Kategorie
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 
 >  >  >  >  > IGBT

  IGBT  (3 812 ofert spośród 4 802 213 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „IGBT“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"IGBT"

Pojęcia nadrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Zamów
Powrót
IGBT Ic 75 A Uce 650 V 1 TO-247 Pojedynczy kanał: N 375 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 75 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Maksymalna strata mocy = 375 W Typ opakowania = TO-247 Typ kanału = N Li...
onsemi
AFGHL75T65SQ
od PLN 409,47*
za 30 szt.
 
 opakowanie
Tranzystor: IGBT; GenX3™; 1,2kV; 50A; 460W; TO247-3 (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 1,2kV Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 50A Prąd kolektora w impulsie: 250A Czas załączania: 55ns Czas wyłączania...
IXYS
IXGH50N120C3
od PLN 44,95*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 8 A Uce 1200 V 1 DO-247-3 Pojedynczy kanał: N 106 W (2 ofert) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 8 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Liczba tranzystorów = 1 Typ opakowania = DO-247-3 Typ montażu = Otwór pr...
Infineon
IKW08N120CS7XKSA1
od PLN 11,45*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: IGBT; Field Stop; 600V; 93A; 536W; TO247-3 (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 600V Napięcie bramka - emiter: ±30V Prąd kolektora: 93A Prąd kolektora w impulsie: 225A Czas załączania: 95ns...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT75GN60BDQ2G
od PLN 42,96*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 75 A Uce 650 V 1 TO-247N Wspólny nadajnik kanał: N 404 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 75 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±30V Liczba tranzystorów = 1 Typ opakowania = TO-247N Typ montażu = Otwór prz...
ROHM Semiconductor
RGSX5TS65HRC11
od PLN 26,822*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 75 A Uce 650 V 1 TO-247 Pojedynczy kanał: N 375 W (1 Oferta) 
SERIA ON Semiconductor AFGHL to IGBT, która zapewnia optymalną wydajność przy niskich stratach przewodzenia i przełączania dla operacji o wysokiej wydajności w różnych zastosowaniach, co nie wymaga...
onsemi
AFGHL75T65SQ
od PLN 12,813*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: IGBT; GenX3™; 1,2kV; 20A; 180W; TO247-3 (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 1,2kV Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 20A Prąd kolektora w impulsie: 120A Czas załączania: 66ns Czas wyłączania...
IXYS
IXGH20N120A3
od PLN 17,60*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 75 A Uce 650 V 1 TO-247N Wspólny nadajnik kanał: N 404 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 75 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±30V Liczba tranzystorów = 1 Konfiguracja = Pojedyncza Typ montażu = Otwór pr...
ROHM Semiconductor
RGSX5TS65DHRC11
od PLN 27,614*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: IGBT; GenX3™; 1,2kV; 55A; 460W; PLUS247™ (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: PLUS247™ Napięcie kolektor-emiter: 1,2kV Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 55A Prąd kolektora w impulsie: 400A Czas załączania: 70ns Czas wyłączani...
IXYS
IXGX55N120A3H1
od PLN 62,00*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: IGBT; GenX3™; 1,2kV; 120A; 1,5kW; PLUS247™ (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: PLUS247™ Napięcie kolektor-emiter: 1,2kV Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 120A Prąd kolektora w impulsie: 800A Czas załączania: 84ns Czas wyłączan...
IXYS
IXYX120N120B3
od PLN 99,38*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 77 A Uce 600 V 1 PG-TO247 Pojedynczy kanał: N 178 W (1 Oferta) 
Infineon IKFW90N60EH3 jest bardzo miękką, szybką diodą antyrównoległą do odzyskiwania i użył w 100% izolowanej powierzchni montażowej, a także ma szybkie przełączanie. Ma łatwe połączenie równoległ...
Infineon
IKFW90N60EH3XKSA1
od PLN 32,512*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 75 A Uce 650 V 1 TO-247N Wspólny nadajnik kanał: N 404 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 75 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±30V Liczba tranzystorów = 1 Typ opakowania = TO-247N Typ montażu = Otwór prz...
ROHM Semiconductor
RGSX5TS65DHRC11
od PLN 32,71*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: IGBT; GenX3™; 1,2kV; 20A; 180W; TO263 (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO263 Napięcie kolektor-emiter: 1,2kV Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 20A Prąd kolektora w impulsie: 120A Czas załączania: 66ns Czas wyłączania: ...
IXYS
IXGA20N120A3
od PLN 14,89*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 75 A Uce 650 V 1 TO-247N Wspólny nadajnik kanał: N 404 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 75 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±30V Liczba tranzystorów = 1 Typ opakowania = TO-247N Typ montażu = Otwór prz...
ROHM Semiconductor
RGSX5TS65EHRC11
od PLN 29,692*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: IGBT; GenX3™; 1,2kV; 82A; 1,25kW; PLUS247™ (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: PLUS247™ Napięcie kolektor-emiter: 1,2kV Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 82A Prąd kolektora w impulsie: 500A Czas załączania: 112ns Czas wyłączan...
IXYS
IXGX82N120B3
od PLN 53,70*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   101   102   103   104   105   106   107   108   109   110   111   ..   255   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.