKSA1
od PLN 10,623*
za szt.
 
 szt.
Cyfrowy tranzystor PNP SOT-457 -50 V Montaż powierzchniowy -100 mA IMB3AT110 (1 Oferta) 
Typ tranzystora = PNP Maksymalny prąd DC kolektora = -100 mA Maksymalne napięcie kolektor-emiter = -50 V Typ opakowania = SOT-457 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 6 Liczba elemen...
ROHM Semiconductor
IMB3AT110
od PLN 0,324*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: IGBT; BiMOSFET™; 3kV; 50A; 250W; TO247-3 (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 3kV Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 50A Prąd kolektora w impulsie: 130A Czas załączania: 64ns Czas wyłączania: ...
IXYS
IXBH20N300
od PLN 133,17*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 200V, 9.3A, TO-263 (3 ofert) 
Nazwa produktu=Tranzystor MOSFET, Typ=IRF630NSTRLPBF, Ciągły prąd drenu (Id)=9.3 A, Czas narastania=14 ns, Czas opadania=15 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=27 ns, Czas opóźnienia włączenia=7.9 ns, N...
Infineon
IRF630NSTRLPBF
od PLN 1,84*
za szt.
 
 szt.
Cyfrowy tranzystor PNP SOT-23 -40 V Montaż powierzchniowy NSS40200LT1G (1 Oferta) 
Tranzystory bipolarne o niskim VCE(sat) to miniaturowe urządzenia do montażu powierzchniowego z ultraniskim napięciem nasycenia i możliwością zwiększenia natężenia prądu. Są one przeznaczone do zas...
onsemi
NSS40200LT1G
od PLN 1,69*
za 5 szt.
 
 opakowania
Tranzystor: IGBT; BiMOSFET™; 1,7kV; 21A; 357W; TO247-3 (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 1,7kV Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 21A Prąd kolektora w impulsie: 265A Czas załączania: 33ns Czas wyłączania...
IXYS
IXBH42N170A
od PLN 82,26*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 200V, 96A, TO-247 (3 ofert) 
Nazwa produktu=Tranzystor MOSFET, Typ=IXFH96N20P, Ciągły prąd drenu (Id)=96 A, Czas narastania=30 ns, Czas opadania=30 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=75 ns, Czas opóźnienia włączenia=28 ns, Napięci...
IXYS
IXFH96N20P
od PLN 22,37*
za szt.
 
 szt.
Cyfrowy tranzystor PNP SOT-23 -50 V Montaż powierzchniowy -500 mA DTB123YCHZGT116 (2 ofert) 
Typ tranzystora = PNP Maksymalny prąd DC kolektora = -500 mA Maksymalne napięcie kolektor-emiter = -50 V Typ opakowania = SOT-23 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Liczba element...
ROHM Semiconductor
DTB123YCHZGT116
od PLN 0,635*
za 5 szt.
 
 opakowania
Tranzystor: IGBT; Field Stop; 1,2kV; 100A; 960W; T-Max (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: T-Max Napięcie kolektor-emiter: 1,2kV Napięcie bramka - emiter: ±30V Prąd kolektora: 100A Prąd kolektora w impulsie: 300A Czas załączania: 0,1µ...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT100GN120B2G
od PLN 111,89*
za szt.
 
 szt.
Cyfrowy tranzystor PNP SOT-23 -32 V Montaż powierzchniowy BCW30LT1G (2 ofert) 
Typ tranzystora = PNP Maksymalne napięcie kolektor-emiter = -32 V Typ opakowania = SOT-23 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Maksymalna strata mocy = 300 mW Minimalne wzmocnienie prądu DC = 215 Ko...
onsemi
BCW30LT1G
od PLN 1,945*
za 25 szt.
 
 opakowanie
Tranzystor: IGBT; 650V; 90A; 325W; TO247-3 (1 Oferta) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 650V Prąd kolektora: 90A Typ tranzystora: IGBT Moc rozpraszana: 325W Rodzaj opakowania: tuba
Infineon
IRGP4263DPBF
od PLN 24,33*
za szt.
 
 szt.
Infineon
BSS816NWH6327XTSA1
od PLN 0,182*
za szt.
 
 szt.
Cyfrowy tranzystor PNP TO-92 -30 V Otwór przezierny BC516-D27Z (1 Oferta) 
BC516PNP Darlington TransistorTo urządzenie jest przeznaczone do zastosowań, w których pobór prądu przy natężeniu prądu jest bardzo wysoki i wynosi 1 A. Źródło z procesu 61.
onsemi
BC516-D27Z
od PLN 559,60*
za 2 000 szt.
 
 opakowanie
Tranzystor: IGBT; Field Stop; 1,2kV; 33A; 272W; T-Max (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: T-Max Napięcie kolektor-emiter: 1,2kV Napięcie bramka - emiter: ±30V Prąd kolektora: 33A Prąd kolektora w impulsie: 75A Czas załączania: 39ns C...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT25GN120B2DQ2G
od PLN 42,25*
za szt.
 
 szt.
Infineon
BSS214NH6327XTSA1
od PLN 0,248*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   311   312   313   314   315   316   317   318   319   320   321   ..   568   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.