Kategorie
Polska
Polski
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  >  > IGBT

  IGBT  (3 797 ofert spośród 4 786 956 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „IGBT“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"IGBT"

Pojęcia nadrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Artykuł ^v
Producent/nr ^v
Cena ^v
Zamów
Powrót
IGBT Ic 200 A Uce 650 V 1 TO-247 Pojedynczy kanał: P 375 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 200 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Maksymalna strata mocy = 375 W Typ opakowania = TO-247 Typ montażu = Ot...
onsemi
FGH75T65SQDNL4
od PLN 19,684*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; tranzystor/tranzystor; mostek 3-fazowy IGBT; Ic: 27A (1 Oferta) 
Producent: SEMIKRON DANFOSS Obudowa: SEMITRANS6 Napięcie wsteczne maks.: 1,2kV Struktura półprzewodnika: tranzystor/tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 27A Prąd kolektora w im...
SEMIKRON DANFOSS
SKM25GD125D 21918000
od PLN 582,67*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 2,2 A Uce 600 V 1 PG-SOT223-3 5,1 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 2,2 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 600 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 20V Maksymalna strata mocy = 5,1 W Typ opakowania = PG-SOT223-3
Infineon
IKN01N60RC2ATMA1
od PLN 1,578*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; tranzystor/tranzystor; półmostek IGBT; Urmax: 1,2kV (1 Oferta) 
Producent: SEMIKRON DANFOSS Obudowa: SEMITRANS2 Napięcie wsteczne maks.: 1,2kV Struktura półprzewodnika: tranzystor/tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 88A Prąd kolektora w im...
SEMIKRON DANFOSS
SKM75GB12T4 22892010
od PLN 247,25*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 23 A Uce 650 V 1 TO-3PFM Wspólny nadajnik kanał: N 85 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 23 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±30V Maksymalna strata mocy = 85 W Typ opakowania = TO-3PFM Typ montażu = Otw...
ROHM Semiconductor
RGTV80TK65GVC11
od PLN 6 537,951*
za 450 szt.
 
 opakowanie
Moduł: IGBT; tranzystor/tranzystor; półmostek IGBT; Urmax: 1,2kV (1 Oferta) 
Producent: SEMIKRON DANFOSS Obudowa: SEMITRANS2 Napięcie wsteczne maks.: 1,2kV Struktura półprzewodnika: tranzystor/tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 50A Prąd kolektora w im...
SEMIKRON DANFOSS
SKM50GB12V 22892003
od PLN 227,85*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 220 A Uce 950 V 6 EasyPACK kanał: N 20 mW (1 Oferta) 
3-pozioniowy moduł IGBT Infineon 400A charakteryzuje się bardzo niskimi stratami przełączania i miękkim wyłączaniem. Spełnia odpowiednie normy 1500V falownika PV. Zapewnia wystarczającą odległość p...
Infineon
F3L400R10W3S7FB11BPSA1
od PLN 903,569*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; pojedynczy tranzystor; Urmax: 650V; Ic: 200A; SOT227B (1 Oferta) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Napięcie wsteczne maks.: 650V Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 200A Prąd kolektora w impulsie: 1,2kA M...
IXYS
IXXN200N65A4
od PLN 81,68*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 200 A Uce 650 V 30 TO-247-4LD 268 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 200 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 15V Maksymalna strata mocy = 268 W Typ opakowania = TO-247-4LD
onsemi
FGH4L50T65SQD
od PLN 4 446,90*
za 450 szt.
 
 opakowanie
Moduł: IGBT; tranzystor/tranzystor; mostek 3-fazowy IGBT; Ic: 75A (1 Oferta) 
Producent: SEMIKRON DANFOSS Obudowa: SEMIX®13 Napięcie wsteczne maks.: 1,2kV Struktura półprzewodnika: tranzystor/tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 75A Prąd kolektora w impu...
SEMIKRON DANFOSS
SEMIX71GD12E4S 27890190
od PLN 411,44*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 20 A Uce 2,05 V 7 DIP kanał: N 63.1 W (1 Oferta) 
Rodzina produktów Infineon CIPOS IM564 oferuje możliwość integracji różnych komponentów zasilania i sterowania falownika i jednostopniowego układu PFC w celu zwiększenia niezawodności i optymalizac...
Infineon
IM564X6DXKMA1
od PLN 49,773*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; tranzystor/tranzystor; półmostek IGBT; Urmax: 1,2kV (1 Oferta) 
Producent: SEMIKRON DANFOSS Obudowa: SEMITRANS3 Napięcie wsteczne maks.: 1,2kV Struktura półprzewodnika: tranzystor/tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 160A Prąd kolektora w i...
SEMIKRON DANFOSS
SKM200GB125D 22890620
od PLN 979,48*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 25 A Uce 1200 V 1 DO-247-3 Pojedynczy kanał: N 250 W (2 ofert) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 25 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Maksymalna strata mocy = 250 W Typ opakowania = DO-247-3 Typ montażu = ...
Infineon
IKW25N120CS7XKSA1
od PLN 16,71*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; tranzystor/tranzystor; półmostek IGBT; Urmax: 1,2kV (1 Oferta) 
Producent: POWERSEM Obudowa: ECO-PAC 2 Napięcie wsteczne maks.: 1,2kV Struktura półprzewodnika: tranzystor/tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 21A Prąd kolektora w impulsie: 3...
Powersem
PSI 25/12
od PLN 71,96*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 23 A Uce 600 V TO-220AB Pojedynczy kanał: N (1 Oferta) 
Pojedynczy IGBT do 20A, Infineon. Zoptymalizowane układy IGBT przeznaczone do zastosowań w średnich częstotliwościach z szybką reakcją, zapewniające użytkownikowi najwyższą dostępną wydajność. Urzą...
Infineon
IRG4BC30WPBF
od PLN 301,82*
za 50 szt.
 
 opakowanie
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   51   52   53   54   55   56   57   58   59   60   61   ..   254   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.