| | | | |
Fotografia | | | | Zamów |
|
|
|
IGBT Ic 85 A Uce 650 V PG-TO247-3 227 W (1 Oferta) Tranzystor dwubiegunowy z izolowaną bramką piątej generacji Infineon o niskim napięciu nasycenia.Wysoka sprawność Niskie straty przy przełączaniem Zwiększona niezawodność Niskie zakłócenia elektrom... |
|
od PLN 8,614* za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; GenX3™; 600V; 60A; 380W; TO268 (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO268 Napięcie kolektor-emiter: 600V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 60A Prąd kolektora w impulsie: 300A Czas załączania: 54ns Czas wyłączania: 1... |
|
od PLN 18,01* za szt. |
|
|
IGBT Ic 85 A Uce 650 V 1 TO-247GE 277 W (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 85 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±30V Liczba tranzystorów = 1 Typ opakowania = TO-247GE |
ROHM Semiconductor RGTH00TS65DGC13 |
od PLN 17,921* za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; GenX3™; 900V; 24A; 200W; TO247-3 (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 900V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 24A Prąd kolektora w impulsie: 105A Czas załączania: 60ns Czas wyłączania:... |
|
od PLN 28,68* za szt. |
|
|
IGBT Ic 88 A Uce 650 V 1 TO-247GE 245 W (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 88 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±30V Liczba tranzystorów = 1 Typ opakowania = TO-247GE |
ROHM Semiconductor RGWS00TS65DGC13 |
od PLN 12,687* za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; GenX3™; 600V; 36A; 250W; TO247-3 (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 600V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 36A Prąd kolektora w impulsie: 200A Czas załączania: 45ns Czas wyłączania:... |
|
od PLN 14,13* za szt. |
|
|
IGBT Ic 86 A Uce 650 V 1 D2PAK (TO-263) 272 W (2 ofert) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 86 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Liczba tranzystorów = 1 Typ opakowania = D2PAK (TO-263) Liczba styków = 3 |
ST Microelectronics STGB50H65FB2 |
od PLN 5,228* za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; GenX3™; 1,2kV; 24A; 250W; TO247-3 (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 1,2kV Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 24A Prąd kolektora w impulsie: 115A Czas załączania: 60ns Czas wyłączania... |
|
od PLN 32,78* za szt. |
|
|
IGBT Ic 85 Uce 650 V 1 TO-247GE 2.77 mW (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 85 Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±30V Maksymalna strata mocy = 2.77 mW Typ opakowania = TO-247GE |
ROHM Semiconductor RGT00TS65DGC13 |
od PLN 16,225* za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; GenX3™; 600V; 72A; 540W; TO247-3 (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 600V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 72A Prąd kolektora w impulsie: 360A Czas załączania: 62ns Czas wyłączania:... |
|
od PLN 17,84* za szt. |
|
|
IGBT Ic 85 A Uce 650 V PG-TO247-4 273 W (1 Oferta) Dwubiegunowy tranzystor i dioda Infineon 650v z bramką izolacyjną są wyposażone w szybką i miękką diodę antyrównoległą Rapid 1.Wysoka sprawność Niskie straty przy przełączaniem Zwiększona niezawodn... |
|
od PLN 17,831* za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; GenX3™; 900V; 50A; 400W; TO247-3 (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 900V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 50A Prąd kolektora w impulsie: 200A Czas załączania: 48ns Czas wyłączania:... |
|
od PLN 28,23* za szt. |
|
|
IGBT Ic 890 A Uce 1200 V 20 mW (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 890 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 20V Maksymalna strata mocy = 20 mW |
Infineon FF900R12ME7WB11BPSA1 |
od PLN 1 353,883* za szt. |
|
|
IGBT Ic 88 A Uce 650 V 1 TO-247GE 245 W (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 88 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±30V Liczba tranzystorów = 1 Typ opakowania = TO-247GE |
ROHM Semiconductor RGWS00TS65GC13 |
od PLN 6 561,462* za 600 szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; GenX3™; 1,2kV; 30A; 200W; PLUS247™ (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: PLUS247™ Napięcie kolektor-emiter: 1,2kV Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 30A Prąd kolektora w impulsie: 330A Czas załączania: 70ns Czas wyłączani... |
|
od PLN 60,06* za szt. |
|
|