 | | | | |
Fotografia | | | | Zamów |
|
|
|
IGBT Ic 80 A Uce 1,65 V TO-247 535 W (2 ofert) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 80 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1,65 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 20V Maksymalna strata mocy = 535 W Typ opakowania = TO-247 Typ montażu = Otw... |
ST Microelectronics STGWA80H65DFBAG |
od PLN 17,759*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; GenX3™; 1,2kV; 120A; 830W; PLUS247™ (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: PLUS247™ Napięcie kolektor-emiter: 1,2kV Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 120A Prąd kolektora w impulsie: 600A Czas załączania: 105ns Czas wyłącza... |
|
od PLN 111,47*
za szt. |
|
|
IGBT Ic 79 A Uce 650 V PG-TO247-3 230 W (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 79 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Maksymalna strata mocy = 230 W Konfiguracja = Pojedyncza |
|
od PLN 13,427*
za szt. |
|
|
|
ROHM Semiconductor RGSX5TS65EHRC11 |
od PLN 35,205*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; GenX3™; 1,2kV; 24A; 250W; TO247-3 (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 1,2kV Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 24A Prąd kolektora w impulsie: 96A Czas załączania: 51ns Czas wyłączania:... |
|
od PLN 20,61*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; GenX3™; 1,2kV; 82A; 1,25kW; TO264 (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO264 Napięcie kolektor-emiter: 1,2kV Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 82A Prąd kolektora w impulsie: 580A Czas załączania: 109ns Czas wyłączania:... |
|
od PLN 83,41*
za szt. |
|
|
IGBT Ic 80 A Uce 1200 V 1 TO-247N 555 W (1 Oferta) ROHM Field stop trench IGBT używane głównie w falowniku, UPS, falowniku PV i kondycjonerze mocy. Rozpraszanie mocy wynosi 555 Watts.Niski kolektor - napięcie nasycenia emitera Czas wytrzymania zwar... |
ROHM Semiconductor RGS80TSX2DGC11 |
od PLN 33,519*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; GenX3™; 1,2kV; 17A; 230W; TO268HV (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO268HV Napięcie kolektor-emiter: 1,2kV Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 17A Prąd kolektora w impulsie: 88A Czas załączania: 60ns Czas wyłączania:... |
|
od PLN 36,64*
za szt. |
|
|
|
Infineon IKW08N120CS7XKSA1 |
od PLN 13,406*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; BiMOSFET™; 1,7kV; 10A; 140W; TO268 (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO268 Napięcie kolektor-emiter: 1,7kV Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 10A Prąd kolektora w impulsie: 40A Czas załączania: 63ns Czas wyłączania: 1... |
|
od PLN 31,78*
za szt. |
|
|
IGBT Ic 79 A Uce 650 V PG-TO263-3 230 W (1 Oferta) Tranzystor dwubiegunowy z izolowaną bramką Infineon wysokiej prędkości 5. Generacji.Wysoka sprawność Niskie straty przy przełączaniem Zwiększona niezawodność Niskie zakłócenia elektromagnetyczne |
|
od PLN 11,75*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; GenX3™; 1,2kV; 30A; 300W; TO220-3 (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO220-3 Napięcie kolektor-emiter: 1,2kV Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 30A Prąd kolektora w impulsie: 150A Czas załączania: 56ns Czas wyłączania... |
|
od PLN 18,51*
za szt. |
|
|
IGBT Ic 8 A Uce 600 V 1 PG-SOT223-3 7,2 W (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 8 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 600 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 20V Liczba tranzystorów = 1 Typ opakowania = PG-SOT223-3 |
|
od PLN 3 778,53*
za 3 000 szt. |
|
|
IGBT Ic 80 A Uce 1200 V 30 TO-247 153 W (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 80 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 20V Liczba tranzystorów = 30 Typ opakowania = TO-247 |
|
od PLN 8 729,8515*
za 450 szt. |
|
|
IGBT Ic 8 A Uce 600 V 1 PG-TO-220-3 42 W (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 8 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 600 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = +/-20V Maksymalna strata mocy = 42 W Typ opakowania = PG-TO-220-3 Typ montażu ... |
|
od PLN 2,65*
za szt. |
|
|
