 | | | | |
Fotografia | | | | Zamów |
|
|
|
IGBT Ic 41 A Uce 600 V PG-TO247-3 166 W (1 Oferta) Dwubiegunowy tranzystor dwubiegunowy z izolowaną bramką Infineon o niskiej stracie w technologii trenchstop i Fieldstop.Wysoka sprawność Niskie straty przy przełączaniem Zwiększona niezawodność Nis... |
|
od PLN 10,134*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; 1200V; 25A; 347W; TO247-3 (1 Oferta) Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 1,2kV Napięcie bramka - emiter: ±30V Prąd kolektora: 25A Prąd kolektora w impulsie: 75A Czas załączania: 41ns... |
MICROCHIP (MICROSEMI) APT25GT120BRDQ2G |
od PLN 45,42*
za szt. |
|
|
IGBT Ic 40 A Uce 650 V 1 TO-247GE 144 W (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 40 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±30V Maksymalna strata mocy = 144 W Typ opakowania = TO-247GE |
ROHM Semiconductor RGTH40TS65GC13 |
od PLN 12,796*
za szt. |
|
|
|
Alpha & Omega Semiconductor AOTF10B60D |
od PLN 3,97*
za szt. |
|
|
IGBT Ic 5 A Uce 600 V 1 TO-252 82 W (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 5 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 600 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±30V Maksymalna strata mocy = 82 W Typ opakowania = TO-252 |
|
od PLN 2,722*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; 600V; 10A; 62W; DPAK (1 Oferta) Producent: STMicroelectronics Montaż: SMD Obudowa: DPAK Napięcie kolektor-emiter: 600V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 10A Prąd kolektora w impulsie: 30A Typ tranzystora: IGBT Moc ro... |
ST Microelectronics STGD10NC60KDT4 |
od PLN 3,66*
za szt. |
|
|
|
ROHM Semiconductor RGW80TS65EHRC11 |
od PLN 20,797*
za szt. |
|
|
IGBT Ic 450 A Uce 1200 V CTI 2,4 kW (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 450 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Maksymalna strata mocy = 2,4 kW Typ opakowania = CTI Typ montażu = Mon... |
Infineon FF450R12KE4EHOSA1 |
od PLN 7 573,89*
za 10 szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; 1200V; 40A; 500W; D3PAK (1 Oferta) Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: SMD Obudowa: D3PAK Napięcie kolektor-emiter: 1,2kV Napięcie bramka - emiter: ±30V Prąd kolektora: 40A Prąd kolektora w impulsie: 160A Czas załączania: 47ns ... |
MICROCHIP (MICROSEMI) APT40GR120S |
od PLN 47,26*
za szt. |
|
|
|
ROHM Semiconductor RGW80TS65DHRC11 |
od PLN 20,896*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; 600V; 10A; 65W; TO220AB (1 Oferta) Producent: STMicroelectronics Montaż: THT Obudowa: TO220AB Napięcie kolektor-emiter: 600V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 10A Prąd kolektora w impulsie: 30A Typ tranzystora: IGBT Moc... |
ST Microelectronics STGP10NC60HD |
od PLN 4,06*
za szt. |
|
|
IGBT Ic 5,7 A Uce 600 V 1 PG-SOT223-3 6,3 W (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 5,7 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 600 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 20V Maksymalna strata mocy = 6,3 W Typ opakowania = PG-SOT223-3 |
|
od PLN 1,961*
za szt. |
|
|
IGBT Ic 40 Uce 650 V 1 TO-247GE 1.44 mW (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 40 Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±30V Liczba tranzystorów = 1 Typ opakowania = TO-247GE |
ROHM Semiconductor RGT40TS65DGC13 |
od PLN 7,056*
za szt. |
|
|
IGBT Ic 450 A Uce 3300 V. 2 XHP kanał: N 1 mW (1 Oferta) Podwójny moduł IGBT Infineon FF450R33T3E3 zapewnia wysoką stabilność prądu stałego i wysoką odporność na zwarcia, wysoką niezawodność i długi okres eksploatacji. Ma niską indukcyjność i obniża kosz... |
Infineon FF450R33T3E3BPSA1 |
od PLN 5 097,501*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; 1200V; 85A; 962W; TO247-3 (1 Oferta) Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 1,2kV Napięcie bramka - emiter: ±30V Prąd kolektora: 85A Prąd kolektora w impulsie: 340A Czas załączania: 113... |
MICROCHIP (MICROSEMI) APT85GR120B2 |
od PLN 85,90*
za szt. |
|
|
