Podgląd | "Tranzystor"Pojęcia nadrzędne Pojęcia podrzędne |
|  | | | | | | Fotografia | | | | Zamów | | | |
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 60V, 100A, TO-220 (2 ofert) Tranzystor MOSFET, Typ=TSM100N06CZ C0G, Ciągły prąd drenu (Id)=100 A, Czas narastania=19 ns, Czas opadania=43 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=85 ns, Czas opóźnienia włączenia=25 ns, Napięcie bramka-... |
Taiwan Semiconductor TSM100N06CZ C0G |
od PLN 3,64*
za szt. |
| |
IGBT Ic 30 A Uce 600 V 1 TO-247N 230 W (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 30 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 600 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Liczba tranzystorów = 1 Typ opakowania = TO-247N |
|
od PLN 10,288*
za szt. |
| |
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 60V, 10A, TO-220AB (3 ofert) Tranzystor MOSFET, Typ=IRFZ14PBF, Ciągły prąd drenu (Id)=10 A, Czas narastania=50 ns, Czas opadania=19 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=13 ns, Czas opóźnienia włączenia=10 ns, Napięcie bramka-źródło=... |
|
od PLN 1,36*
za szt. |
| |
IGBT Ic 30 A Uce 1200 V 1 TO-247N 267 W (1 Oferta) ROHM Field stop trench IGBT używany głównie jako grzejnika dla motoryzacji. Rozpraszanie mocy wynosi 267 Watts.Niski kolektor - napięcie nasycenia emitera Czas wytrzymania zwarcia 10 μs Zgodność z ... |
ROHM Semiconductor RGS30TSX2HRC11 |
od PLN 17,539*
za szt. |
| |
Tranzystor: IGBT; PT; 600V; 68A; 520W; T-Max (1 Oferta) Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: T-Max Napięcie kolektor-emiter: 600V Napięcie bramka - emiter: ±30V Prąd kolektora: 68A Prąd kolektora w impulsie: 202A Czas załączania: 46ns C... |
MICROCHIP (MICROSEMI) APT68GA60B2D40 |
od PLN 47,34*
za szt. |
| |
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 60V, 10A, TO-220AB (4 ofert) Tranzystor MOSFET, Typ=IRLZ14PBF, Ciągły prąd drenu (Id)=10 A, Czas narastania=110 ns, Czas opadania=26 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=17 ns, Czas opóźnienia włączenia=9.3 ns, Napięcie bramka-źródł... |
|
od PLN 1,86*
za szt. |
| |
IGBT Ic 23 A Uce 600 V TO-220AB Pojedynczy kanał: N (1 Oferta) Pojedynczy IGBT do 20A, Infineon. Zoptymalizowane układy IGBT przeznaczone do zastosowań w średnich częstotliwościach z szybką reakcją, zapewniające użytkownikowi najwyższą dostępną wydajność. Urzą... |
|
od PLN 301,55*
za 50 szt. |
| |
IGBT Uce 600 V PG-TO252-3 (2 ofert) Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 600 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Typ opakowania = PG-TO252-3 |
|
od PLN 2,56753*
za szt. |
| |
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 60V, 115mA, SOT-23 (3 ofert) Tranzystor MOSFET, Typ=2N7002, Ciągły prąd drenu (Id)=115 mA, Czas opóźnienia wyłączenia=20 ns, Czas opóźnienia włączenia=20 ns, Napięcie bramka-źródło=20 V, Napięcie źródłowe drenu (Vds)=60 V, Rez... |
|
od PLN 0,31*
za szt. |
| |
IGBT Ic 200 A Uce 1200 V TO247-3LD kanał: N 1,07 kW (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 200 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Maksymalna strata mocy = 1,07 kW Typ opakowania = TO247-3LD Typ montaż... |
|
od PLN 44,805*
za szt. |
| |
|
|
od PLN 530,35*
za szt. |
| |
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 60V, 115mA, SOT-323 (1 Oferta) Tranzystor MOSFET, Typ=2N7002W, Ciągły prąd drenu (Id)=115 mA, Czas opóźnienia wyłączenia=-999, Czas opóźnienia włączenia=-999, Napięcie bramka-źródło=20 V, Napięcie źródłowe drenu (Vds)=60 V, Rezy... |
|
od PLN 0,0819*
za szt. |
| |
IGBT Ic 30 A Uce 600 V PG-TO252-3 250 W (1 Oferta) Tranzystor dwubiegunowy z izolowaną bramką Infineon i zintegrowaną diodą w pakietach, co pozwala zaoszczędzić miejsce.Wysoka sprawność Niskie straty przy przełączaniem Zwiększona niezawodność Niski... |
|
od PLN 4,54*
za szt. |
| |
Tranzystor: IGBT; NPT; 2,5kV; 2A; 32W; TO247-3 (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 2,5kV Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 2A Prąd kolektora w impulsie: 13,5A Czas załączania: 115ns Czas wyłączani... |
|
od PLN 42,51*
za szt. |
| |
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 60V, 115mA, SOT-363 (3 ofert) Tranzystor MOSFET, Typ=2N7002DW, Ciągły prąd drenu (Id)=115 mA, Czas opóźnienia wyłączenia=20 ns, Czas opóźnienia włączenia=20 ns, Napięcie bramka-źródło=20 V, Napięcie źródłowe drenu (Vds)=60 V, R... |
|
od PLN 0,40*
za szt. |
| |
|
