 | | | | |
Fotografia | | | | Zamów |
|
|
|
IGBT Ic 80 A Uce 1200 V 1 TO-247N 555 W (1 Oferta) ROHM Field stop trench IGBT używane głównie w falowniku, UPS, falowniku PV i kondycjonerze mocy. Rozpraszanie mocy wynosi 555 Watts.Niski kolektor - napięcie nasycenia emitera Czas wytrzymania zwar... |
ROHM Semiconductor RGS80TSX2DGC11 |
od PLN 33,549*
za szt. |
|
|
|
|
od PLN 98,18*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; GenX3™; 1,2kV; 24A; 250W; TO247-3 (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 1,2kV Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 24A Prąd kolektora w impulsie: 96A Czas załączania: 51ns Czas wyłączania:... |
|
od PLN 20,28*
za szt. |
|
|
IGBT Ic 79 A Uce 650 V PG-TO247-3 230 W (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 79 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Maksymalna strata mocy = 230 W Typ opakowania = PG-TO247-3 |
|
od PLN 13,547*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; GenX3™; 1,2kV; 120A; 830W; TO264 (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO264 Napięcie kolektor-emiter: 1,2kV Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 120A Prąd kolektora w impulsie: 600A Czas załączania: 105ns Czas wyłączania... |
|
od PLN 100,35*
za szt. |
|
|
|
ROHM Semiconductor RGSX5TS65EHRC11 |
od PLN 35,345*
za szt. |
|
|
|
MICROCHIP (MICROSEMI) APT50GN60BDQ3G |
od PLN 54,04*
za szt. |
|
|
IGBT Ic 80 A Uce 1200 V 30 TO-247 153 W (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 80 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 20V Maksymalna strata mocy = 153 W Typ opakowania = TO-247 |
|
od PLN 8 727,21*
za 450 szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; GenX3™; 1,2kV; 120A; 830W; PLUS247™ (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: PLUS247™ Napięcie kolektor-emiter: 1,2kV Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 120A Prąd kolektora w impulsie: 370A Czas załączania: 122ns Czas wyłącza... |
|
od PLN 65,43*
za szt. |
|
|
IGBT Ic 8 A Uce 600 V 1 PG-SOT223-3 7,2 W (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 8 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 600 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 20V Liczba tranzystorów = 1 Typ opakowania = PG-SOT223-3 |
|
od PLN 3 787,05*
za 3 000 szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; GenX3™; 1,2kV; 30A; 200W; PLUS247™ (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: PLUS247™ Napięcie kolektor-emiter: 1,2kV Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 30A Prąd kolektora w impulsie: 330A Czas załączania: 70ns Czas wyłączani... |
|
od PLN 59,01*
za szt. |
|
|
|
Infineon IKW08N120CS7XKSA1 |
od PLN 13,506*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; GenX3™; 1,2kV; 12A; 100W; TO263 (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO263 Napięcie kolektor-emiter: 1,2kV Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 12A Prąd kolektora w impulsie: 60A Czas załączania: 202ns Czas wyłączania: ... |
|
od PLN 12,41*
za szt. |
|
|
IGBT Ic 79 A Uce 650 V PG-TO263-3 230 W (1 Oferta) Tranzystor dwubiegunowy z izolowaną bramką Infineon wysokiej prędkości 5. Generacji.Wysoka sprawność Niskie straty przy przełączaniem Zwiększona niezawodność Niskie zakłócenia elektromagnetyczne |
|
od PLN 11,84*
za szt. |
|
|
IGBT Ic 80 A Uce 1200 V PG-TO247-3 394 W (2 ofert) Tranzystor bibiegunowy z izolowaną bramką Infineon z potężną monolityczną diodą korpusu o niskim napięciu do przodu, zaprojektowany z myślą o miękkim komutacji.Wysoka sprawność Niskie straty przy p... |
|
od PLN 11,851*
za szt. |
|
|
