 | | | | |
Fotografia | | | | Zamów |
|
|
|
|
|
od PLN 399,318*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; 600V; 20A; 170W; D2PAK (1 Oferta) Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: SMD Obudowa: D2PAK Napięcie kolektor-emiter: 600V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 20A Typ tranzystora: IGBT Moc rozpraszana: 170W Rodzaj opak... |
|
od PLN 6,06*
za szt. |
|
|
IGBT Ic 50 A Uce 1200 V 2 AG-34MM 285 W (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 50 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Maksymalna strata mocy = 285 W Konfiguracja = Podwójna Typ montażu = Mo... |
|
od PLN 345,728*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; 600V; 40A; 160W; D2PAK (1 Oferta) Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: SMD Obudowa: D2PAK Napięcie kolektor-emiter: 600V Prąd kolektora: 40A Typ tranzystora: IGBT Moc rozpraszana: 160W Rodzaj opakowania: rolka |
|
od PLN 3 567,192*
za 800 szt. |
|
|
IGBT Ic 50 A Uce 650 V 1 TO-247GE 174 W (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 50 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±30V Maksymalna strata mocy = 174 W Typ opakowania = TO-247GE |
ROHM Semiconductor RGTH50TS65GC13 |
od PLN 11,482*
za szt. |
|
|
IGBT Ic 50 A Uce 1200 V AG-ECONO2B-411 280 W (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 50 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Maksymalna strata mocy = 280 W Typ opakowania = AG-ECONO2B-411 |
Infineon FP50R12KT4B11BPSA1 |
od PLN 434,441*
za szt. |
|
|
IGBT Ic 50 A Uce 1200 V AG-ECONO2B-711 (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 50 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Typ opakowania = AG-ECONO2B-711 |
|
od PLN 432,365*
za szt. |
|
|
IGBT Ic 50 A Uce 1200 V 20 mW (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 50 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 20V Maksymalna strata mocy = 20 mW |
Infineon FP50R12N2T7PBPSA1 |
od PLN 4 069,49*
za 10 szt. |
|
|
|
ROHM Semiconductor RGW00TS65DHRC11 |
od PLN 26,62*
za szt. |
|
|
IGBT Ic 50 A Uce 1200 V AG-ECONO2B-411 280 W (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 50 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Maksymalna strata mocy = 280 W Typ opakowania = AG-ECONO2B-411 |
Infineon FS50R12KT4B15BPSA1 |
od PLN 365,14*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; 600V; 3,9A; 25W; TO220AB (1 Oferta) Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: THT Obudowa: TO220AB Napięcie kolektor-emiter: 600V Prąd kolektora: 3,9A Typ tranzystora: IGBT Moc rozpraszana: 25W Rodzaj opakowania: tuba Właściwości elem... |
|
od PLN 3,08*
za szt. |
|
|
IGBT Ic 50 A Uce 650 V 1 TO-220FP 50 W (2 ofert) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 50 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Liczba tranzystorów = 1 Typ opakowania = TO-220FP Liczba styków = 3 |
ST Microelectronics STGF30H65DFB2 |
od PLN 5,71*
za szt. |
|
|
IGBT Ic 50 A Uce 1200 V 6 kanał: N 20 mW (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 50 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Liczba tranzystorów = 6 Konfiguracja = Emiter wspólny Typ montażu = Mon... |
|
od PLN 208,66*
za szt. |
|
|
IGBT Ic 53 A Uce 600 V PG-TO247-3-AI Izolacja 141 W (2 ofert) Tranzystor bibiegunowy z izolowaną bramką Infineon jest wyposażony w szybką i miękką diodę antyrównoległą Rapid 1 w całkowicie izolowanym opakowaniu.Wysoka sprawność Niskie straty przy przełączanie... |
Infineon IKFW60N60DH3EXKSA1 |
od PLN 15,88*
za szt. |
|
|
|
ROHM Semiconductor RGW00TS65HRC11 |
od PLN 20,037*
za szt. |
|
|
