 | | | | |
Fotografia | | | | Zamów |
|
|
|
|
ST Microelectronics STGWA50HP65FB2 |
od PLN 6,443*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; GenX3™; 600V; 75A; 750W; TO247-3 (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 600V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 75A Prąd kolektora w impulsie: 300A Czas załączania: 105ns Czas wyłączania... |
|
od PLN 33,36*
za szt. |
|
|
IGBT Ic 86 A Uce 650 V 1 D2PAK (TO-263) 272 W (1 Oferta) Seria STMicroelectronics IGBT 650 V HB2 stanowi ewolucję zastrzeżonej przez firmę Advanced struktury bramkowania rowów. Wydajność serii HB2 jest zoptymalizowana pod względem przewodzenia, dzięki le... |
ST Microelectronics STGB50H65FB2 |
od PLN 9,729*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; GenX3™; 900V; 8A; 125W; TO263 (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO263 Napięcie kolektor-emiter: 900V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 8A Prąd kolektora w impulsie: 48A Czas załączania: 39ns Czas wyłączania: 238... |
|
od PLN 12,28*
za szt. |
|
|
IGBT Ic 90 A Uce 650 V PG-TO247-3 395 W (1 Oferta) Tranzystor dwubiegunowy z izolowaną bramką Infineon i technologią H5 o dużej prędkości.Wysoka sprawność Niskie straty przy przełączaniem Zwiększona niezawodność Niskie zakłócenia elektromagnetyczne |
|
od PLN 18,436*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; GenX3™; 600V; 48A; 300W; TO263 (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO263 Napięcie kolektor-emiter: 600V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 48A Prąd kolektora w impulsie: 300A Czas załączania: 54ns Czas wyłączania: 9... |
|
od PLN 12,84*
za szt. |
|
|
IGBT Ic 88 A Uce 650 V 1 TO-247GE 245 W (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 88 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±30V Maksymalna strata mocy = 245 W Typ opakowania = TO-247GE |
ROHM Semiconductor RGWS00TS65DGC13 |
od PLN 7 557,774*
za 600 szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; GenX3™; 650V; 100A; 830W; PLUS247™ (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: PLUS247™ Napięcie kolektor-emiter: 650V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 100A Prąd kolektora w impulsie: 460A Czas załączania: 65ns Czas wyłączani... |
|
od PLN 61,99*
za szt. |
|
|
IGBT Ic 88 A Uce 650 V 1 TO-247GE 245 W (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 88 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±30V Liczba tranzystorów = 1 Typ opakowania = TO-247GE |
ROHM Semiconductor RGWS00TS65GC13 |
od PLN 11,047*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; GenX4™; 650V; 140A; 1,2kW; TO247-3 (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 650V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 140A Prąd kolektora w impulsie: 840A Czas załączania: 128ns Czas wyłączani... |
|
od PLN 48,36*
za szt. |
|
|
|
Infineon FF900R12ME7B11BOSA1 |
od PLN 1 206,712*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; GenX3™; 600V; 50A; 600W; TO247-3 (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 600V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 50A Prąd kolektora w impulsie: 200A Czas załączania: 75ns Czas wyłączania:... |
|
od PLN 33,09*
za szt. |
|
|
IGBT Ic 90 A Uce 650 V 1 SOT-227 kanał: N 230 W (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 90 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ± 20V Liczba tranzystorów = 1 Konfiguracja = Pojedyncza Typ montażu = Montaż ... |
|
od PLN 1 102,87*
za 10 szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; GenX3™; 1,2kV; 32A; 290W; PLUS247™ (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: PLUS247™ Napięcie kolektor-emiter: 1,2kV Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 32A Prąd kolektora w impulsie: 210A Czas załączania: 96ns Czas wyłączani... |
|
od PLN 44,79*
za szt. |
|
|
IGBT Ic 890 A Uce 1200 V 20 mW (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 890 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 20V Maksymalna strata mocy = 20 mW |
Infineon FF900R12ME7WB11BPSA1 |
od PLN 8 924,77404*
za 6 szt. |
|
|
