 | | | | |
Fotografia | | | | Zamów |
|
|
|
IGBT Ic 75 A Uce 1200 V 20 mW (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 75 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 20V Maksymalna strata mocy = 20 mW |
Infineon FS75R12N2T7B15BPSA2 |
od PLN 430,442*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; Field Stop; 1,2kV; 33A; 272W; T-Max (1 Oferta) Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: T-Max Napięcie kolektor-emiter: 1,2kV Napięcie bramka - emiter: ±30V Prąd kolektora: 33A Prąd kolektora w impulsie: 75A Czas załączania: 39ns C... |
MICROCHIP (MICROSEMI) APT25GN120B2DQ2G |
od PLN 41,99*
za szt. |
|
|
IGBT Ic 75 A Uce 1200 V 20 mW (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 75 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 20V Maksymalna strata mocy = 20 mW |
Infineon FP75R12N2T7PB11BPSA1 |
od PLN 530,043*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; BiMOSFET™; 3kV; 10A; 180W; TO247HV (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO247HV Napięcie kolektor-emiter: 3kV Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 10A Prąd kolektora w impulsie: 88A Czas załączania: 805ns Czas wyłączania: ... |
|
od PLN 242,95*
za szt. |
|
|
|
ROHM Semiconductor RGSX5TS65HRC11 |
od PLN 22,60*
za szt. |
|
|
|
MICROCHIP (MICROSEMI) APT35GN120BG |
od PLN 35,35*
za szt. |
|
|
IGBT Ic 75 A Uce 1200 V 6 kanał: N 280 W (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 75 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Liczba tranzystorów = 6 Konfiguracja = Emiter wspólny Typ montażu = Mon... |
|
od PLN 406,903*
za szt. |
|
|
IGBT Ic 75 A Uce 1200 V 7 Moduł 3-fazy kanał: N 20 mW (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 75 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Maksymalna strata mocy = 20 mW Typ opakowania = Moduł Typ montażu = Mon... |
|
od PLN 535,713*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; Field Stop; 1,2kV; 66A; 543W; T-Max (1 Oferta) Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: T-Max Napięcie kolektor-emiter: 1,2kV Napięcie bramka - emiter: ±30V Prąd kolektora: 66A Prąd kolektora w impulsie: 150A Czas załączania: 55ns ... |
MICROCHIP (MICROSEMI) APT50GN120B2G |
od PLN 46,52*
za szt. |
|
|
IGBT Ic 75 A Uce 1200 V 20 mW (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 75 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 20V Maksymalna strata mocy = 20 mW |
|
od PLN 589,688*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; BiMOSFET™; 3kV; 55A; 625W; TO264 (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO264 Napięcie kolektor-emiter: 3kV Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 55A Prąd kolektora w impulsie: 600A Czas załączania: 637ns Czas wyłączania: 4... |
|
od PLN 366,84*
za szt. |
|
|
|
Infineon IKFW90N60EH3XKSA1 |
od PLN 25,81*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; Field Stop; 1,2kV; 99A; 833W; T-Max (1 Oferta) Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: T-Max Napięcie kolektor-emiter: 1,2kV Napięcie bramka - emiter: ±30V Prąd kolektora: 99A Prąd kolektora w impulsie: 225A Czas załączania: 101ns... |
MICROCHIP (MICROSEMI) APT75GN120B2G |
od PLN 68,48*
za szt. |
|
|
IGBT Ic 75 A Uce 1200 V 7 Moduł 3-fazy kanał: N 20 mW (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 75 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Maksymalna strata mocy = 20 mW Typ opakowania = Moduł Typ montażu = Mon... |
|
od PLN 556,71*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; Field Stop; 600V; 123A; 536W; T-Max (1 Oferta) Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: T-Max Napięcie kolektor-emiter: 600V Napięcie bramka - emiter: ±30V Prąd kolektora: 123A Prąd kolektora w impulsie: 450A Czas załączania: 154ns... |
MICROCHIP (MICROSEMI) APT150GN60B2G |
od PLN 83,24*
za szt. |
|
|
